Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

XXV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии

DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51125.01

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации , 0791-2020-0003

ФГУП ИПМаш РАН , АААА-А18-118012790011-3

Министерство образования и науки России, RFMEFI62119X0021

Илькив И.В.^1,2, Котляр К.П.², Кириленко Д.А.³, Осипов А.В.⁴, Сошников И.П.^1,3, Терпицкий А.Н.¹, Цырлин Г.Э.¹

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁴Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.

В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.

Принята к печати: 19 апреля 2021 г.

Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены экспериментальные результаты исследований по осаждению германия Ge на поверхность нитевидных нанокристаллов AlGaAs. С применением спектроскопии комбинационного рассеяния света обнаружено формирование как кубической, так и гексагональной фаз Ge. Показано, что тонкие слои германия в гексагональной фазе преимущественно формируются на боковых поверхностях вюрцитных нитевидных нанокристаллов в результате наследования кристаллической структуры. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, германий, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, гетероструктуры.

C. Rodl, J. Furthmuller, J.R. Suckert, V. Armuzza, F. Bechstedt, S. Botti. Phys. Rev. Mater., 3 (3), 034602 (2019)
E.T.M. Faradaly, A. Dijkstra, J.R. Suckert J.R., D. Ziss, M.A.J. van Tilburg, C. Mao, Y. Ren, V.T. van Lange, K. Korzun, S. Kolling, M.A. Verheijen, D. Busse, C. Rodl, J. Furthmuller, F. Bechstedt, J. Stangl, J.J. Finley, S. Botti, J.E.M. Haverkort, E.P.A.M. Bakkers. Nature, 580 (7802), 205 (2020)
G. Dushaq, A. Nayfeh, M. Rasras. Sci. Rep., 9 (1), 1 (2019)
Y. Zhang, Z. Iqbal, S. Vijayalakshmi, S. Qadri, H. Grebel. Solid State Commun., 115 (12), 657 (2000)
N. Jeon, S.A. Dayeh, L.J. Lauhon. Nano Lett., 13 (8), 3947 (2013)
Z.W. Xu, A.H.W. Ngan. Phil. Mag. Lett., 84 (11), 719 (2004)
L. Vincent, G. Patriarche, G. Hallais, C. Renard, C. Gardes, D. Troadec, D. Bouchier. Nano Lett., 14 (8), 4836 (2014)
M. Okugawa, R. Nakamura, M. Ishimaru, H. Yasuda, H. Numakura. J. Appl. Phys., 120 (13), 134308 (2016)
H.I.T. Hauge, S. Conesa-Boj, M.A. Verheijen, S. Koelling, E.P. Bakkers. Nano Lett., 17 (1), 85 (2017)
I.V. Ilkiv, K.P. Kotlyar, D.A. Kirilenko, S.P. Lebedev, A.A. Lebedev, P.A. Alekseev, A.D. Bouravleuv, G.E. Cirlin. J. Phys. Conf. Ser., 1124 (2), 022043 (2018)
E.K. M rtensson, S. Lehmann, K.A. Dick, J. Johansson. Nano Lett., 19 (2), 1197 (2019)
G.E. Cirlin, R.R. Reznik, I.V. Shtrom, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S.A. Kukushkin, L. Leandro, T. Kasam, N. Akopian J. Phys. Appl. Phys., 50 (48), 484003 (2017)
C. Fasolato,M. De Luca, D. Djomani, L. Vincent, C. Renard, G. Di Iorio, V. Paillard, M. Amato, R. Rurali, I. Zardo. Nano Lett., 18 (11), 7075 (2018)
D. De Matteis, M. De Luca, E.M. Fadaly, M.A. Verheijen, M. Lopez-Suarez, R. Rurali, E.P.A.M. Bakkers, I. Zardo. ACS Nano, 14 (6), 6845 (2020)
V.G. Dubrovskii, Y.Y. Hervieu. J. Cryst. Growth, 401, 431 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель