Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Легированный кремнием GaSb, выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III

DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51447.9678

Левин Р.В.¹, Власов А.С.¹, Пушный Б.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru, vlasov@scell.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 13 мая 2021 г.

В окончательной редакции: 25 мая 2021 г.

Принята к печати: 25 мая 2021 г.

Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследований характеристик эпитаксиальных слоев GaSb, легированных кремнием, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений при соотношении молярных потоков TMSb/TEGa от 1 до 50. Исследованы рентгенодифракционные кривые качания, спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света, удельное сопротивление, концентрация и подвижность свободных носителей заряда в слоях GaSb : Si в зависимости от соотношения TMSb/TEGa при постоянном молярном потоке SiH₄. Ключевые слова: газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, соотношение TMSb/TEGa, эпитаксиальный слой, антимонид галлия, легирование кремнием.

Y.K. Su, H. Kuan, P.H. Chang. J. Appl. Phys., 73, 56 (1993)
C. Agert, P.S. Gladkov, A.W. Bett. Semicond. Sci. Technol., 17, 39 (2002)
A.A. Quivy, A.L. Sperandio, E.C.F. Da Silva, J.R. Keite. J. Cryst. Growth, 206, 171 (1999)
B. Lee, S.S. Bose, M.H. Kim, A.D. Reed, G.E. Stillman. J. Cryst. Growth, 96, 27 (1989)
K.F. Longenbach, S. Xin, W.I. Wang. J. Appl. Phys., 69, 3393 (1991)
G. Pindoria, R.A.A. Kubiak, S.M. Newstead, D.P. Woodruff. Surf. Sci., 234, 17 (1990)
A.A. Quivy, A.L. Sperandio, E.C.F. Da Silva, J.R. Keite. J. Cryst. Growth, 206, 171 (1999)
Р.В. Левин, А.С. Власов, А.Н. Смирнов, Б.В. Пушный. ФТП, 53 (12), 1599 (2019)
J.E. Maslar, W.S. Hurst, C.A. Wang. J. Appl. Phys., 103, 013502 (2008)
A.S. Vlasov, E.P. Rakova, V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, V.S. Kalinovsky, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Solar Energy Mater. Solar Cells., 94, 1113 (2010)
M. Hakala, M.J. Puska, R.M. Nieminen. J. Appl. Phys., 91, 4988 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель