Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 12 » Статья стр. 1167
<<<>>>
Магнитные свойства сплавов Pb1-ySсyTe
DOI: 10.21883/FTP.2021.12.51701.9723
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.14.53858.9723
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 19-02-00774
Скипетров Е.П. 1, Богданов Е.В. 1, Скипетрова Л.А. 1, Соловьев А.А.1, Кнотько А.В. 2,3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
Email: skip@mig.phys.msu.ru, bev@mig.phys.msu.ru, lskip@mig.phys.msu.ru, solovev@physics.msu.ru, knotko@inorg.chem.msu.ru
Поступила в редакцию: 26 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 2 августа 2021 г.
Принята к печати: 2 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.
PDF версия
Исследованы полевые зависимости намагниченности (B≤9 Тл, T=2-70 K) образцов из монокристаллического слитка Pb1-yScyTe (y=0.01), синтезированного методом Бриджмена. Установлено, что, в соответствии с общепринятой моделью перестройки электронной структуры сплавов при легировании, в исследованных образцах отсутствует парамагнитный вклад одиночных ионов скандия, находящихся в узлах подрешетки металла. Намагниченность образцов содержит несколько вкладов: суперпарамагнетизм кластеров скандия, линейные по полю диамагнетизм кристаллической решетки и парамагнетизм свободных электронов, а также осциллирующий вклад эффекта де Гааза-ван Альфена. Полевые зависимости основного вклада кластеров скандия успешно аппроксимированы c помощью функции Ланжевена. Определены средние концентрация, магнитный момент и суммарный магнитный момент кластеров в единице объема образца при увеличении концентрации примеси вдоль слитка. Ключевые слова: сплавы на основе PbTe, примеси 3d-переходных металлов, перестройка электронной структуры, полевые зависимости намагниченности, суперпарамагнетизм кластеров скандия.
  1. T. Story, E. Grodzicka, B. Witkowska, J. Gorecka, W. Dobrowolski. Acta Phys. Pol. A, 82, 879 (1992)
  2. E. Grodzicka, W. Dobrowolski, T. Story, Z. Wilamowski, B. Witkowska. Cryst. Res. Technol., 31, S651 (1996)
  3. T. Story. In: Lead Chalcogenides: Physics and Applications, Ser. Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, ed. by D. Khokhlov (N.Y.-London, Taylor and Francis, 2003) v. 18, p. 385
  4. W. Mac, T. Story, A. Twardowski. Acta Phys. Pol. A, 87, 492 (1995)
  5. M.D. Nielsen, E.M. Levin, C.M. Jaworski, K. Schmidt-Rohr, J.P. Heremans. Phys. Rev. B, 85, 045210 (2012)
  6. D.T. Morelli, J.P. Heremans, C.M. Thrush. Phys. Rev. B, 67, 035206 (2003)
  7. E.P. Skipetrov, A.A. Solovev, A.V. Knotko, V.E. Slynko. Low Temp. Phys., 43, 466 (2017)
  8. E.P. Skipetrov, A.A. Solovev, V.E. Slynko. Semiconductors, 52, 686 (2018)
  9. E.P. Skipetrov, N.S. Konstantinov, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, V.E. Slynko. Semiconductors, 52, 828 (2018)
  10. E.P. Skipetrov, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. J. Appl. Phys., 115, 133702 (2014)
  11. E.P. Skipetrov, A.V. Khvorostin, A.V. Knotko, V.E. Slynko. Mater. Res. Bull., 132, 111002 (2020)
  12. E.P. Skipetrov, M.M. Markina, K.V. Zakharov, L.A. Skipetrova, A.A. Solovev, A.V. Knotko, E.I. Slynko, V.E. Slynko. Solid State Phenomena, 233--234, 97 (2015)
  13. E.P. Skipetrov, E.V. Bogdanov, B.B. Kovalev, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, A.V. Emelyanov, A.N. Taldenkov, V.E. Slynko. J. Alloys Compd., 893, 162330 (2022)
  14. E.P. Skipetrov, O.V. Kruleveckaya, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, E.I. Slynko, V.E. Slynko. J. Appl. Phys., 118, 195701 (2015)
  15. E.P. Skipetrov, N.A. Pichugin, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. Low Temp. Phys., 37, 210 (2011)
  16. E.P. Skipetrov, A.N. Golovanov, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. Low Temp. Phys., 39, 76 (2013)
  17. V.E. Slynko, W. Dobrowolski. Visn. Lviv Polytec. Natl. Univ., Electron., No. 681, 144 (2010)
  18. E.I. Slynko, V.M. Vodopyanov, A.P. Bakhtinov, V.I. Ivanov, V.E. Slynko, W. Dobrowolski, V. Domukhowski. Visn. Lviv Polytec. Natl. Univ., Electron., No. 734, 67 (2012)
  19. G.A. Bain, J.F. Berry. J. Chem. Educ., 85, 532 (2008)
  20. M. Gorska, J.R. Anderson. Phys. Rev. B, 38, 9120 (1988)
  21. E.P. Skipetrov, N.A. Chernova, E.I. Slyn'ko. Phys. Rev. B, 66, 085204 (2002)
  22. G. Nimtz, B. Schlicht. In: Narrow-Gap Semiconductors, Vol. 98 of Springer Tracts in Modern Physics (Berlin--Heidelberg--N.Y.-Tokyo, Springer, 1983) p. 14
  23. D.G. Andrianov, S.A. Belokon, V.M. Lakeenkov, O.V. Pelevin, A.S. Savelev, V.I. Fistul, G.P. Tsiskarishvili. Sov. Phys. Semicond., 14, 102 (1980)
  24. S.V. Vonsovskii, Magnetism (Moscow, Nauka, 1971; N.Y., Wiley, 1971)
  25. Diluted Magnetic Semiconductors, ed. by M. Jain (Singapore--New Jersey--London-Hong Kong, World Scientific, 1991)
  26. M. Gorska, J.R. Anderson, G. Kido, S.M. Green, Z. Golacki. Phys. Rev. B, 45, 11702 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme