"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4H-SiC substrate
RFBR , 18-02-00498
Lebedev S.P.1, Eliseyev I.A.1, Panteleev V.N.1, Dementev P.A.1, Shnitov V.V.1, Rabchinskii M.K.1, Smirnov D.A.2, Zubov A.V.3, Lebedev A.A.1,4
1Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2Institut fur Festkorper und Materialphysik, Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany
3St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics, and Optics (ITMO University), St. Petersburg, Russia
4St. Petersburg State Electrotechnical University LETI, St. Petersburg, Russia
Email: lebedev.sergey@mail.ioffe.ru, zoid95@yandex.ru, pantiley@yahoo.com, v.shnitov@mail.ioffe.ru, Rabchinskii@mail.ioffe.ru, dmitry.smirnov@helmholtz-berlin.de
Поступила в редакцию: 23 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

The structural and some other characteristics of quasi-freestanding single-layer graphene obtained by annealing of the buffer layer in the flow of hydrogen are studied in comparison with those of conventional epitaxial graphene. The high structural quality and good lateral uniformity of the thus-obtained graphene film are checked and confirmed by the use of such techniques as Raman spectroscopy, atomic force, and Kelvin probe force microscopies. The confirmation of its single-layer and freestanding character is obtained via the analysis of respective data of X-ray photoelectron spectroscopy. Keywords: silicon carbide, graphene, KPFM, Raman spectroscopy, XPS.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.