Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 12 » Статья стр. 1195
<<<>>>
Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния
DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51705.9620
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.14.53862.9620
РНФ, 20-12-00193
Баграев Н.Т.1,2, Кукушкин С.А.1, Осипов А.В.1, Клячкин Л.Е.2, Маляренко A.М.2, Хромов В.С.1,2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bagraev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 2 августа 2021 г.
Принята к печати: 2 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.
PDF версия
Исследуется отклик наноструктур карбида кремния, полученных методом согласованного замещения атомов, на внешнее терагерцовое излучение. Регистрируется кинетическая зависимость продольного напряжения при комнатной температуре в условиях пропускания продольного тока исток-сток в структурах с холловской геометрией. В рамках предлагаемой модели квантового эффекта Фарадея падающее излучение приводит к возникновению генерационного тока в краевом канале при изменении числа квантов магнитного потока и соответственно к проявлению особенностей в кинетической зависимости продольного напряжения. Исследована генерация собственного терагерцового излучения в наноструктурах карбида кремния методом регистрации спектра электрически детектируемого электронного парамагнитного резонанса при измерении магнетополевых зависимостей продольного напряжения. Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, терагерцовое излучение, наноструктура, ЭДЭПР, квантовый эффект Фарадея.
  1. M. Danciu, T. Alexa-Stratulat, C. Stefanescu, G. Dodi, B.I. Tamba, C. Teodor Mihai, G.D. Stanciu, A. Luca, I.A. Spiridon, L.B. Ungureanu, V. Ianole, I. Ciortescu, C. Mihai, G. Stefanescu, I. Chirila, R. Ciobanu, V.L. Drug. Materials (Basel, Switzerland), 12 (9), 1519 (2019)
  2. X. Yang, X. Zhao, K. Yang, Y. Liu, Y. Liu, W. Fu, Y. Luo. Trends Biotechnol., 34, 810 (2016)
  3. O.P. Cherkasova, D.S. Serdyukov, A.S. Ratushnyak, E.F. Nemova, E.N. Kozlov, Yu.V. Shidlovskii, K.I. Zaytsev, V.V. Tuchin. Opt. Spectrosc., 128 (6), 855 (2020)
  4. S.A. Il'ina, G.F. Bakaushina, V.I. Gaiduk, A.M. Khrapko, N.B. Zinov'eva. Biofizika, 24, 513 (1979)
  5. L.V. Titova, A.K. Ayesheshim, A. Golubov, R. Rodriguez-Juarez, R. Woycicki, F.A. Hegmann, O. Kovalchuk. Sci. Rep., 3, 1 (2013)
  6. J. Xie, W. Ye, L. Zhou, X. Guo, X. Zang, L. Chen, Y. Zhu. Nanomaterials, 11, 1646 (2021)
  7. J. Kim, S.R. Moon, S. Han, S. Yoo, S.H. Cho. Opt. Express, 28, 23397 (2020)
  8. T. Harter, C. Fullner, J.N. Kemal, S. Ummethala, M. Brosi, E. Brundermann, W. Freude, S. Randel, C. Koos. 110-m THz Wireless Transmission at 100 Gbit/s Using a Kramers-Kronig Schottky Barrier Diode Receiver. In: Proc. Eur. Conf. on Optical Communication (ECOC), (Roma, Italy, 2018)
  9. R.A. Lewis. J. Phys. D: Appl. Phys., 52, 433001 (2019)
  10. L. Ozyuzer, A.E. Koshelev, C. Kurter, N. Gopalsami, Q. Li, M. Tachiki, K. Kadowaki, T. Yamamoto, H. Minami, H. Yamaguchi, T. Tachiki, K.E. Gray, W.-K. Kwok, U. Welp. Science, 318, 1291 (2007)
  11. M. Dyakonov, M. Shur. IEEE Trans. Electron Dev., 43 (3), 380 (1996)
  12. T. Taimre, M. Nikolic, K. Bertling, Y.L. Lim, T. Bosch, A.D. Rakic. Adv. Opt. Photon., 7, 570 (2015)
  13. Y.L. Lim, T. Taimre, K. Bertling, P. Dean, D. Indjin, A. Valavanis, S.P. Khanna, M. Lachab, H. Schaider, T.W. Prow, H.P. Soyer, S.J. Wilson, E.H. Linfield, A.G. Davies, A.D. Rakic. Biomed. Optics Express, 5 (11), 3981 (2014)
  14. K.B. Taranets, M.A. Fomin, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, N.T. Bagraev, A.L. Chernev. J. Appl. Phys., 125, 225702 (2019)
  15. Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, А.А. Кудрявцев, А.М. Маляренко, В.В. Романов. ФТП, 43 (11), 1481 (2009)
  16. Н.Т. Баграев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В.С. Хромов. ФТП, 55 (11), 1027 (2021)
  17. C.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ, 50, 1188 (2008)
  18. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ДАН, 444, 266 (2012)
  19. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Изв. РАН. Механика твердого тела, N 2, 122 (2013)
  20. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47 (31), 313001 (2014)
  21. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 56, 1457 (2014)
  22. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 50 (46), 464006 (2017)
  23. Л.М. Сорокин, Н.В. Веселов, М.П. Щеглов, А.Е. Калмыков, А.А. Ситникова, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. Письма ЖТФ, 34 (22), 88 (2008)
  24. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Письма ЖТФ, 46 (22), 3 (2020)
  25. Н.Т. Баграев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, В.В. Романов, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В.С. Хромов. ФТП, 55 (2), 103 (2021)
  26. N.T. Bagraev, V.Yu. Grigoryev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.A. Mashkov, V.V. Romanov. Semiconductors, 50 (8), 1025 (2016)
  27. Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, Б.А. Новиков. Биотехносфера, 5 (41), 55 (2015)
  28. Н.Т. Баграев, Д.С. Гец, Е.Н. Калабухова, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В.А. Машков, Д.В. Савченко, Б.Д. Шанина. ФТП, 48 (11), 1503 (2014)
  29. P.G. Baranov, A.P. Bundakova, A.A. Soltamova, S.B. Orlinskii, I.V. Borovykh, R. Zondervan, R. Verberk, J. Schmidt. Phys. Rev. B, 83, 125 203 (2011)
  30. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme