Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb0.7Sn0.3Te на Si(111)
РФФИ , 21-52-12024 ННИО_а
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: kaveev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.
Проведен подбор и оптимизация технологических параметров роста методом молекулярно-лучевой эпитаксии тонких слоев Pb0.7Sn0.3Te толщиной до 300 нм, выращенных на поверхности Si(111) при температурах 230-400oC, изучена морфология поверхности полученных пленок, определены эпитаксиальные соотношения. Показано, что в зависимости от температуры роста морфология поверхности имеет вид от гладких островов микронного размера, имеющих на поверхности моноатомные ступени, до более узких террас. Ключевые слова: кристаллический топологический изолятор, молекулярно-лучевая эпитаксия, дифракция быстрых электронов, атомно-силовая микроскопия, Pb0.7Sn0.3Te.
- C. Kane. Nature Physics, 4, 348 (2008)
- T.H. Hsieh, H. Lin, J. Liu, W. Duan, A. Bansil, L. Fu. Nature Commun., 3, 982 (2012)
- T. Liang, S. Kushwaha, J. Kim, Q. Gibson, J. Lin, N. Kioussis, R.J. Cava, N.P. Ong. Sci. Advances, 3 (5), e1602510 (2017)
- Б. Волков, Л. Рябова, Л. Хохлов. Успехи физ. наук, 172 (8), 875 (2002)
- S.-Y. Xu, C. Liu, N. Alidoust, M. Neupane, D. Qian, I. Belopolski, J.D. Denlinger, Y.J. Wang, H. Lin, L.A. Wray, G. Landolt, B. Slomski, J.H. Dil, A. Marcinkova, E. Morosan, Q. Gibson, R. Sankar, F.C. Chou, R.J. Cava, A. Bansil, M.Z. Hasan. Nature Commun., 3, 1192 (2012)
- A.K. Kaveev, V.A. Golyashov, A.E. Klimov, F. Schwier, S.M. Suturin, A.S. Tarasov, O.E. Tereshchenko. Mater. Chem. and Phys., 240, 122134 (2020)
- A.K. Kaveev, S.M. Suturin, N.S. Sokolov, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko. Techn. Phys. Lett., 44 (3), 184 (2018)
- L.A. Walsh, Ch.L. Hinkle. Appl. Materials Today, 9, 504 (2017)
- C. Boschetti, I. Bandeira, H. Closs, A. Ueta, P. Rappl, P. Motisuke, E. Abramof. Infr. Phys. Technol., 42, 91 (2001)
- A.K. Cheetham, B.E.F. Fender, M.J. Cooper. J. Phys. C, 4, 3107 (1971)
- G. Springholz. In: Molecular beam epitaxy, ed. by M. Henini (Oxford, Elsevier, 2013) chap. 13, c. 263
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
