"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эволюция электронного транспорта при резистивных переключениях в пленках порфиразинов
Переводная версия: 10.1134/S1063782621030052
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Стабильность, 20-32-70118
Дроздов К.А.1, Крылов И.В.1, Василик В.А.1, Косов А.Д.1, Дубинина Т.В.2,3, Рябова Л.И.2, Хохлов Д.Р.1,4
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
3Институт физиологически активных веществ Российской академии наук, Черноголовка, Московская область, Россия
4Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: kadrozdov@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 12 ноября 2020 г.
Принята к печати: 12 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2020 г.

Анализ вольт-амперных характеристик позволил определить механизмы проводимости, соответствующие различным состояниям каналов протекания при резистивных переключениях в пленках порфиразинов. Варьирование температуры, структуры диэлектрической матрицы и типа основных носителей заряда позволило оценить применимость модели проводящих каналов для описания транспорта и определить механизмы проводимости для каждого состояния системы. Ключевые слова: пленки порфиразинов, транспорт носителей заряда, резистивное переключение.
  1. F. Pan, S. Gao, C. Chen, C. Song, F. Zeng. Mater. Sci. Eng., R, 83, 1 (2014)
  2. D. Panda, P.P. Sahu, T.Yu. Tseng. Nanoscale Res. Lett., 13 (1), Art. \#8 (2018)
  3. В.К. Ярмаркин, С.Г. Шульман, В.В. Леманов. ФТТ, 50 (10), 1767 (2008)
  4. J.C. Scott, L.-D. Bozano. Adv. Mater., 19 (11), 1452 (2007)
  5. Y. Chen, D. Li, N. Yuan, J. Gao, R. Gu, G. Lu, M. Bouvet. J. Mater. Chem., 22, 22142 (2012)
  6. T.V. Dubinina, K.V. Paramonova, St.A. Trashin, N.E. Borisova, L.G. Tomilova, N.S. Zefirov. Dalton Trans., 43, 2799 (2014)
  7. D. Schlettwein, D. Woehrle, E. Karmann, U. Melville. Chem. Mater., 6 (1), 3 (1994)
  8. R.D. Gould. Coord. Chem. Rev., 156, 237 (1996)
  9. Ch.G. Claessens. Chem. Rev., 114 (4), 2192 (2014)
  10. A.D. Kosov, T.V. Dubinina, N.E. Borisova, A.V. Ivanov, K.A. Drozdov, S.A. Trashin, K. De Wael, M.S. Kotova, L.G. Tomilova. New J. Chem., 43, 3153 (2019)
  11. T.V. Dubinina, M.M. Osipova, A.V. Zasedatelev, V.I. Krasovskii, N.E. Borisova, S.A. Trashin, L.G. Tomilova, N.S. Zefirov. Dyes and Pigments, 128, 141 (2016)
  12. T.V. Dubinina, A.D. Kosov, E.F. Petrusevich, S.S. Maklakov, N.E. Borisova, L.G. Tomilova, N.S. Zefirov. Dalton Trans., 44, 7973 (2015)
  13. М.С. Котова, М.А. Дронов, Т.В. Дубинина, Д.Р. Хохлов. Физ. образование в вузах, 21 (1С), 53 (2015)
  14. M.S. Kotova, K.A. Drozdov, T.V. Dubinina, E.A. Kuzmina, L.G. Tomilova, R.B. Vasiliev, A.O. Dudnik, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Sci. Rep., 8, 9080, 1 (2018)
  15. D. Ielmini. Semicond. Sci. Technol., 31, 063002 (2016)
  16. D. Ielmini. IEEE Trans. Electron Dev., 58, 4309 (2011)
  17. I. Valov, R. Waser, J.R. Jameson, M.N. Kozicki. Nanotechnology, 22, 254003 (2011)
  18. M.P. Donzello, C. Ercolani, V. Novakova, P. Zimcik, P.A. Stuzhin. Coord. Chem. Rev., 309, 107 (2016)
  19. C.G. Claessens, D. Gonzalez-Rodri guez, M.S. Rodri guez-Morgade, A. Medina, T. Torres. Chem. Rev., 114 (4), 2192 (2014)
  20. S. Ambrogio, S. Balatti, S. Choi, D. Ielmini. Adv. Mater., 26, 3885 (2014)
  21. Б.И. Шкловский. ФТП, 13 (1), 93 (1979)
  22. Р.Б. Васильев, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова, А.М. Гаськов. ФТП, 43 (2), 167 (2009)
  23. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1992) т. 1, с. 47
  24. U. Russo, D. Ielmini, C. Cagli, A.L. Lacaita. IEEE Trans. Electron Dev., 56 (2), 193 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.