"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO2(Y) с наночастицами Au
Филатов Д.О.1, Шенина М.Е.1, Роженцов И.А.1, Коряжкина М.Н.1, Новиков А.С.1, Антонов И.Н.1, Ершов А.В.1, Горшков А.П.1, Горшков О.Н.1
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dmitry_filatov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июня 2021 г.

Исследовано влияние оптического излучения видимого диапазона на резистивное переключение в МДП-структурах ITO/ZrO2(Y)/n-Si, в том числе с наночастицами Au, встроенными в слой ZrO2(Y). Обнаружено, что зависимость ширины логического коридора резистивных состояний от интенсивности фотовозбуждения имеет пороговый характер. При увеличении интенсивности фотовозбуждения выше порогового значения наблюдалось уменьшение ширины логического коридора, предположительно, связанное с разогревом активных слоев МДП-структуры при межзонном поглощении излучения в Si-подложке. Обнаружено подавление резистивных переключений при фотовозбуждении на длине волны 650 нм (соответствующей плазмонному резонансу в наночастицах Au) за счет плазмонного оптического поглощения в наночастицах. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, МДП-структуры, стабилизированный диоксид циркония, наночастицы Au, фоточувствительность.
  1. S.H. Lee, X. Zhu, W.D. Lu. Nano Res., 13, 1228 (2020)
  2. J. Zhu, T. Zhang, Y. Yang, R. Huang. Appl. Phys. Rev., 7, 011312 (2020)
  3. С.В. Тихов, О.Н. Горшков, М.Н. Коряжкина, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин. Письма ЖТФ, 42 (10), 78 (2016)
  4. A. Mehonic, T. Gerard, A.J. Kenyon. Appl. Phys. Lett., 111 (23), 233502 (2017)
  5. V.A. Volodin, G.N. Kamaev, M.Vergnat. Phys. Status Solidi RRL, 2000165 (2020)
  6. V.A. Volodin, P. Geydt, G.N. Kamaev, A.A. Gismatulin, G.K. Krivyakin, I.P. Prosvirin, I.A. Azarov, Z. Fan, M. Vergnat. Electronics, 9, 2103 (2020)
  7. A.S. Novikov, D.O. Filatov, D.A. Antonov, I.N. Antonov, M.E. Shenina, O.N. Gorshkov. J. Phys.: Conf. Ser., 993, 012026 (2018)
  8. С.В. Тихов, О.Н. Горшков, Д.А. Павлов, И.Н. Антонов, А.И. Бобров, А.П. Касаткин, М.Н. Коряжкина, М.Е. Шенина. Письма ЖТФ, 40 (9), 9 (2014)
  9. O. Gorshkov, I. Antonov, D. Filatov, M. Shenina, A. Kasatkin, A. Bobrov, M. Koryazhkina, I. Korotaeva, M. Kudryashov. Adv. Mater. Sci. Eng., 2017, 1759469 (2017)
  10. С. Зи, Физика полупроводниковых приборов (пер. с англ.) (М., Мир, 1984) т. 1
  11. T.S. Moss. J. Electron. Control, 1 (2), 126 (1955)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.