Вышедшие номера
Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)
Переводная версия: 10.1134/S1063782620110263
Умирзаков Б.Е.1, Ташмухамедова Д.А.1, Ташатов А.К.2, Мустафоева Н.М.2, Муродкабилов Д.М.1
1Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан
2Каршинский государственный университет, Карши, Узбекистан
Email: ftmet@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 мая 2019 г.
В окончательной редакции: 13 июля 2020 г.
Принята к печати: 20 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2020 г.

Впервые изучены степень разупорядочения, толщина разупорядоченных слоев d и их влияние на ширину запрещенной зоны Eg монокристаллического Si (111) при бомбардировке ионами Ar+. Показано, что значение d при энергиях ионов E0=1 и 2 кэВ составляет ~(100-120) и ~(150-160) Angstrem соответственно. При этом плотность состояний электронов валентной зоны Si (111) существенно изменяется, уменьшается коэффициент пропускания света до K= 55-60%, а значение Eg увеличивается на ~10%. При бомбардировке ионами Ni+ разупорядочение поверхности сопровождается резким изменением состава поверхностных слоев и вследствие этого K уменьшается до 5-10%. После прогрева при T=900 K формируются нанокристаллы (при дозах D≤1015 см-2) и нанопленки NiSi2 (D=6·1016 см-2). Ключевые слова: ионная бомбардировка Si, электронные свойства, оптические свойства, тонкие слои, отжиг.