"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инжекционный фотодиод на основе гетероструктуры n-CdS/p-CdTe
Мирсагатов Ш.А.1, Кабулов Р.Р.1, Махмудов М.А.1
1Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение "Физика
Поступила в редакцию: 1 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

Показана возможность создания инжекционных фотодиодов с перестраиваемым спектром фоточувствительности в спектральном диапазоне 500-800 nm на основе n-CdS/p-CdTe-гетероструктуры. Установлено, что такая структура в коротковолновой области спектра, lambda=500 нм, имеет самую высокую спектральную чувствительность Slambda~ 3 А/Вт в прямом направлении при напряжении смещения V = + 120 мВ и Slambda~ 2 А/Вт в обратном направлении при напряжении смещения V = - 120 мВ. Интегральная чувствительность прибора Sint = 2400 А/люмен при освещении белым светом E = 4·10-2 лк, напряжении смещения V = + 4.6 В и температуре T = 293 K. При освещении же монохроматическим светом от лазера ЛГ-75 длиной волны lambda = 625 nm Sint = - 1400 А/Вт (мощность освещения P = 18·10-6 Вт/см2, напряжение смещения V = + 4.6 В и температура T = 293 K). Высокие значения Slambda и Sint обеспечивают высокую эффективность превращения световой энергии в электрическую при малых уровнях освещенности (P< 18·10-6 Вт/см2).
  1. K. Durose, P.R. Edwards, D.P. Holiday. J. Cryst. Growth, 197, 733 (1999)
  2. X. Wu, J.C. Keane, R.G. Dhere, C. Dehert, D.S. Albin, A. Dude, T.A. Gessert, S. Asher, D.H. Levi, P. Sheldon. Proc. 17th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conference (Munich, Germany, 2001) v. 2, p. 995
  3. N. Romeo, A. Bosio, R. Tedeschi, V. Canevari. Thin Sol. Films, 361, 327 (2000)
  4. D.L. Baetzner, A. Romeo, H. Zogg. Thin Sol. Films, 387, 151 (2001)
  5. A. Zappettini, F. Bissoli, E. Gombia, A. Bosio, N. Romeo. Nuclear Science Symposium Conference Record (IEEE, 2004) v. 7, p. 4518
  6. M.K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kaydanov, R.T. Collins. J. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3503 (1999)
  7. Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорг. матер., 41, 915 (2005)
  8. С.А. Музаффарова, Ш.А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов. ФТТ, 49 (6), 1111 (2007)
  9. Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман, Б.У. Айтбаев, М.А. Махмудов. ФТТ, 51 (10), 1917 (2009)
  10. Ш.А. Мирсагатов, А.А. Мавлонов, Б.У. Айтбаев. Матер. II Междунар. конф. (Фергана, 8-9 сентября 2011)
  11. В.И. Стафеев. Инжекционные диоды (М., ФГУП НПО "Орион", 2008) с. 103
  12. И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, В.И. Стафеев. ФТП, 42 (1), 113 (2008)
  13. Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман, Б.У. Айтбаев, М.А. Махмудов. ФТТ, 51 (10), 1917 (2009)
  14. Х.Х. Исмаилов, А.М. Абдугафуров, Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман. ФТТ, 50, 11 (2008)
  15. А.Ю. Лейдерман, М. Минбаева. ФТП, 30, 1729 (1996)
  16. А. Амброзяк. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов (М., 1970)
  17. Ш.А. Мирсагатов, А.К. Утениязов, А.С. Ачилов. ФТТ, 54 (9), 1643 (2012)
  18. Э. Фриш. Оптические методы измерения (Л., Изд-во ЛГУ, 1976) ч. 1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.