"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Electronic structure of molybdenum oxide oxidized at different pressures
Полная версия: 10.1134/S1063782620120040
Russian Foundation for Basic Research, 200200370
Dementev P.A.1, Ivanova E.V.1, Lapushkin M.N.1, Smirnov D.A.2, Timoshnev S.N.3
1Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2Institut fur Festkorper- und Materialphysik, Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany
3Alferov University, St. Petersburg, Russia
Email: demenp@yandex.ru
Поступила в редакцию: 23 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

Electronic structure of molybdenum oxides obtained by the oxidation of molybdenum at an oxygen pressure of 1 Torr (thin film) and air (thick film) was studied. It was shown that a thick oxide film is formed from MoO3 oxide, and a thin film from a mixture of MoO3 and MoO2 oxides, which is reflected in the form of valence band spectra. Oxygen on the surface belongs both in molybdenum oxide and in the hydroxyl group, which is associated with dissociative adsorption of water during the oxidation of molybdenum in air for a thick film. Keywords: molybdenum oxide, oxidation, valence band, photoelectron spectroscopy.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.