"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре
The Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, Research of neuromorphic big data processing systems and technologies for their productionгосударственное задание, 0065-2019-0003
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, 0718-2020-0031
Привезенцев В.В. 1,2, Сергеев А.П.1, Куликаускас В.С.3, Киселев Д.А. 4, Трифонов А.Ю.5,6, Терещенко А.Н. 7
1Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук", Москва, Россия
2Физико-технологический институт им. К.А. Валиева Российской академии наук, Москва 117218, Россия
3Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва Россия
4Национальный исследовательский технологический университет "Московский институт стали и сплавов", Москва, Россия
5Национальный исследовательский университет "МИЭТ" --- Московский институт электронной техники, Москва, Зеленоград, Россия
6Научно-исследовательский институт физических проблем, Москва, Зеленоград, Россия
7Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: privezentsev@ftian.ru, seralpet@yandex.ru, dm.kiselev@misis.ru, tan@issp.ac.ru
Поступила в редакцию: 5 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 15 августа 2020 г.
Принята к печати: 15 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

Подложки Si, выращенные методом Чохральского (n-тип, ориентация (100)), были подвергнуты двойной имплантации: вначале ионами 64Zn+ с дозой 5·1016 см-2 и энергией 50 кэВ, а затем ионами 16O+ с дозой 2·1017 см-2 и энергией 20 кэВ. Во время имплантации температура подложки поддерживалась ~ 350oC. После имплантации Si-подложка содержит радиационные дефекты и их кластеры: двойники, дислокации, а также нанокластыры (НК), а, именно, на поверхности и в приповерхностном слое подложки образовались Zn-содержащие НК со средним радиусом 10-50 нм преимущественно из фазы металлического Zn и частично из фазы ZnO. После фотонного отжига до эффективной температуры 700oС, оптимальной для получения фазы ZnO, радиационные дефекты отожглись, а на поверхности образца зафиксированы Zn-содержащие НК, предположительно, состоящие из фазы ZnO и частично из фазы Zn2SiO4 со средним диаметром 50-100 нм. Ключевые слова: кремниевая подложка, цинк, кислород, горячая имплантация, наночастицы, ZnO.
  1. Nanoclusters and Nanocrystals, H. Singh Nalwa (ed.) (Hitachi, Japan, 2003)
  2. C. Flytzanis, F. Haqche, M.C. Klein, D. Ricard, Ph. Roussignol. In Prog.Optics, E.Wolf (ed.), (North Holland, Amsterdam, 1999) p. 29, 321
  3. S. Chu, M. Olmedo, Zh. Yang, J. Kong, J. Liu et al. Appl. Phys. Lett., 93, 181106 (2008)
  4. C.Y. Jiang, X.W. Sun, G.Q. Lo, D.L. Kwong, J.X. Wang. Appl. Phys. Lett., 90, 263501 (2007)
  5. G.P. Smestad, M. Gratzel. J. Chem. Educ., 75, 752 (1998)
  6. C. Li, Y. Yang, X.W. Sun, W. Lei, X.B. Zhang, B.P. Wang, J.X. Wang, B.K. Tay, J.D. Ye, G.Q. Lo, D.L. Kwong. Nanotechnology, 18, 135604 (2007)
  7. B.B. Straumal, A.A. Mazilkin, S.G. Protasova, A.A. Myatiev, P.B. Straumal, G. Schutz, P.A. van Aken, E. Goering, B. Baretzky. Phys. Rev. B, 79, 205206 (2009)
  8. J.S. Dodds1, F.N. Meyers, K.J. Loh. Smart Structures and Systems, 12, 055 (2013)
  9. A. Sirelkhatim, S. Mahmud, A. Seeni, N.H.M. Kaus, L.C. Ann, S.K. ohd Bakhori, H. Hasan, D. Mohamad. Nano-Micro Lett., 7, 219 (2015)
  10. S. Inbasekaran, R. Senthil, G. Ramamurthy, T.P. Sastry. Intern. J. Innov // Res. Sci. Eng. Technol., 3, 8601 (2014)
  11. H. Amekura, Y. Takeda, N. Kishimoto. Mater. Lett., 222, 96 (2011)
  12. Y.Y. Shen, X.D. Zhang, D.C. Zhang, Y.H. Xue, L.H. Zhang, C.L. Liu. Mater. Lett., 65, 2966 (2011)
  13. V. Privezentsev, V. Kulikauskas, E. Steinman, A. Bazhenov. Phys. Status Solidi C, 10, 48 (2013)
  14. V.V. Privezentsev, V.S. Kulikauskas, V.V. Zatekin, D.V. Petrov, A.Yu. Trifonov, A.A. Batrakov. J. Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 9 (3), 486 (2015)
  15. J.F. Ziegler, J.P. Biersack. SRIM 2013 (http://www.srim.org)
  16. G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, C. Reynaud. Appl. Phys. Lett., 80, 4834 (2002)
  17. Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23 (11), 651 (1976)
  18. E.A. Steinman, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya. Semicond. Sci. Technol., 14, 582 (1999)
  19. R. Sauer, Ch. Kisielowski-Kemmerich, H. Alexander. Phys. Rev. Lett., 57, 1472 (1986)
  20. A.N. Izotov, A.I. Kolyubakin, S.A. Shevchenko, E.A. Steinman. Phys. Status Solidi A, 130, 193 (1992).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.