Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии

DOI: 10.21883/FTP.2020.12.50227.9496

Переводная версия: 10.1134/S1063782620120295

Лошкарев И.Д.¹, Петрушков М.О. ¹, Абрамкин Д.С.^1,2, Емельянов Е.А. ¹, Путято М.А.¹, Васев А.В.¹, Есин М.Ю.¹, Комков О.С.

³, Фирсов Д.Д.³, Преображенский В.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: maikdi@isp.nsc.ru, e2a@isp.nsc.ru, okomkov@yahoo.com

Поступила в редакцию: 3 августа 2020 г.

В окончательной редакции: 10 августа 2020 г.

Принята к печати: 10 августа 2020 г.

Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием переходных слоев AlSb/As/Si выращены пленки GaSb на вицинальных подложках Si(001), отклоненных на 6^o к плоскости (111). Исследовано влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства и характер рельефа поверхности. Обнаружено, что пленки GaSb(00=1)/Si характеризуются лучшим структурным совершенством, меньшей концентрацией точечных дефектов и более планарным и изотропным рельефом поверхности по сравнению с пленками GaSb(001). Возможной причиной наблюдаемых отличий у пленок GaSb с различной ориентацией является повышенная плотность антифазных доменов в пленках GaSb(001). Морфологические особенности выращенных пленок обусловлены в основном наличием краев террас и в меньшей степени анизотропией встраивания адатомов Ga в края террас. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, GaSb на Si(001), кристаллографическая ориентация пленки, структурное совершенство, морфология поверхности.

A. Joullie, P. Christol. C.R. Physique. 4 (6), 621 (2003)
M. Razeghi, A. Haddadi, A.M. Hoang, E.K. Huang, G. Chen, S. Bogdanov, S.R. Darvish, F. Callewaert, R. McClintock. Infr. Phys. Technol., 59, 41 (2013)
A. Nainani, T. Irisawa, Z. Yuan, B.R. Bennett, J. Brad Boos, Y. Nishi, K.C. Saraswat. IEEE Trans. Electron Dev., 58, 3407 (2011)
Ch. Sun, M.T. Wade, Y. Lee, J.S. Orcutt, L. Alloatti, M.S. Georgas, A.S. Waterman, J.M. Shainline, R.R. Avizienis, S. Lin, B.R. Moss, R. Kumar, F. Pavanello, A.H. Atabaki, H.M. Cook, A.J. Ou, J.C. Leu, Y.H. Chen, K. Asanovic, R.J. Ram, M.A. Popovic, V.M. Stojanovic. Nature, 528 (7583), 534 (2015)
Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков. УФН, 178 (5), 459 (2008)
S.F. Fang, K. Adomi, S. Iyer, H. Morkoc, H. Zabel, C. Choi, N. Otsuka. J. Appl. Phys., 68 (7), R31 (1990)
M. Akiyama, Y. Kawarada, K. Kaminishi. Jpn. J. Appl. Phys., 23 (11A), L843 (1984)
T. Sakamoto, G. Hashiguchi. Jpn. J. Appl. Phys., 25 (1А), L78 (1986)
D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett., 59 (15), 1691 (1987)
Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.К. Гутаковский, В.А. Селезнев, А.П. Василенко, Д.С. Абрамкин, О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский, N. Zhicuan, N. Haiqiao. Автометрия, 50 (3), 13 (2014)
R.D. Bringans, D.K. Biegelsen, L.E. Swartz. Phys. Rev. B, 44 (7), 3054 (1991)
M. Calamiotou, N. Chrysanthakopoulos, C. Lioutas, K. Tsagaraki, A. Georgakilas. J. Cryst. Growth, 227, 98 (2001)
M.A. Putyato, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, D.F. Feklin, N.A. Pakhanov, E.A. Emelianov, S.I. Chikichev. Semicond. Sci. Technol., 24 (5), 055014 (2009)
K. Akahane, N. Yamamoto, S.I. Gozu, A. Ueta, N. Ohtani. J. Cryst. Growth, 283 (3-4), 297 (2005)
S.H. Vajargah, S. Ghanad-Tavakoli, J.S. Preston, R.N. Kleiman, G.A. Botton. J. Appl. Phys., 114 (11), 113101 (2013)
Y.H. Kim, Y.K. Noh, M.D. Kim, J.E. Oh, K.S. Chung. Thin Sol. Films, 518 (8), 2280 (2010)
U. Serincan, B. Arpapay. Semicond. Sci. Technol., 34 (3), 035013 (2019)
D.D. Firsov, O.S. Komkov, V.A. Solov'ev, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov. J. Phys. D: Appl. Phys., 49 (28), 285108 (2016)
B. Mendez, P.S. Dutta, J. Piqueras, E. Dieguez. Appl. Phys. Lett., 67 (18), 2648 (1995)
C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39 (3), 1871 (1989)
M. Akiyama, Y. Kawarada, K. Kaminishi. Jpn. J. Appl. Phys., 23 (11A), L843 (1984)
A. Georgakilas, J. Stoemenos, K. Tsagaraki, P. Komninou, N. Flevaris, P. Panayotatos, A. Christou. J. Mater. Res., 8 (8), 1908 (1993)
R.L. Schwoebel. J. Appl. Phys., 40 (2), 614 (1969)
Z. Ding, D.W. Bullock, P.M. Thibado, V.P. LaBella, K. Mullen. Surf. Sci., 540 (2-3), 491 (2003)
K. Ohta, T. Kojima, T. Nakagawa. J. Cryst. Growth, 95 (1-4), 71 (1989)
T. Shitara, D.D. Vvedensky, M.R. Wilby, J. Zhang, J.H. Neave, B.A. Joyce. Phys. Rev. B, 46 (11), 6825 (1992).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель