"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
XXV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации , 0791-2020-0003
ФГУП ИПМаш РАН , АААА-А18-118012790011-3
Министерство образования и науки России, RFMEFI62119X0021
Илькив И.В.1,2, Котляр К.П.2, Кириленко Д.А.3, Осипов А.В.4, Сошников И.П.1,3, Терпицкий А.Н.1, Цырлин Г.Э.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.

Представлены экспериментальные результаты исследований по осаждению германия Ge на поверхность нитевидных нанокристаллов AlGaAs. С применением спектроскопии комбинационного рассеяния света обнаружено формирование как кубической, так и гексагональной фаз Ge. Показано, что тонкие слои германия в гексагональной фазе преимущественно формируются на боковых поверхностях вюрцитных нитевидных нанокристаллов в результате наследования кристаллической структуры. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, германий, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, гетероструктуры.
  1. C. Rodl, J. Furthmuller, J.R. Suckert, V. Armuzza, F. Bechstedt, S. Botti. Phys. Rev. Mater., 3 (3), 034602 (2019)
  2. E.T.M. Faradaly, A. Dijkstra, J.R. Suckert J.R., D. Ziss, M.A.J. van Tilburg, C. Mao, Y. Ren, V.T. van Lange, K. Korzun, S. Kolling, M.A. Verheijen, D. Busse, C. Rodl, J. Furthmuller, F. Bechstedt, J. Stangl, J.J. Finley, S. Botti, J.E.M. Haverkort, E.P.A.M. Bakkers. Nature, 580 (7802), 205 (2020)
  3. G. Dushaq, A. Nayfeh, M. Rasras. Sci. Rep., 9 (1), 1 (2019)
  4. Y. Zhang, Z. Iqbal, S. Vijayalakshmi, S. Qadri, H. Grebel. Solid State Commun., 115 (12), 657 (2000)
  5. N. Jeon, S.A. Dayeh, L.J. Lauhon. Nano Lett., 13 (8), 3947 (2013)
  6. Z.W. Xu, A.H.W. Ngan. Phil. Mag. Lett., 84 (11), 719 (2004)
  7. L. Vincent, G. Patriarche, G. Hallais, C. Renard, C. Gardes, D. Troadec, D. Bouchier. Nano Lett., 14 (8), 4836 (2014)
  8. M. Okugawa, R. Nakamura, M. Ishimaru, H. Yasuda, H. Numakura. J. Appl. Phys., 120 (13), 134308 (2016)
  9. H.I.T. Hauge, S. Conesa-Boj, M.A. Verheijen, S. Koelling, E.P. Bakkers. Nano Lett., 17 (1), 85 (2017)
  10. I.V. Ilkiv, K.P. Kotlyar, D.A. Kirilenko, S.P. Lebedev, A.A. Lebedev, P.A. Alekseev, A.D. Bouravleuv, G.E. Cirlin. J. Phys. Conf. Ser., 1124 (2), 022043 (2018)
  11. E.K. M rtensson, S. Lehmann, K.A. Dick, J. Johansson. Nano Lett., 19 (2), 1197 (2019)
  12. G.E. Cirlin, R.R. Reznik, I.V. Shtrom, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S.A. Kukushkin, L. Leandro, T. Kasam, N. Akopian J. Phys. Appl. Phys., 50 (48), 484003 (2017)
  13. C. Fasolato,M. De Luca, D. Djomani, L. Vincent, C. Renard, G. Di Iorio, V. Paillard, M. Amato, R. Rurali, I. Zardo. Nano Lett., 18 (11), 7075 (2018)
  14. D. De Matteis, M. De Luca, E.M. Fadaly, M.A. Verheijen, M. Lopez-Suarez, R. Rurali, E.P.A.M. Bakkers, I. Zardo. ACS Nano, 14 (6), 6845 (2020)
  15. V.G. Dubrovskii, Y.Y. Hervieu. J. Cryst. Growth, 401, 431 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.