Электронная почта: semicond@mail.ioffe.ru
"Физика и техника полупроводников"
Авторам
Вышедшие номера
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние гамма-облучения на эффект термопереключения монокристалла GeS : Nd
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан 
2Азербайджанский Государственный экономический университет, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский Государственный экономический университет, Баку, Азербайджан
Email: sakin@jinr.ru
Поступила в редакцию: 17 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 22 марта 2021 г.
Принята к печати: 22 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2021 г.
Исследован эффект термопереключения слоистого монокристалла GeS : Nd в широком температурном интервале (T=80-350 K). Изучено влияние γ-облучения при разных дозах (30 и 100 крад) на эффект термопереключения монокристалла GeS : Nd. Установлено, что после γ-облучения в малых дозах, с образованием упорядоченной структуры, в кристалле GeS : Nd эффект термопереключения не обнаруживается. С увеличением дозы γ-облучения до 100 крад происходит деградация структуры, в результате кристалл теряет фоточувствительность, эффект термопереключения не обнаруживается. Ключевые слова: монокристалл, γ-облучение, термопереключение, фазовый переход, низкоомное состояние, наноструктура, редкоземельный элемент.
- M.S. Leanenia, E.V. Lutsenko, M.V. Rzheutski, G.P. Yablonskii, T.G. Naghiyev, H.B. Ganbarova, O.B. Tagiev. Optical Mater., 54, 45 (2016)
- Y.I. Aliyev, Y.G. Asadov, T.M. Ilyasli, F.M. Mammadov, T.G. Naghiyev, Z.A. Ismayilova, M.N. Mirzayev, S.H. Jabarov. Mod. Phys. Lett. B, 34, 2050066 (2020)
- G.S. Orudjev, N.A. Ismayilova. Adv. Phys. Res., 1, 37 (2019)
- Y.I. Aliyev, Y.G. Asadov, A.O. Dashdemirov, R.D. Aliyeva, T.G. Naghiyev, S.H. Jabarov. Inter. J. Mod. Phys. B, 33, 1950271 (2019)
- S.G. Asadullayeva, T.G. Naghiyev, G.A. Gafarova. Adv. Phys. Res., 1, 81 (2019)
- Д.И. Блецкан, В.И. Таран, М.Ю. Сичка. УФЖ, 9, 1436 (1976)
- Д.И. Блецкан, В.Н. Кабацкий, М.М. Блецкан. Современные информационные и электронные технологии (Одесса, 2015) с. 228
- J. Lui, X.W. Liu. Adv. Mater., 24, 4097 (2012)
- Li. Chun, H. Jiang, P.S. Gayatri, Yu. Yifei, C. Linyou. ACS Nano, 9, 8868 (2012)
- М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 17, 513 (1998)
- И.П. Чернов, А.П. Мамонтов. Изв. Томского политехнического университета (Томск, 1994) с. 74
- Д.И. Блецкан, И.Ф. Копинец, П.П. Погорецкий, Е.Н. Салькова, Д.В. Чепур. Кристаллография, 20, 1008 (1975)
- Д.И. Блецкан. УФЖ, 24, 321 (1979)
- Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 46, 577 (2012)
- Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев, И.А. Таксами. ФТП, 3, 312 (1969)
- В.Т. Мак. Письма ЖТФ, 15, 17 (1989)
- В.Т. Мак. ЖТФ, 63, 173 (1993)
- А.С. Белоус, В.А. Солодуха, С.В. Шведов. Высокоскоростные электронные устройства (М., Техносфера, 2017)
- K. Cenzual, L. Louise, M. Gelato, M. Penzo, E. Parthe. Acta Cryst., 47, 433 (1991)
- А.П. Мамонтов, И.П. Чернов. Эффект малых доз ионизирующего излучения (Томск, Дельтаплан, 2009)
- И.П. Чернов, А.П. Мамонтов, А.А. Ботаки. Атом. энергия, 57, 56 (1984)
- И.П. Чернов, А.П. Мамонтов, П.А. Черданцев. Изв. вузов. Физика, 12, 58 (1994)
- D.W. Zhang, F.T. Jin, J.M. Yuan. Chin. Phys. Lett., 23, 1876 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
