"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
The diagram of p-n junction formed on the n-GaAs surface by 1.5 keV Ar+ ion beam
Полная версия: 10.1134/S1063782620120222
Mikoushkin V.M.1, Makarevskaya E.A.1, Solonitsyna A.P.1, Brzhezinskaya M.2
1Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2Helmholtz-Zentrum Berlin for Materials and Energy, Berlin, Germany
Email: M.Mikoushkin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

The core-level and valence band electronic structure of the n-GaAs (100) has been studied by synchrotron-based high-resolution photoelectron spectroscopy after irradiation by an Ar+ ion beam with energy Ei=1500 eV and fluence Q=1·1015 ions/cm2. Conversion of the conductivity type of the surface layer and formation of a p-n structure have been observed. The p-surface layer thickness (d~5.0 nm) and band structure were experimentally determined from the Ga3d photoelectron spectrum by separation and analysis of the low intense n-type bulk contribution from deeper layers. A band diagram of the p-n junction formed on the n-GaAs-surface by Ar+ ion bombardment was reconstructed. The p-n junction proved to be unexpectedly narrow compared to the extended tail of the implanted ion depth distribution. Keywords: GaAs, p-n junction, band structure, ion irradiation, Ar+ ion beam.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.