Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 1 » Статья стр. 7
<<<>>>
Термоэлектрические свойства пленок p-Bi0.5Sb1.5Te3 на гибкой подложке
DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51803.05
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.01.53112.05
Гранаткина Ю.В.1, Дашевский З.М.2
1Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2ООО "РусТек", Москва, Россия
Email: granat@imet.ac.ru
Поступила в редакцию: 18 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 25 августа 2021 г.
Принята к печати: 25 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.
PDF версия
Соединения на основе Bi2Te3 являются отличными кандидатами для низкотемпературного термоэлектрического применения. В работе разработана технология изготовления пленок p-Bi0.5Sb1.5Te3 с высокой термоэлектрической эффективностью на тонкой гибкой полиимидной подложке. Изготовление пленок осуществляли методом дискретного испарения. Проведено систематическое исследование транспортных характеристик (коэффициент Холла, коэффициент Зеебека, электропроводность) в диапазоне температур 80-400 K. Измеренная температуропроводность вдоль пленки и рассчитанная теплопроводность позволили оценить термоэлектрическую эффективность для пленок p-Bi0.5Sb1.5Te3, достигающую 3·10-3 K-1. Ключевые слова: p-Bi0.5Sb1.5Te3 пленка, тонкая гибкая подложка, термоэлектрические свойства.
  1. A.P. Goncalves, C. Godart. In: New Materials for Thermoelectric Applications: Theory and Experiment, ed. by V. Zlatic, A. Hewson (Springer, N. Y., 2013) p. 1
  2. D.M. Rowe. Thermoelectric Handbook: Macro to Nano (CRC Press, Boca Raton, 2005)
  3. K. Tappura, K. Jaakkola. Proceedings, 2, 779 (2018)
  4. Krisina T. Settaluri, Hsinyi Lo, Rajeev J. Ram. J. Electron. Mater., 41, 984 (2012)
  5. R. Venkatasubramanian, E. Siivola, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature, 413, 597 (2001)
  6. P. Fan, Z. Zheng, Z. Cai, T. Chen, R. Lin. Appl. Phys. Lett., 102, 033904 (2013)
  7. Z. Dashevsky, S. Skipidarov. In: Novel Thermoelectric materials and Device Design Concepts, ed. by M. Nikitin, S. Skipidarov (Springer, N. Y., 2019) p. 3
  8. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 (М., Наука, 1972)
  9. J. Herremans, B. Wiendliocha. In: Aspect of Thermoelectricity, ed. by C. Uher (CRS Press, Boca Raton, 2016) p. 39
  10. O. Ben-Yehuda, R. Shuker, Y. Gelbstein, Z. Dashevsky, M.P. Dariel. J. Appl. Phys., 101, 113707 (2007)
  11. L.M. Goncalves, C. Couto, P. Alpuim, A.G. Rolo, F. Volklein, J.H. Correia. Thin Sol. Films, 518, 2816 (2010)
  12. X. Duansides, Y. Jiang. Appl. Surf. Sci., 256, 7365 (2010)
  13. L.W. da Silva, M. Kaviany, C. Uher. J. Appl. Phys., 97, 114903 (2005)
  14. M. Takashiri, T. Shirakawa, K. Miyazaki, H. Tsukamoto. Sensors Actuators A Phys., 138, 329 (2007)
  15. G. Wang, L. Endicott, C. Uher. Sci. Adv. Mater., 3, 73 (2011)
  16. E. Symeou, M. Pervolaraki, C.N. Mihailescu, G.I. Athanasopoulos, C. Papageorgiou, T. Kyratsi, J. Giapintzakis. Appl. Surf. Sci., 336, 138 (2015)
  17. P. Fan, Z.-H. Zheng, Z.-K. Cai, T.-B Chen, P.-J. Liu, X.-M. Cai, D.-P. Zhang, G.-X. Liang, J.-T. Luo. Appl. Phys. Lett., 102, 033904 (2013)
  18. D. Bourgault, C.G. Garampon, N. Caillault, L. Carbone, J.A. Aymami. Thin Sol. Films, 516, 8579 (2008)
  19. H. Obara, S. Higomo, M. Ohta, A. Yamoroto, K. Ueno, T. Iida. Jpn. J. Appl. Phys., 48, 085506 (2009)
  20. H. Zou, D.M. Rowe, S.G.K. Williams. Thin Sol. Films, 408, 270 (2002)
  21. H.-J. Wu, W.-T. Yen. Acta Mater., 157, 33 (2018)
  22. R. Deng, X. Su,, S. Hao, S. Zheng, M. Zhang, H. Xie, W. Liu, Y. Yan, V. Wolverton, C. Uher, M.G. Kanatzidis, X. Tang. Energy Environ. Sci., 6, 1520 (2018)
  23. Z.M. Dashevsky, P.P. Konstantinov, S.Ya. Skipidarov. Semiconductors, 53, 861 (2019)
  24. L.D. Ivanova, L.I. Petrova, Ju.V. Granatkina, V.B. Sokolov, S.Ja. Skipidarov, N.I. Duvankov. Inorg. Mater., 44, 687 (2008)
  25. Б.М. Гольцман. З.М. Дашевский. В.М. Кайданов. Пленочные термоэлементы: физика и применение (М., Наука, 1985)
  26. B. Dzundza, L. Nykyruy, T. Parashchuk, E. Ivakin, Y. Yavorsky, L. Chernyak, Z. Dashevsky. Physica B, 588, 412178 (2020)
  27. E.V. Ivakin, I.G. Kisialiou, L.I. Nykyruy, Y.S. Yavorskyy. Semiconductors, 52, 1691 (2018)
  28. H. Shang, C. Dun, Y. Deng, T. Li, Z. Gao, L. Xiao, H. Gu, D.J. Singh, Z. Ren, F. Ding. J. Mater. Chem. A, 8, 4552 (2020)
  29. H. Bottner, J. Nunus, A. Gavrikov, G. Kuhner, M. Jagle, C. Kunzel, D. Eberhard, G. Plescher, A. Schubert, K.-H. Schlereth. J. Microelectromech. Syst., 13 (3), 414 (2004)
  30. M. Maksymuk, T. Parashchuk, B. Dzundza, L. Nykyruy, L. Chernyak, Z. Dashevsky. J. Mater. Today Energy, 21, 100753 (2021)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme