Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зависимость электрофизических характеристик структур металл--сегнетоэлектрик--полупроводник от материала верхнего электрода
Переводная версия: 10.1134/S1063782620110032 
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия 
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: gvc@ms.ire.mssi.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 13 июля 2020 г.
Принята к печати: 13 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2020 г.
Пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST 80/20) синтезированы на кремниевой подложке методом высокочастотного распыления поликристаллической мишени. Представлены результаты исследований состава пленок, электрофизических свойств конденсаторных структур на их основе и зависимости этих свойств от материала верхнего электрода (Al, Cu, Ni, Cr). Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-полупроводник, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, микроструктура, электрофизические свойства.
- Y. Yao, C. Li, Z.L. Huo, M. Liu, C.X. Zhu, C.Z. Gu, X.F. Duan, Y.G. Wang, L. Gu, R.C. Yu. Nature Commun., 4, 1 (2013)
- H. Ishiwara. J. Nanosci. Nanotechnol., 12, 7619 (2012)
- A. Chanthbouala, A. Crassous, V. Garci, K. Bouzehouane, S. Fusil, X. Moya, A. Barthelemy. Nature Nanotechnol., 7, 101 (2012)
- Z. Wen, C. Li, D. Wu, A. Li, N. Ming. Nature Mater., 12, 617 (2013)
- Z. Xi, J. Ruan, C. Li, C. Zheng, Z. Wen, J. Dai, D. Wu. Nature Commun., 8, 1 (2017)
- Л. Фельдман, Д. Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок (М., Мир, 1989)
- В.К. Егоров, Е.В. Егоров. НБИКС --- Наука. Технологии, 3, 29 (2019)
- L.R. Doolittle. Nucl. Instr. Meth. B, 9, 344 (1985)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, 6, 110 (1997)
- S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of semiconductor devices (N.J., John Willey and Sons, Inc., 2007)
- https://infotables.ru/fizika/132-rabota-vykhoda-elektronov-iz-metallov- tablitsa\#hcq=XKemm0s https://infotables.ru/fizika/132-rabota-vykhoda-elektronov-iz-metallov-tablitsa
- https://zygar.ru/mineraly/metal/resistance-of-metals.html
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
