Вышедшие номера
XXV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации , 0791-2020-0003
ФГУП ИПМаш РАН , АААА-А18-118012790011-3
Министерство образования и науки России, RFMEFI62119X0021
Илькив И.В.1,2, Котляр К.П.2, Кириленко Д.А.3, Осипов А.В.4, Сошников И.П.1,3, Терпицкий А.Н.1, Цырлин Г.Э.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.

Представлены экспериментальные результаты исследований по осаждению германия Ge на поверхность нитевидных нанокристаллов AlGaAs. С применением спектроскопии комбинационного рассеяния света обнаружено формирование как кубической, так и гексагональной фаз Ge. Показано, что тонкие слои германия в гексагональной фазе преимущественно формируются на боковых поверхностях вюрцитных нитевидных нанокристаллов в результате наследования кристаллической структуры. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, германий, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, гетероструктуры.