Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 11 » Статья стр. 1021
<<<>>>
Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением
DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51555.9707
Середин П.В.1, Леньшин А.С.1, Khuder Abduljabbar Riyad2, Голощапов Д.Л.1, Хараджиди М.А.1, Арсентьев И.Н.3, Касаткин И.А.4
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Ministry of Education/General Directorate of Education in Baghdad, The third Karkh Governorate, Baghdad, Iraq
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 12 июля 2021 г.
Принята к печати: 12 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.
PDF версия
Сообщается о влиянии режимов травления и их комбинации на дизайн, микроструктурные и оптические свойства податливых подложек на основе пористого кремния. На основе данных комплекса микроструктурных и спектроскопических методов анализа показано, что при неизменных параметрах кристаллической решетки величина остаточных напряжений, размер кристаллитов, объем кристаллической фракции, а также отражательная способность и энергия прямых переходов в пористом слое кремния зависят от комбинации режимов травления, однако не всегда коррелируют с величиной пористости слоя, рассчитанной из анализа SEM изображений. Ключевые слова: Si, пористый слой, податливая подложка.
  1. A. Fontcuberta i Morral. Nature, 580, 188 (2020). doi:10.1038/d41586-020-00976-8
  2. H. Kim, W.-J. Lee, A.C. Farrell, J.S.D. Morales, P. Senanayake, S.V. Prikhodko, T.J. Ochalski, D.L. Huffaker. Nano Lett., 17, 3465 (2017). doi:10.1021/acs.nanolett.7b00384
  3. Y.A. Bioud, A. Boucherif, M. Myronov, A. Soltani, G. Patriarche, N. Braidy, M. Jellite, D. Drouin, R. Ares. Nature Commun., 10, 4322 (2019). doi:10.1038/s41467-019-12353-9
  4. G. Gomme, G. Gautier, M. Portail, E. Frayssinet, D. Alquier, Y. Cordier, F. Semond. Phys. Status Solidi A, 214, 1600450 (2017). doi:10.1002/pssa.201600450
  5. S.H. Abud, A.M. Selman, Z. Hassan. Superlatt. Microstruct., 97, 586 (2016). doi:10.1016/j.spmi.2016.07.017
  6. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, H. Leiste, M. Rinke. Appl. Surf. Sci., 476, 1049 (2019). doi:10.1016/j.apsusc.2019.01.239
  7. P.V. Seredin, H. Leiste, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov. Appl. Surf. Sci., 508, 145267 (2020). doi:10.1016/j.apsusc.2020.145267
  8. M.R. Jimenez-Vivanco, G. Garci a, J. Carrillo, V. Agarwal, T. Di az-Becerril, R. Doti, J. Faubert, J.E. Lugo. Sci. Rep., 10, 2220 (2020). doi:10.1038/s41598-020-59001-7
  9. W. Liu, X. Xie, M. Zhang, Q. Shen, C. Lin, L. Wang, P.K. Chu. J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanometer Struct., 21, 168 (2003). doi:10.1116/1.1537714
  10. C.-C. Chiang, B.T.-H. Lee. Sci. Rep., 9, 12631 (2019). doi:10.1038/s41598-019-49119-8
  11. V.V. Starkov, E.A. Gosteva, D.M. Sedlovets, M.O. Kah. J. Electrochem. Soc., 165, E534 (2018). doi:10.1149/2.1101811jes
  12. A.S. Lenshin, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.M. Kashkarov. Mater. Sci. Semicond. Process., 30, 25 (2015). doi:10.1016/j.mssp.2014.09.040
  13. A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, D.A. Minakov, B.L. Agapov, M.A. Kuznetsova, V.A. Moshnikov, E.P. Domashevskaya. Semiconductors, 46, 1079 (2012). doi:10.1134/S1063782612080131
  14. J.L. Kulikowski, M. Przytulska, A. Chwojnowski. Biomed. Eng. OnLine, 17, 68 (2018). doi:10.1186/s12938-018-0481-9
  15. P. Elia, E.`Nativ-Roth, Y. Zeiri, Z. Porat. Microporous Mesoporous Mater., 225, 465 (2016). doi:10.1016/j.micromeso.2016.01.007
  16. Y.-I. Kang, W. Qiu, Z. Lei. Optoelectron. Lett., 3, 126 (2007). doi:10.1007/s11801-007-7022-2
  17. Z. Xu, Z. He, Y. Song, X. Fu, M. Rommel, X. Luo, A. Hartmaier, J. Zhang, F. Fang. Micromachines, 9, 361 (2018). doi:10.3390/mi9070361
  18. S. Manotas, F. Agullo-Rueda, J.D. Moreno, F. Ben-Hander, J.M. Marti nez-Duart. Thin Sol. Films, 401, 306 (2001). doi:10.1016/S0040-6090(01)01641-8
  19. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinskiy, D.N. Nikolaev. Phys. E Low-Dim. Syst. Nanostruct., 97, 218 (2018). doi:10.1016/j.physe.2017.11.018
  20. Tauc J. Progr. Semicond. Heywood Lond., 9, 87 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme