Исследовано влияние ионной бомбардировки, производимой на воздухе, на электрические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdS при температуре кипения жидкого азота (T=77 K). Показано, что бомбардировка кристаллов приводит к существенному росту фоточувствительности в области края поглощения, а также к росту их темновой проводимости. При этом количественные изменения в темновой проводимости значительно превосходят изменения в фоточувствительности всех исследованных образцов. Наблюдаемые изменения тонкой (экситонной) структуры свидетельствуют о поверхностном характере воздействия ионов на полупроводник. Обнаруженные изменения связываются с поверхностным легированием исследуемых полупроводников донорами с помощью ионной бомбардировки. Применяемая методика бомбардировки может быть использована в практических целях с целью модификации электрических свойств полупроводников, принадлежащих к соединениям А^IIВ^VI. Ключевые слова: ионная бомбардировка, спектры фотопроводимости, кристаллы CdS, вольт-амперная характеристика, тонкая структура.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.