"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением
Середин П.В.1, Леньшин А.С.1, Khuder Abduljabbar Riyad2, Голощапов Д.Л.1, Хараджиди М.А.1, Арсентьев И.Н.3, Касаткин И.А.4
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Ministry of Education/General Directorate of Education in Baghdad, The third Karkh Governorate, Iraq
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 12 июля 2021 г.
Принята к печати: 12 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

Сообщается о влиянии режимов травления и их комбинации на дизайн, микроструктурные и оптические свойства податливых подложек на основе пористого кремния. На основе данных комплекса микроструктурных и спектроскопических методов анализа показано, что при неизменных параметрах кристаллической решетки величина остаточных напряжений, размер кристаллитов, объем кристаллической фракции, а также отражательная способность и энергия прямых переходов в пористом слое кремния зависят от комбинации режимов травления, однако не всегда коррелируют с величиной пористости слоя, рассчитанной из анализа SEM изображений. Ключевые слова: Si, пористый слой, податливая подложка.
  1. A. Fontcuberta i Morral. Nature, 580, 188 (2020). doi:10.1038/d41586-020-00976-8
  2. H. Kim, W.-J. Lee, A.C. Farrell, J.S.D. Morales, P. Senanayake, S.V. Prikhodko, T.J. Ochalski, D.L. Huffaker. Nano Lett., 17, 3465 (2017). doi:10.1021/acs.nanolett.7b00384
  3. Y.A. Bioud, A. Boucherif, M. Myronov, A. Soltani, G. Patriarche, N. Braidy, M. Jellite, D. Drouin, R. Ares. Nature Commun., 10, 4322 (2019). doi:10.1038/s41467-019-12353-9
  4. G. Gomme, G. Gautier, M. Portail, E. Frayssinet, D. Alquier, Y. Cordier, F. Semond. Phys. Status Solidi A, 214, 1600450 (2017). doi:10.1002/pssa.201600450
  5. S.H. Abud, A.M. Selman, Z. Hassan. Superlatt. Microstruct., 97, 586 (2016). doi:10.1016/j.spmi.2016.07.017
  6. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, H. Leiste, M. Rinke. Appl. Surf. Sci., 476, 1049 (2019). doi:10.1016/j.apsusc.2019.01.239
  7. P.V. Seredin, H. Leiste, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov. Appl. Surf. Sci., 508, 145267 (2020). doi:10.1016/j.apsusc.2020.145267
  8. M.R. Jimenez-Vivanco, G. Garci a, J. Carrillo, V. Agarwal, T. Di az-Becerril, R. Doti, J. Faubert, J.E. Lugo. Sci. Rep., 10, 2220 (2020). doi:10.1038/s41598-020-59001-7
  9. W. Liu, X. Xie, M. Zhang, Q. Shen, C. Lin, L. Wang, P.K. Chu. J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanometer Struct., 21, 168 (2003). doi:10.1116/1.1537714
  10. C.-C. Chiang, B.T.-H. Lee. Sci. Rep., 9, 12631 (2019). doi:10.1038/s41598-019-49119-8
  11. V.V. Starkov, E.A. Gosteva, D.M. Sedlovets, M.O. Kah. J. Electrochem. Soc., 165, E534 (2018). doi:10.1149/2.1101811jes
  12. A.S. Lenshin, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.M. Kashkarov. Mater. Sci. Semicond. Process., 30, 25 (2015). doi:10.1016/j.mssp.2014.09.040
  13. A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, D.A. Minakov, B.L. Agapov, M.A. Kuznetsova, V.A. Moshnikov, E.P. Domashevskaya. Semiconductors, 46, 1079 (2012). doi:10.1134/S1063782612080131
  14. J.L. Kulikowski, M. Przytulska, A. Chwojnowski. Biomed. Eng. OnLine, 17, 68 (2018). doi:10.1186/s12938-018-0481-9
  15. P. Elia, E.`Nativ-Roth, Y. Zeiri, Z. Porat. Microporous Mesoporous Mater., 225, 465 (2016). doi:10.1016/j.micromeso.2016.01.007
  16. Y.-I. Kang, W. Qiu, Z. Lei. Optoelectron. Lett., 3, 126 (2007). doi:10.1007/s11801-007-7022-2
  17. Z. Xu, Z. He, Y. Song, X. Fu, M. Rommel, X. Luo, A. Hartmaier, J. Zhang, F. Fang. Micromachines, 9, 361 (2018). doi:10.3390/mi9070361
  18. S. Manotas, F. Agullo-Rueda, J.D. Moreno, F. Ben-Hander, J.M. Marti nez-Duart. Thin Sol. Films, 401, 306 (2001). doi:10.1016/S0040-6090(01)01641-8
  19. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinskiy, D.N. Nikolaev. Phys. E Low-Dim. Syst. Nanostruct., 97, 218 (2018). doi:10.1016/j.physe.2017.11.018
  20. Tauc J. Progr. Semicond. Heywood Lond., 9, 87 (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.