Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)
Умирзаков Б.Е.1, Ташмухамедова Д.А.1, Ташатов А.К.2, Мустафоева Н.М.2, Муродкабилов Д.М.1
1Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан
2Каршинский государственный университет, Карши, Узбекистан
Email: ftmet@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 мая 2019 г.
В окончательной редакции: 13 июля 2020 г.
Принята к печати: 20 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2020 г.
Впервые изучены степень разупорядочения, толщина разупорядоченных слоев d и их влияние на ширину запрещенной зоны Eg монокристаллического Si (111) при бомбардировке ионами Ar+. Показано, что значение d при энергиях ионов E0=1 и 2 кэВ составляет ~(100-120) и ~(150-160) Angstrem соответственно. При этом плотность состояний электронов валентной зоны Si (111) существенно изменяется, уменьшается коэффициент пропускания света до K= 55-60%, а значение Eg увеличивается на ~10%. При бомбардировке ионами Ni+ разупорядочение поверхности сопровождается резким изменением состава поверхностных слоев и вследствие этого K уменьшается до 5-10%. После прогрева при T=900 K формируются нанокристаллы (при дозах D≤1015 см-2) и нанопленки NiSi2 (D=6·1016 см-2). Ключевые слова: ионная бомбардировка Si, электронные свойства, оптические свойства, тонкие слои, отжиг.
- S. Schuppler, S.L. Friedman, M.A. Marcus, D.L. Adler, Y.-H. Xie, F.M. Ross, T.D. Harris, W.L. Brown, Y.J. Chabal, L.E. Brus, P.H. Citrin. Phys. Rev. Lett., 72, 2648 (1994)
- S. Horiguchi, M. Nagase, K. Shiraishi, H. Kageshima, Y. Takahashi, K. Murase. Jpn. J. Appl. Phys., 40, L29 (2001). https://doi.org/10.1143/JJAP.40.L29
- S.H. Tolbert, A.B. Herhold, L.E. Brus, A.P. Alivisatos. Phys. Rev. Lett., 76, 4384 (1996)
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
- K. Masuko, M. Shigematsu, T. Hashiguchi, D. Fujishima, M. Kai, N. Yoshimura, T. Yamaguchi, Y. Ichihashi, T. Mishima, N. Matsubara, T. Yamanishi, T. Takahama, M. Taguchi, E. Maruyama, S. Okamoto. IEEE J. Photovoltaics, 4 (6), 1433 (2014)
- X. Li, S. He, S.S. Talukdar. Langmuir, 19, 8490 (2003)
- A. Puzder, A.J. Williamson, J.C. Grossman, G. Galli. Phys. Rev. Lett., 88 (9), 097401 (2002)
- М.С. Браслер, О.В. Гусев, Е.И. Теруков, A. Froitzheim, W. Fuhs. ФТТ, 46, 18 (2004)
- C. Buerhop, S. Wirsching, S. Gehre, T. Pickel, T. Winkler, A. Bemm, J. Mergheim, C. Camus, J. Hauch, C.J. Brabec. Proc. 2017 IEEE 44th Photovoltaic Spec. Conf., p. 3500
- P. Procel, G. Yang, O. Isabella, M. Zeman. Solar Energy Mater. Solar Cells, 186, 66 (2018)
- И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, И.А. Андрющенко. ФТП, 40 (3), 319 (2006)
- M.W. Ullah, A. Kuronen, K. Nordlund, F. Djurabekova, P.A. Karaseov, K.V. Karabeshkin, A.I. Titov. J. Appl. Phys., 114, 183511 (2013)
- B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, E.U. Boltaev, A.A. Dzhurakhalov. Mater. Sci. Eng. B, 101, 124 (2003)
- S.B. Donaev, F. Djurabekova, D.A. Tashmukhamedova, B.E. Umirzakov. Phys. Status Solidi C, 12 (1--2), 89 (2015). DOI 10.1002/pssc.201400156
- B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, M.K. Ruzibaeva, F.G. Djurabekova, S.B. Danaev. NIMB, 326, 322 (2014)
- Б.Е. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова, Г.Х. Аллаярова, Ж.Ш. Содикжанов. Письма ЖТФ, 45 (7), 49 (2019). [Techn. Phys. Lett., 45 (4), 356 (2019)]
- П.Г. Петросян, Л.Н. Григорян. ЖТФ, 87 (3), 443 (2017)
- Д.М. Седракян, П.Г. Петросян, Л.Н. Григорян. ЖТФ, 85 (5), 94 (2015)
- И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия (М., Наука, 1969) с. 170-175, 244-246
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
