"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Шумовые характеристики кремниевых p-n-структур с тонкой областью умножения при термическом отжиге радиационных дефектов
Барановский О.К.1, Кучинский П.В.2, Савенок Е.Д.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 9 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Исследован характер изменения спектральной плотности шума и времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых p-n-структурах с тонкой областью умножения при термическом отжиге радиационных дефектов. Показано, что изменение частотных свойств шума p-n-структур при термическом отжиге связано с восстановлением поверхностных состояний. Предложено качественное объяснение самоограничения лавинного процесса в структурах с тонкой областью умножения.
  1. О.К. Барановский, П.В. Кучинский, В.М. Лутковский, А.П. Петрунин, Е.Д. Савенок. ФТП, 35, 352 (2001)
  2. Дж. Бендат, А. Пирсол. Прикладной анализ случайных данных (М., Мир, 1989)
  3. S.M. Krakauer. Proc. IEEE, 50, 7, 1665 (1962)
  4. П.В. Кучинский. Автореф. канд. дис. (Минск, БГУ, 1984)
  5. В.И. Губская, П.В. Кучинский, В.М. Ломако. ФТП, 20, 1055 (1986)
  6. В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
  7. З.Я. Садыгов, М.К. Сулейманов, Т.Ю. Бокова. Письма ЖТФ. 26 (7), 75 (2000)
  8. Б.И. Дацко. ФТП, 31, 186 (1997)
  9. В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.