Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 8 » Статья стр. 644
<<<>>>
Оптические и электронные свойства пассивированных поверхностей InP(001)
DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51129.05
Российским фондом фундаментальных исследований (РФФИ), 20-03-00523
Дементьев П.А. 1, Дементьева Е.В.1, Львова Т.В. 1, Берковиц В.Л. 1, Лебедев М.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: demenp@yandex.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.
PDF версия
Исследовано влияние химической пассивации в растворах сульфида аммония (NH4)2S на оптические и электронные свойства поверхности n-InP(001). Показано, что обработка в 4%-м водном растворе (NH4)2S приводит к уменьшению приповерхностного поля и локализованных в этой области зарядов в 2 раза. Обработка в 4%-м спиртовом растворе (NH4)2S приводит к уменьшению этих параметров в 3 раза, и, кроме того, в 3 раза уменьшается барьерная фотоэдс. Ключевые слова: фосфид индия, спектроскопия анизотропного отражения, Кельвин-зонд микроскопия, локальная катодолюминесценция.
  1. P. Lautenschlager, M. Garriga, M. Cardona. Phys. Rev. B, 36, 4813 (1987)
  2. L. Pavesi, F. Piazza, A. Rudra, J.F. Carlin, M. Ilegems. Phys. Rev. B, 44, 9052 (1991)
  3. H.J. Joyce, J. Wong-Leung, C.-K. Yong, C.J. Docherty, S. Paiman, Q. Gao, H.H. Tan, C. Jagadish, J. Lloyd-Hughes, L.M. Herz, M.B. Johnston. Nano Lett., 12, 5325 (2012)
  4. G. Hollinger, E. Bergignat, J. Joseph, Y. Robach. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 2082 (1985)
  5. M.V. Lebedev, Yu.M. Serov, T.V. Lvova, R. Endo, T. Masuda, I.V. Sedova. Appl. Surf. Sci., 533, 147484 (2020)
  6. M.V. Lebedev, Yu.M. Serov, T.V. Lvova, I.V. Sedova, R. Endo, T. Masuda. Semiconductors, 54, 1843 (2020)
  7. C.E.J. Mitchell, I.G. Hill, A.B. McLean, Z.H. Lu. Progr. Surf. Sci., 50, 325 (1995)
  8. S. Tian, Z. Wei, Y. Li, H. Zhao, X. Fang, J. Tang, D. Fang, L. Sun, G. Liu, B. Yao, X. Ma. Mater. Sci. Semicond. Process., 17, 33 (2014)
  9. C.-F. Yen, M.-K. Lee. J. Vac. Sci. Technol. B, 30, 052201 (2012)
  10. H.-K. Kang, Y.-S. Kang, M. Baik, K.-S. Jeong, D.-K. Kim, J.-D. Song, M.-H. Cho. J. Phys. Chem. C, 122, 7226 (2018)
  11. N. Tajik, C.M. Haapamaki, R.R. LaPierre. Nanotechnology, 23, 315703 (2012)
  12. T.V. Lvova, A.L. Shakhmin, I.V. Sedova, M.V. Lebedev. Appl. Surf. Sci., 311, 300 (2014)
  13. М.В. Лебедев, Т.В. Львова, А.Л. Шахмин, О.В. Рахимова, П.А. Дементьев, И.В. Седова. ФТП, 53, 908 (2019)
  14. V.L. Berkovits, V.N. Bessolov, T.V. L'vova, V.I. Safarov, R.V. Khasieva, B.V. Tsarenkov. J. Appl. Phys., 70, 3707 (1991)
  15. M.V. Zamoryanskaya, S.G. Konnikov, A.N. Zamoryanskii. Instrum. Exp. Techn., 47 (4), 477 (2004)
  16. P. Hovington, D. Drouin, R. Gauvin. Scanning, 19, 1 (1997)
  17. П.А. Дементьев, Е.В. Иванова, М.В. Заморянская. ФТТ, 61 (8), 1448 (2019)
  18. N. Esser, W.G. Schmidt, J. Bernholc, A.M. Frisch, P. Vogt, M. Zorn, M. Pristovsek, W. Richter, F. Bechstedt, Th. Hannappel, S. Visbeck. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 1691 (1999)
  19. V.L. Berkovits, V.A. Kosobukin, A.B. Gordeeva. J. Appl. Phys., 118, 245305 (2015)
  20. T. Holden, W.D. Sun, F.H. Pollak, J.L. Freeouf, D. McInturff, J.M. Woodall. Phys. Rev. B, 58, 7795 (1998)
  21. E.V. Ivanova, P.A. Dementev, T.V. Lvova, M.V. Lebedev. J. Phys.: Conf. Ser., 1697 (1), 012061 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme