"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диффузия атомов In в пленках SiO2, имплантированных ионами As+
Переводная версия: 10.1134/S1063782621030179
Тысченко И.Е.1, Voelskow M.2, Чжунбинь Сы3, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Institute of Ion-Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-Center Dresden. Rossendorf, Dresden, Germany
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: tys@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 27 ноября 2020 г.
Принята к печати: 27 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2020 г.

Изучена диффузия атомов индия в пленках SiO2, предварительно имплантированных ионами мышьяка с разной энергией, в зависимости от температуры последующего отжига. Установлено, что диффузионные свойства индия зависят от присутствия в пленке атомов мышьяка и их энергии. Увеличение концентрации мышьяка в области средних пробегов ионов In+ предотвращает диффузию индия к поверхности SiO2 при высоких температурах отжига и стимулирует диффузию In вглубь в форме одновалентного междоузлия. Обнаруженные эффекты объяснены с точки зрения формирования пар In-As в соседних замещающих положениях в матрице SiO2. Ключевые слова: индий, мышьяк, диффузия, оксид кремния, ионная имплантация.
  1. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 56, 2708 (1984)
  2. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 1872 (1985)
  3. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 5220 (1985)
  4. A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 61, 993 (1987)
  5. H. Ko, K. Takei, R. Kapadia, S. Chuang, H. Fang, P.W. Leu, K. Ganapathi, E. Plis, H.S. Kim, S.-Y. Chen, M. Madsen, A.C. Ford, Y.-L. Chueh, S. Krishna, S. Salahuddin, A. Javey. Nature, 468, 286 (2010)
  6. A.C. Ford, C.W. Yeung, S. Chuang, H.S. Kim, E. Plis, S. Krishna, C. Hu, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 98. 113105 (2011)
  7. K. Takei, R. Kapadia, H. Fang, E. Plis, S. Krishna, A. Javey. Appl. Phys. Lett., 102, 153513 (2013)
  8. S. Prucnal, Sh. Zhou, X. Ou, S. Facsko, M.O. Liedke, F. Bregolin, B. Liedke, J. Grebing, M. Fritzsche, R. Hubner, A. Mucklich, L. Rebohle, M. Helm, M. Turek, A. Drozdziel, W. Skorupa. J. Appl. Phys., 115, 074306 (2014)
  9. S. Prucnal, M. Turek, A. Drozdziel, K. Pyszniak, S.Q. Zhou, A. Kanjilal, W. Skorupa, J. Zuk. Appl. Phys. B, 101, 315 (2010)
  10. F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, W. Wesch, E. Wendler, J. Zuk, I. Parkhomenko. Mat. Sci. Eng. B, 178, 1169 (2013)
  11. И.Е. Тысченко, М. Фельсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. ФТП, 48, 1228 (2014)
  12. И.Е. Тысченко, М. Фельсков, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 53, 1023 (2019)
  13. C. Jeynes, N.P. Barradas, P.K. Marriott, G. Boudreault, M. Jenkin, E. Wendler, R.P. Webb. J. Phys. D: Appl. Phys., 36, R97 (2003)
  14. H. Ryssel, I. Ruge. Ion implantation (Wiley, Chichester, 1986) p. 478
  15. G.K. Celler, L.E. Trimble, K.W. West, L. Pfeiffer, T.T. Sheng. Appl. Phys. Lett., 50, 664 (1987)
  16. T. Yamaji, F. Ichikawa. J. Appl. Phys., 64, 2365 (1988)
  17. R. Singh, M. Maier, H. Krautle, D.R. Young, P. Balk. J. Electrochem. Soc., 131, 2645 (1984)
  18. T.E. Tsai, D.L. Griscom. Phys. Rev. Lett., 67, 2517 (1991)
  19. S.Yi. Shiryaev, A.N. Larsen, M. Deicher. J. Appl. Phys., 72, 410 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.