"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Electron Mobility in Bulk n-Doped SiC-polytypes 3C-SiC, 4H-SiC and 6H-SiC: a comparison
Rodrigues Cloves G.1
1School of Exact Sciences and Computing, Pontifical Catholic University of Goias, CP 86,-010 Goi^ania, Goias, Brazil
Email: cloves@pucgoias.edu.br
Поступила в редакцию: 1 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2021 г.

This communication presents a comparative study on the charge transport (in transient and steady state) in bulk n-type doped SiC-polytypes: 3C-SiC, 4H-SiC and 6H-SiC. The time evolution of the basic macrovariables: the "electron drift velocity" and the "non-equilibrium temperature" are obtained theoretically by using a Non-Equilibrium Quantum Kinetic Theory, derived from the method of Nonequilibrium Statistical Operator (NSO). The dependence on the intensity and orientation of the applied electric field of this macrovariables and mobility are derived and analyzed. From the results obtained in this paper, the most attractive of these semiconductors for applications requiring greater electronic mobility is the polytype 4H-SiC with the electric field applied perpendicular to the c-axis. Keywords: SiC, 4H-SiC, 6H-SiC, 3C-SiC, charge transport.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.