Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термоэлектрические свойства пленок p-Bi_0.5Sb_1.5Te₃ на гибкой подложке

DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51803.05

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.01.53112.05

Гранаткина Ю.В.¹, Дашевский З.М.²

¹Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия Baikov Institute of Metallurgy and Materials Science, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Baikov Institute of Metallurgy and Materials Science, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²ООО "РусТек", Москва, Россия RusTec LLC, Moscow, Russia

Email: granat@imet.ac.ru

Поступила в редакцию: 18 августа 2021 г.

В окончательной редакции: 25 августа 2021 г.

Принята к печати: 25 августа 2021 г.

Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.

PDF версия

Соединения на основе Bi₂Te₃ являются отличными кандидатами для низкотемпературного термоэлектрического применения. В работе разработана технология изготовления пленок p-Bi_0.5Sb_1.5Te₃ с высокой термоэлектрической эффективностью на тонкой гибкой полиимидной подложке. Изготовление пленок осуществляли методом дискретного испарения. Проведено систематическое исследование транспортных характеристик (коэффициент Холла, коэффициент Зеебека, электропроводность) в диапазоне температур 80-400 K. Измеренная температуропроводность вдоль пленки и рассчитанная теплопроводность позволили оценить термоэлектрическую эффективность для пленок p-Bi_0.5Sb_1.5Te₃, достигающую 3·10^-3 K^-1. Ключевые слова: p-Bi_0.5Sb_1.5Te₃ пленка, тонкая гибкая подложка, термоэлектрические свойства.

A.P. Goncalves, C. Godart. In: New Materials for Thermoelectric Applications: Theory and Experiment, ed. by V. Zlatic, A. Hewson (Springer, N. Y., 2013) p. 1
D.M. Rowe. Thermoelectric Handbook: Macro to Nano (CRC Press, Boca Raton, 2005)
K. Tappura, K. Jaakkola. Proceedings, 2, 779 (2018)
Krisina T. Settaluri, Hsinyi Lo, Rajeev J. Ram. J. Electron. Mater., 41, 984 (2012)
R. Venkatasubramanian, E. Siivola, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature, 413, 597 (2001)
P. Fan, Z. Zheng, Z. Cai, T. Chen, R. Lin. Appl. Phys. Lett., 102, 033904 (2013)
Z. Dashevsky, S. Skipidarov. In: Novel Thermoelectric materials and Device Design Concepts, ed. by M. Nikitin, S. Skipidarov (Springer, N. Y., 2019) p. 3
Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi₂Te₃ (М., Наука, 1972)
J. Herremans, B. Wiendliocha. In: Aspect of Thermoelectricity, ed. by C. Uher (CRS Press, Boca Raton, 2016) p. 39
O. Ben-Yehuda, R. Shuker, Y. Gelbstein, Z. Dashevsky, M.P. Dariel. J. Appl. Phys., 101, 113707 (2007)
L.M. Goncalves, C. Couto, P. Alpuim, A.G. Rolo, F. Volklein, J.H. Correia. Thin Sol. Films, 518, 2816 (2010)
X. Duansides, Y. Jiang. Appl. Surf. Sci., 256, 7365 (2010)
L.W. da Silva, M. Kaviany, C. Uher. J. Appl. Phys., 97, 114903 (2005)
M. Takashiri, T. Shirakawa, K. Miyazaki, H. Tsukamoto. Sensors Actuators A Phys., 138, 329 (2007)
G. Wang, L. Endicott, C. Uher. Sci. Adv. Mater., 3, 73 (2011)
E. Symeou, M. Pervolaraki, C.N. Mihailescu, G.I. Athanasopoulos, C. Papageorgiou, T. Kyratsi, J. Giapintzakis. Appl. Surf. Sci., 336, 138 (2015)
P. Fan, Z.-H. Zheng, Z.-K. Cai, T.-B Chen, P.-J. Liu, X.-M. Cai, D.-P. Zhang, G.-X. Liang, J.-T. Luo. Appl. Phys. Lett., 102, 033904 (2013)
D. Bourgault, C.G. Garampon, N. Caillault, L. Carbone, J.A. Aymami. Thin Sol. Films, 516, 8579 (2008)
H. Obara, S. Higomo, M. Ohta, A. Yamoroto, K. Ueno, T. Iida. Jpn. J. Appl. Phys., 48, 085506 (2009)
H. Zou, D.M. Rowe, S.G.K. Williams. Thin Sol. Films, 408, 270 (2002)
H.-J. Wu, W.-T. Yen. Acta Mater., 157, 33 (2018)
R. Deng, X. Su,, S. Hao, S. Zheng, M. Zhang, H. Xie, W. Liu, Y. Yan, V. Wolverton, C. Uher, M.G. Kanatzidis, X. Tang. Energy Environ. Sci., 6, 1520 (2018)
Z.M. Dashevsky, P.P. Konstantinov, S.Ya. Skipidarov. Semiconductors, 53, 861 (2019)
L.D. Ivanova, L.I. Petrova, Ju.V. Granatkina, V.B. Sokolov, S.Ja. Skipidarov, N.I. Duvankov. Inorg. Mater., 44, 687 (2008)
Б.М. Гольцман. З.М. Дашевский. В.М. Кайданов. Пленочные термоэлементы: физика и применение (М., Наука, 1985)
B. Dzundza, L. Nykyruy, T. Parashchuk, E. Ivakin, Y. Yavorsky, L. Chernyak, Z. Dashevsky. Physica B, 588, 412178 (2020)
E.V. Ivakin, I.G. Kisialiou, L.I. Nykyruy, Y.S. Yavorskyy. Semiconductors, 52, 1691 (2018)
H. Shang, C. Dun, Y. Deng, T. Li, Z. Gao, L. Xiao, H. Gu, D.J. Singh, Z. Ren, F. Ding. J. Mater. Chem. A, 8, 4552 (2020)
H. Bottner, J. Nunus, A. Gavrikov, G. Kuhner, M. Jagle, C. Kunzel, D. Eberhard, G. Plescher, A. Schubert, K.-H. Schlereth. J. Microelectromech. Syst., 13 (3), 414 (2004)
M. Maksymuk, T. Parashchuk, B. Dzundza, L. Nykyruy, L. Chernyak, Z. Dashevsky. J. Mater. Today Energy, 21, 100753 (2021)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель