"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние гамма-облучения на эффект термопереключения монокристалла GeS : Nd
Алекперов А.С.1, Дашдемиров А.О.1, Нагиев Т.Г.2, Джабаров С.Г.1,2
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский Государственный экономический университет, Баку, Азербайджан
Email: sakin@jinr.ru
Поступила в редакцию: 17 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 22 марта 2021 г.
Принята к печати: 22 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2021 г.

Исследован эффект термопереключения слоистого монокристалла GeS : Nd в широком температурном интервале (T=80-350 K). Изучено влияние γ-облучения при разных дозах (30 и 100 крад) на эффект термопереключения монокристалла GeS : Nd. Установлено, что после γ-облучения в малых дозах, с образованием упорядоченной структуры, в кристалле GeS : Nd эффект термопереключения не обнаруживается. С увеличением дозы γ-облучения до 100 крад происходит деградация структуры, в результате кристалл теряет фоточувствительность, эффект термопереключения не обнаруживается. Ключевые слова: монокристалл, γ-облучение, термопереключение, фазовый переход, низкоомное состояние, наноструктура, редкоземельный элемент.
  1. M.S. Leanenia, E.V. Lutsenko, M.V. Rzheutski, G.P. Yablonskii, T.G. Naghiyev, H.B. Ganbarova, O.B. Tagiev. Optical Mater., 54, 45 (2016)
  2. Y.I. Aliyev, Y.G. Asadov, T.M. Ilyasli, F.M. Mammadov, T.G. Naghiyev, Z.A. Ismayilova, M.N. Mirzayev, S.H. Jabarov. Mod. Phys. Lett. B, 34, 2050066 (2020)
  3. G.S. Orudjev, N.A. Ismayilova. Adv. Phys. Res., 1, 37 (2019)
  4. Y.I. Aliyev, Y.G. Asadov, A.O. Dashdemirov, R.D. Aliyeva, T.G. Naghiyev, S.H. Jabarov. Inter. J. Mod. Phys. B, 33, 1950271 (2019)
  5. S.G. Asadullayeva, T.G. Naghiyev, G.A. Gafarova. Adv. Phys. Res., 1, 81 (2019)
  6. Д.И. Блецкан, В.И. Таран, М.Ю. Сичка. УФЖ, 9, 1436 (1976)
  7. Д.И. Блецкан, В.Н. Кабацкий, М.М. Блецкан. Современные информационные и электронные технологии (Одесса, 2015) с. 228
  8. J. Lui, X.W. Liu. Adv. Mater., 24, 4097 (2012)
  9. Li. Chun, H. Jiang, P.S. Gayatri, Yu. Yifei, C. Linyou. ACS Nano, 9, 8868 (2012)
  10. М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 17, 513 (1998)
  11. И.П. Чернов, А.П. Мамонтов. Изв. Томского политехнического университета (Томск, 1994) с. 74
  12. Д.И. Блецкан, И.Ф. Копинец, П.П. Погорецкий, Е.Н. Салькова, Д.В. Чепур. Кристаллография, 20, 1008 (1975)
  13. Д.И. Блецкан. УФЖ, 24, 321 (1979)
  14. Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 46, 577 (2012)
  15. Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев, И.А. Таксами. ФТП, 3, 312 (1969)
  16. В.Т. Мак. Письма ЖТФ, 15, 17 (1989)
  17. В.Т. Мак. ЖТФ, 63, 173 (1993)
  18. А.С. Белоус, В.А. Солодуха, С.В. Шведов. Высокоскоростные электронные устройства (М., Техносфера, 2017)
  19. K. Cenzual, L. Louise, M. Gelato, M. Penzo, E. Parthe. Acta Cryst., 47, 433 (1991)
  20. А.П. Мамонтов, И.П. Чернов. Эффект малых доз ионизирующего излучения (Томск, Дельтаплан, 2009)
  21. И.П. Чернов, А.П. Мамонтов, А.А. Ботаки. Атом. энергия, 57, 56 (1984)
  22. И.П. Чернов, А.П. Мамонтов, П.А. Черданцев. Изв. вузов. Физика, 12, 58 (1994)
  23. D.W. Zhang, F.T. Jin, J.M. Yuan. Chin. Phys. Lett., 23, 1876 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.