"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb0.7Sn0.3Te на Si(111)
РФФИ , 21-52-12024 ННИО_а
Кавеев А.К.1, Бондаренко Д.Н.1, Терещенко О.Е.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: kaveev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.

Проведен подбор и оптимизация технологических параметров роста методом молекулярно-лучевой эпитаксии тонких слоев Pb0.7Sn0.3Te толщиной до 300 нм, выращенных на поверхности Si(111) при температурах 230-400oC, изучена морфология поверхности полученных пленок, определены эпитаксиальные соотношения. Показано, что в зависимости от температуры роста морфология поверхности имеет вид от гладких островов микронного размера, имеющих на поверхности моноатомные ступени, до более узких террас. Ключевые слова: кристаллический топологический изолятор, молекулярно-лучевая эпитаксия, дифракция быстрых электронов, атомно-силовая микроскопия, Pb0.7Sn0.3Te.
  1. C. Kane. Nature Physics, 4, 348 (2008)
  2. T.H. Hsieh, H. Lin, J. Liu, W. Duan, A. Bansil, L. Fu. Nature Commun., 3, 982 (2012)
  3. T. Liang, S. Kushwaha, J. Kim, Q. Gibson, J. Lin, N. Kioussis, R.J. Cava, N.P. Ong. Sci. Advances, 3 (5), e1602510 (2017)
  4. Б. Волков, Л. Рябова, Л. Хохлов. Успехи физ. наук, 172 (8), 875 (2002)
  5. S.-Y. Xu, C. Liu, N. Alidoust, M. Neupane, D. Qian, I. Belopolski, J.D. Denlinger, Y.J. Wang, H. Lin, L.A. Wray, G. Landolt, B. Slomski, J.H. Dil, A. Marcinkova, E. Morosan, Q. Gibson, R. Sankar, F.C. Chou, R.J. Cava, A. Bansil, M.Z. Hasan. Nature Commun., 3, 1192 (2012)
  6. A.K. Kaveev, V.A. Golyashov, A.E. Klimov, F. Schwier, S.M. Suturin, A.S. Tarasov, O.E. Tereshchenko. Mater. Chem. and Phys., 240, 122134 (2020)
  7. A.K. Kaveev, S.M. Suturin, N.S. Sokolov, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko. Techn. Phys. Lett., 44 (3), 184 (2018)
  8. L.A. Walsh, Ch.L. Hinkle. Appl. Materials Today, 9, 504 (2017)
  9. C. Boschetti, I. Bandeira, H. Closs, A. Ueta, P. Rappl, P. Motisuke, E. Abramof. Infr. Phys. Technol., 42, 91 (2001)
  10. A.K. Cheetham, B.E.F. Fender, M.J. Cooper. J. Phys. C, 4, 3107 (1971)
  11. G. Springholz. In: Molecular beam epitaxy, ed. by M. Henini (Oxford, Elsevier, 2013) chap. 13, c. 263

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.