Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции

DOI: 10.21883/FTP.2020.11.50087.9479

Переводная версия: 10.1134/S1063782620110093

Галиев Г.Б.¹, Климов Е.А.¹, Пушкарев С.С.¹, Зайцев А.А.², Клочков А.Н.³

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics of RAS, Moscow, Russia

Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics of RAS, Moscow, Russia

²Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

³Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

Email: s_s_e_r_p@mail.ru

Поступила в редакцию: 6 июля 2020 г.

В окончательной редакции: 13 июля 2020 г.

Принята к печати: 13 июля 2020 г.

Выставление онлайн: 7 августа 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследований морфологии поверхности, электрофизических характеристик и фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных плeнок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (110) и легированных кремнием. Серия исследуемых образцов была выращена при температуре 580^oС при отношении парциальных давлений мышьяка и галлия в диапазоне от 14 до 80. С помощью анализа спектров фотолюминесценции выращенных образцов интерпретировано поведение атомов кремния в GaAs с учeтом занятия ими узлов Ga или As (т. е. возникновение точечных дефектов Si_Ga и Si_As), а также образования вакансий мышьяка и галлия V_As и V_Ga. При анализе спектры фотолюминесценции образцов на (110)-ориентированных подложках сравнивались со спектрами фотолюминесценции аналогичных образцов на (100)- и (111)A-ориентированных подложках. Ключевые слова: cпектроскопия фотолюминесценции, молекулярно-лучевая эпитаксия, GaAs, ориентация подложки (110), ориентация подложки (111)А, атомно-силовая микроскопия.

D.M. Holmes, E.S. Tok, J.L. Sudijono, T.S. Jones, B.A. Joyce. J. Cryst. Growth, 192, 33 (1998)
C.D. Yerino, B. Liang, D.L. Huffaker, P.J. Simmonds, M.L. Lee. J. Vac. Sci. Technol. B, 35, 010801 (2017)
E. Cruz-Hernandez, D. Vazquez-Cortes, S. Shimomura, V.H. Mendez-Garcia, M. Lopez-Lopez. Phys. Status Solidi С, 8 (2), 282 (2011)
Victor-Hugo Mendez-Garcia, S. Shimomura, A.Yu. Gorbatchev, E. Cruz-Hernandez, D. Vazquez-Cortes. J. Cryst. Growth, 425, 85 (2015)
D. Sun, E. Towe. Jpn. J. Appl. Phys., 33 (pt 1, No. 1B), 702 (1994)
P.O. Vaccaro, K. Tominaga, M. Hosoda, K. Fujita, T. Watanabe. Jpn. J. Appl. Phys., 34 (pt 1, No. 2B), 1362 (1995)
M. Ilg, K.H. Ploog, A. Trampert. Phys. Rev. B, 50, 17111 (1994)
T. Ohachi, J.M. Feng, K. Asai, M. Uwani, M. Tateuchi, P.O. Vaccaro, K. Fujita. Microelectronics J., 30, 471 (1999)
F. Fischer, D. Schuh, M. Bichler, G. Abstreiter, M. Grayson, K. Neumaier. Appl. Phys. Lett., 86, 192106 (2005)
T.C. Zhou, X.C. Zhou, W.P. Kirk. J. Appl. Phys., 81 (11), 7372 (1997)
E.S. Tok, J.H. Neave, M.J. Ashwin, B.A. Joyce, T.S. Jones. J. Appl. Phys., 83, 4160 (1998)
D. Sun, E. Towe. J. Cryst. Growth, 132, 166 (1993)
Y. Takano, M. Lopez, T. Torihata, T. Ikei, Y. Kanaya, K. Pak, H. Yonezu. J. Cryst. Growth, 111, 216 (1991)
B. Lee, S.S. Bose, M.H. Kim, A.D. Reed, G.E. Stillman, W.I. Wang, L. Vina, P.C. Colter. J. Cryst. Growth, 96, 27 (1989)
F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7, 1504 (1992)
D. Johnston, L. Pavesi, M. Henini. Microelectronics J., 26, 759 (1995)
G. Galiev, V. Kaminskii, D. Milovzorov, I. Velihovskii, V. Mokerov. Semicond. Sci. Technol., 17, 120 (2002)
L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Appl. Phys. Lett., 66, 2846 (1995)
A. Miyagawa, T. Yamamoto, Y. Ohnishi, J.T. Nelson, T. Ohachi. J. Cryst. Growth, 237- 239, 1434 (2002)
Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, С.С. Пушкарев, П.П. Мальцев. ФТП, 52 (3), 395 (2018)
W.I. Wang. J. Vac. Sci. Techn. B, 1, 630 (1983). doi: 10.1116/1.582567

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель