"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О структуре тонких пленок монооксида германия
Переводная версия: 10.1134/S1063782620120027
Российский научный фонд, РНФ-MOST, 18-49-08001
Министерство образования и науки РФ , 2020-1902-01-058
Астанкова К.Н. 1, Володин В.А. 1,2, Азаров И.А. 1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: as-tankoff@ya.ru, volodin@isp.nsc.ru, azarov_ivan@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 28 августа 2020 г.
Принята к печати: 28 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

С помощью оптических (спектроскопия комбинационного рассеяния света, инфракрасная спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия) и электронно-микроскопических методов установлено, что атомная структура пленок монооксида германия стехиометрического состава соответствует модели случайных связей, без формирования нанокластеров германия. Данная структура метастабильна и трансформируется в структуру случайной фазы при температуре 260oC и выше. Причиной метастабильности твердого GeO может являться наличие внутренних механических напряжений в атомной сетке. Ключевые слова: монооксид германия, метастабильность, модель случайных связей.
  1. C.H. Cheng, A. Chin, F.S. Yeh. Symp. VLSI Technol., Dig. Tech. Pap. (Honolulu, Hawaii, 2010) p. 85
  2. V.A. Volodin, G.N. Kamaev, V.A. Gritsenko, A.A. Gismatulin, A. Chin, M. Vergnat. Appl. Phys. Lett., 114, 233104 (2019)
  3. A.V. Shaposhnikov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, C.H. Cheng, A. Chin. Appl. Phys. Lett., 100, 243506 (2012)
  4. V.A. Volodin, G.N. Kamaev, M. Vergnat. Phys. Status Solidi RRL, 14, 2000165 (2020)
  5. И.В. Тананаев, М.Я. Шпирт. Химия германия (М., Химия, 1967) гл. 4, с. 102
  6. Н.А. Васютинский, Ю.И. Рысьева, Г.И. Петров, А.П. Сидоренко. Неорг. матер., 1 (7), 1057 (1965)
  7. А.П. Мартыненко, В.С. Крюков, Б.В. Стрижков, К.Г. Марин. Неорг. матер., 9 (9), 1568 (1973)
  8. Е.Б. Горохов, В.В. Грищенко. В сб.: Эллипсометрия: теория, методы, приложения (Новосибирск, Наука, 1987) с. 147
  9. K. Prabhakaran, F. Maeda, Y. Watanabe, T. Ogino. Appl. Phys. Lett., 76 (16), 2244 (2000)
  10. И.Г. Стоянова, А.А. Тимофеев, А.Н. Зелянина, В.Н. Рыбаков, И.Ф. Анискин, З.А. Маслова, Н.М. Моисеева. Электрон. техн., сер. III, Микроэлектроника, 1, 71 (1972)
  11. D.V. Sheglov, E.B. Gorokhov, V.A. Volodin, K.N. Astankova, A.V. Latyshev. Nanotechnology, 19 (24), 245302 (2008)
  12. Д.А. Джишиашвили, В.В. Гобронидзе, З.В. Беришвили, З.Н. Шиолашвили, Г.A. Схиладзе, Л.Г. Сахвадзе. Тр. Междунар. конф. "Современные информационные и электронные технологии" (Одесса, Украина, 2005) с. 371
  13. S.G. Ellis. J. Appl. Phys., 28 (11), 1262 (1957)
  14. Laser pulses --- theory, technology, and applications, ed. by I. Peshko (Rijeka, InTech., 2012) v. 13, p. 383
  15. В.В. Стрекалов. Автореф. маг. дис. (Новосибирск, Новосибирский гос. технический ун-т, 2014)
  16. В.А. Володин, В.А. Гриценко, A. Chin. Письма ЖТФ, 44 (10), 37 (2018)
  17. W. Sun, G. Zhong, C. Kubel, A.A. Jelle, C. Qian, L. Wang, M. Ebrahimi, L.M. Reyes, A.S. Helmy, G.A. Ozin. Angew. Chem. Int. Ed., 56, 6329 (2017)
  18. M. Ardyanian, H. Rinnert, X. Devaux, M. Vergant. Appl. Phys. Lett., 89, 011902 (2006)
  19. Y. Negishi, S. Nagao, Y. Nakamura, A. Nakajima. J. Appl. Phys., 88 (10), 6037 (2000)
  20. K.N. Astankova, E.B. Gorokhov, I.A. Azarov, V.A. Volodin, A.V. Latyshev. Surfaces and Interfaces, 6, 56 (2017)
  21. В.А. Гриценко. УФН, 178 (7), 727 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.