"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты
Соболев Н.А., Калядин А.Е., Штельмах К.Ф., Шек Е.И.
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 3 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 8 июня 2021 г.
Принята к печати: 8 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

Исследована дислокационная люминесценция в не имплантированных и имплантированных ионами кислорода пластинах кремния после многостадийной термообработки, применяемой в микроэлектронике для создания внутреннего геттера, и заключительного отжига при 1000oC в хлорсодержащей атмосфере. В не имплантированном образце доминирует линия дислокационной люминесценции D1, а ее интенсивность больше чем на порядок по сравнению с другой линией дислокационной люминесценции D2. С ростом температуры интенсивность D1 линии увеличивается, а затем уменьшается. В имплантированном образце интенсивности D1 и D2 линий увеличиваются. Для обеих линий наблюдается только температурное гашение их интенсивностей. Определены энергии гашения и возгорания интенсивностей линий дислокационной фотолюминесценции. Обсуждаются возможные причины наблюдавшихся эффектов. Ключевые слова: дислокационная люминесценция, кремний, ионная имплантация, кислородные преципитаты.
  1. Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)
  2. Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов. ФТП, 55 (7), 553 (2021)
  3. V. Kveder, V. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Zeibt, W. Schreter. Appl. Phys. Lett., 84, 2106 (2004)
  4. S. Fukatsu, Y. Mera, M. Inoue, K. Maeda, H. Akiyama, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 68, 1889 (1996)
  5. E.O. Sveinbjornsson. J. Weber. Appl. Phys. Lett., 69, 2686 (1996)
  6. S. Binetti, M. Donghi, S. Pizzini, A. Castaldini, A. Cavallini, F. Fraboni, N.A. Sobolev. Sol. St. Phenomena, 57--58, 197 (1997)
  7. N.A. Sobolev, А.E. Kalyadin, E.I. Shek, K.F. Shtel'makh, A.K. Gutakovskii, V.I. Vdovin, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetel'baum, D. Li, D. Yang, L.I. Fedina. Materials Today: Proceedings, 5--6, 14772 (2016)
  8. S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini. J. Appl. Phys., 92, 2437 (2002)
  9. S. Pizzini, E. Leonti, S. Binetti, M. Acciarri, A. Le Donne, B. Pichaud. Sol. St. Phenomena, 95--96, 273 (2004)
  10. K. Bothe, R.J. Falster, J.D. Murphy. Appl. Phys. Lett., 101, 032107 (2012)
  11. Н.А. Соболев. ФТП. 44 (1), 3 (2010)
  12. Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, М.В. Коновалов, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 50 (2), 241 (2016)
  13. Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.И. Шек, Е.О. Паршин, Н.С. Мелесов, С.Г. Симакин. ФТП, 53 (2), 165 (2019)
  14. L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii, T.S. Shamirzaev. J. Appl. Phys., 124, 053106 (2018)
  15. N.A. Sobolev. Intrinsic point defect engineering in silicon high-voltage power device technology [Chap. 5 in Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques, p. 131--164 (1997). Ed. by M. Levinshtein and M. Shur (Wiley-Interscience, N.Y., USA)]
  16. В.И. Вдовин, Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, А.Е. Калядин, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, Н.А. Соболев. Кристаллография, 66 (4), 597 (2021)
  17. S. Binetti, R. Somaschini, A. Le Donne, E. Leoni, S. Pizzini, D. Li, D. Yang. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13247 (2002)
  18. G. Davies. Phys. Reports, 176, 83 (1989)
  19. H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson, B.J. Sealy. Phys. Rev. B, 54, 2532 (1996)
  20. R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.H. Kurster, H. Alexander. Appl. Phys. A, 36, 1 (1985)
  21. Luelue Xiang, Dongsheng Li, Lu Jin, Shuming Wang, Deren Yang. J. Appl. Phys., 13, 033518 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.