"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), фундаментальные научные исследования, 20-08-00096
Бессолов В.Н. 1, Коненкова Е.В. 1, Родин С.Н.1, Кибалов Д.С.2, Смирнов В.К.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Квантовый кремний", Москва, Россия
Email: bes@triat.ioffe.ru, lena@triat.ioffe.rssi.ru, bes@triat.mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 30 ноября 2020 г.
Принята к печати: 30 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 10 января 2021 г.

Проведены исследования эпитаксиального роста слоев AlN и GaN при использовании метода газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V-образная наноструктура с размером элементов <100 нм (подложка NP-Si(100)). Показано, что в процессе образования слоя полуполярного AlN на начальной стадии эпитаксии при коалесценции формируется гофрированная поверхность из полуполярных плоскостей AlN(10() 1 1) с противонаправленными осями симметрии c. Затем в процессе роста слоя GaN осуществляется переход из симметричного состояния с двумя полуполярными плоскостями AlN в асимметричное состояние с единой ориентацией оси c слоя полуполярного GaN(10() 1 1), причем направление c в растущем полуполярном слое совпадает с направлением потока ионов N2+ на поверхность кремния при образовании наномаски. Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, переход от двух полуполярных плоскостей к единой ориентации слоя.
  1. Nitrides with Nonpolar Surfaces: Growth, Properties, and Devices, ed. by T. Paskova (Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, Weinheim, 2008)
  2. I. Kim, J. Holmi, R. Raju, A. Haapalinna, S. Suihkonen. J. Phys. Commun., 4, 045010 (2020)
  3. XR.G. Banal, M. Funato, Y. Kawakami. Phys. Status Solidi C, 6, 599 (2009)
  4. Y. Honda, N. Kameshiro, M. Yamaguchi, N. Sawaki. J. Cryst. Growth, 242, 82 (2002)
  5. V. Bessolov, A. Zubkova, E. Konenkova, S. Konenkov, S. Kukushkin, T. Orlova, S. Rodin, V. Rubets, D. Kibalov, V. Smirnov. Phys. Status Solidi B, 256, 1800268 (2019)
  6. G.-T. Chen, S.-P. Chang, J.-I. Chyi, M.-N. Chang. Appl. Phys. Lett., 92, 241904 (2008)
  7. T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki. Phys. Status Solidi C, 5, 2966 (2008)
  8. L. Chen, J. Payne, J. Strate, C. Li, J.-M. Zhang, W.-J. Yu, Z.-F. Di, X. Wang. Chin. Phys. B, 24, 118102 (2015)
  9. V.K. Smirnov, D.S. Kibalov, O.M. Orlov, V.V. Graboshnikov. Nanotechnology, 14, 709 (2003)
  10. V.K. Smirnov, D.S. Kibalov. Proc. 21st Int. Conf. on Ion-Surface Interactions (Yaroslavl, Russia, 2013) v. 1, p. 62
  11. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, Т.А. Орлова, С.Н. Родин, М.П. Щеглов, Д.С. Кибалов, В.К. Смирнов. Письма ЖТФ, 44, 45 (2018)
  12. M.E. Bachlechner, A. Omeltchenko, A. Nakano, R.K. Kalia, P. Vashishta. Phys. Rev. Lett., 84, 322 (2000)
  13. T. Wang. Semicond. Sci. Technol., 31, 093003 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.