"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии
РФФИ, 18-29-20053
РФФИ, 20-42-543015
РФФИ, 20-32-90154
РНФ, 18-72-10063
Тарасов А.С.1, Михайлов Н.Н.1,2, Дворецкий С.А.1,3, Менщиков Р.В.1, Ужаков И.Н.1, Кожухов А.С.1, Федосенко Е.В.1, Терещенко О.Е.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: tarasov1916@yandex.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июня 2021 г.

Получена атомарно-чистая и структурно-упорядоченная поверхность слоя CdTe подложки (013) GaAs/ZnTe/CdTe после хранения на воздухе с помощью обработки в изопропиловом спирте, насыщенном парами соляной кислоты, и дальнейшего термического отжига в сверхвысоком вакууме. Показано, что химическая обработка поверхности CdTe приводит к удалению собственных оксидов и обогащению поверхности слоем элементного теллура. Во время прогрева в вакууме наблюдается две стадии изменения состояния поверхности (~125oС и ≤250oС). При T>250oС происходят десорбция элементного теллура и формирование Te-стабилизированной структуры (1x1) CdTe (013). Ключевые слова: поверхность, подложка GaAs, HgCdTe, PbSnTe, РФЭС, ДБЭО, одноволновая эллипсометрия, химическая подготовка.
  1. A. Rogalski. Infrared and Terahertz Detectors (Chapman and Hall/CRC, 2019)
  2. P. Liu, J.R. Williams, J.J. Cha. Nature Rev. Mater., 4, 479 (2019)
  3. C. Brune, C.X. Liu, E.G. Novik, E.M. Hankiewicz, H. Buhmann, Y.L. Chen, X.L. Qi, Z.X. Shen, S.C. Zhang, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. Lett., 106, 1 (2011)
  4. Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, С.С. Кобылкин, Д.А. Козлов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, J.C. Portal. Письма ЖЭТФ, 93, 584 (2011)
  5. M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.L. Qi, S.C. Zhang. Science, 318, 766 (2007)
  6. З.Д. Квон, Д.А. Козлов, Е.Б. Ольшанецкий, Г.М. Гусев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий. Успехи физ. наук, 190, 673 (2020)
  7. A.K. Kaveev, V.A. Golyashov, A.E. Klimov, E.F. Schwier, S.M. Suturin, A.S. Tarasov, O.E. Tereshchenko. Mater. Chem. Phys., 240, 122134 (2020)
  8. А.С. Тарасов, В.А. Голяшов, Д.В. Ищенко, И.О. Ахундов, А.Э. Климов, В.С. Эпов, А.К. Кавеев, В.Н. Шерстякова, С.П. Супрун, О.Е. Терещенко. Автометрия, 56, 121 (2020)
  9. В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, М.В. Якушев, А.В. Латышев. Автометрия, 5, 12 (2020)
  10. H. Zogg, C. Maissen, J. Masek, T. Hoshino, S. Blunier, A.N. Tiwari. Semicond. Sci. Technol., 6, 36 (1991)
  11. В.Н. Овсюк, Г.Л. Курышев, Ю.Г. Сидоров. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона (Новосибирск, Наука, 2001)
  12. Н.И. Филимонова, В.А. Илюшин, А.А. Величко. Автометрия, 53, 117 (2017)
  13. А.А. Величко, В.А. Илюшин, Н.И. Филимонова, Д.И. Остертак. Науч. вестн. НГТУ, 25, 131 (2006)
  14. S. Ma, C. Guo, C. Xiao, F. Wu, M. Smidman, Y. Lu, H. Yuan, H. Wu. Adv. Funct. Mater., 28 (2018)
  15. И.Г. Неизвестный, Д.В. Ищенко, И.О. Ахундов, С.П. Супрун, О.Е. Терещенко. Докл. РАН. Физика, техн. науки, 490, 39 (2020)
  16. G. Springholz, A.Y. Ueta, N. Frank, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 69, 2822 (1996)
  17. O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov. J. Vac. Sci. Technol. A: Vacuum, Surfaces, Films, 17, 2655 (1999)
  18. O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, F. Wiame, A. Taleb-lbrahimi. Appl. Phys. Lett., 82, 4280 (2003)
  19. O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, E. Placidi, J.E. Bonnet, F. Wiame, A. Taleb-Ibrahimi. Surf. Sci., 600, 3160 (2006)
  20. O.E. Tereshchenko. Appl. Surf. Sci., 252, 7684 (2006)
  21. А.Э. Климов, А.Н. Акимов, И.О. Ахундов, В.А. Голяшов, Д.В. Горшков, Д.В. Ищенко, Г.Ю. Сидоров, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, В.С. Эпов, О.Е. Терещенко. ФТП, 53, 1207 (2019)
  22. S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, D.G. Ikusov, V.A. Kartashev, A.V. Kolesnikov, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets. In: Methods for Film Synthesis and Coating Procedures, ed. by L. Nanai, A. Samantara, S. Ratha, L. Fabian (London, InTech, 2020) p. 49
  23. В.А. Швец, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий. Автометрия, 47, 13 (2011)
  24. A.J. Ricco, H.S. White, M.S. Wrighton. J. Vac. Sci. Technol. A: Vacuum, Surfaces, Films, 2, 910 (1984)
  25. S.S. Choi, G. Lucovsky. J. Vac. Sci. Technol. B. Microelectron. Nanom. Struct., 6, 1198 (1988)
  26. Д. Бриггс, М.П. Сих. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (М., Мир, 1987)
  27. S. Schreyeck, K. Brunner, L.W. Molenkamp, G. Karczewski, M. Schmitt, P. Sessi, M. Vogt, S. Wilfert, A.B. Odobesko, M. Bode. Phys. Rev. Mater., 3, 1 (2019)
  28. M.V. Yakushev, D.V. Brunev, Y.G. Sidorov. J. Surf. Investig, 4, 64 (2010)
  29. V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Y.G. Sidorov. J. Cryst. Growth, 159, 1161 (1996)
  30. В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, М.В. Якушев, А.В. Латышев. Автометрия, 56, 12 (2020).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.