"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Легированный кремнием GaSb, выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III
Левин Р.В.1, Власов А.С.1, Пушный Б.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru, vlasov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 25 мая 2021 г.
Принята к печати: 25 мая 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

Представлены результаты исследований характеристик эпитаксиальных слоев GaSb, легированных кремнием, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений при соотношении молярных потоков TMSb/TEGa от 1 до 50. Исследованы рентгенодифракционные кривые качания, спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света, удельное сопротивление, концентрация и подвижность свободных носителей заряда в слоях GaSb : Si в зависимости от соотношения TMSb/TEGa при постоянном молярном потоке SiH4. Ключевые слова: газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, соотношение TMSb/TEGa, эпитаксиальный слой, антимонид галлия, легирование кремнием.
  1. Y.K. Su, H. Kuan, P.H. Chang. J. Appl. Phys., 73, 56 (1993)
  2. C. Agert, P.S. Gladkov, A.W. Bett. Semicond. Sci. Technol., 17, 39 (2002)
  3. A.A. Quivy, A.L. Sperandio, E.C.F. Da Silva, J.R. Keite. J. Cryst. Growth, 206, 171 (1999)
  4. B. Lee, S.S. Bose, M.H. Kim, A.D. Reed, G.E. Stillman. J. Cryst. Growth, 96, 27 (1989)
  5. K.F. Longenbach, S. Xin, W.I. Wang. J. Appl. Phys., 69, 3393 (1991)
  6. G. Pindoria, R.A.A. Kubiak, S.M. Newstead, D.P. Woodruff. Surf. Sci., 234, 17 (1990)
  7. A.A. Quivy, A.L. Sperandio, E.C.F. Da Silva, J.R. Keite. J. Cryst. Growth, 206, 171 (1999)
  8. Р.В. Левин, А.С. Власов, А.Н. Смирнов, Б.В. Пушный. ФТП, 53 (12), 1599 (2019)
  9. J.E. Maslar, W.S. Hurst, C.A. Wang. J. Appl. Phys., 103, 013502 (2008)
  10. A.S. Vlasov, E.P. Rakova, V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, V.S. Kalinovsky, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Solar Energy Mater. Solar Cells., 94, 1113 (2010)
  11. M. Hakala, M.J. Puska, R.M. Nieminen. J. Appl. Phys., 91, 4988 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.