Инжекционный фотодиод на основе гетероструктуры n-CdS/p-CdTe
Мирсагатов Ш.А.1, Кабулов Р.Р.1, Махмудов М.А.1
1Физико-технический Институт, Научно-производственное объединение "Физика
Поступила в редакцию: 1 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.
Показана возможность создания инжекционных фотодиодов с перестраиваемым спектром фоточувствительности в спектральном диапазоне 500-800 nm на основе n-CdS/p-CdTe-гетероструктуры. Установлено, что такая структура в коротковолновой области спектра, lambda=500 нм, имеет самую высокую спектральную чувствительность Slambda~ 3 А/Вт в прямом направлении при напряжении смещения V = + 120 мВ и Slambda~ 2 А/Вт в обратном направлении при напряжении смещения V = - 120 мВ. Интегральная чувствительность прибора Sint = 2400 А/люмен при освещении белым светом E = 4·10-2 лк, напряжении смещения V = + 4.6 В и температуре T = 293 K. При освещении же монохроматическим светом от лазера ЛГ-75 длиной волны lambda = 625 nm Sint = - 1400 А/Вт (мощность освещения P = 18·10-6 Вт/см2, напряжение смещения V = + 4.6 В и температура T = 293 K). Высокие значения Slambda и Sint обеспечивают высокую эффективность превращения световой энергии в электрическую при малых уровнях освещенности (P< 18·10-6 Вт/см2).
- K. Durose, P.R. Edwards, D.P. Holiday. J. Cryst. Growth, 197, 733 (1999)
- X. Wu, J.C. Keane, R.G. Dhere, C. Dehert, D.S. Albin, A. Dude, T.A. Gessert, S. Asher, D.H. Levi, P. Sheldon. Proc. 17th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conference (Munich, Germany, 2001) v. 2, p. 995
- N. Romeo, A. Bosio, R. Tedeschi, V. Canevari. Thin Sol. Films, 361, 327 (2000)
- D.L. Baetzner, A. Romeo, H. Zogg. Thin Sol. Films, 387, 151 (2001)
- A. Zappettini, F. Bissoli, E. Gombia, A. Bosio, N. Romeo. Nuclear Science Symposium Conference Record (IEEE, 2004) v. 7, p. 4518
- M.K. Herndon, A. Gupta, V.I. Kaydanov, R.T. Collins. J. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3503 (1999)
- Ж. Жанабергенов, Ш.А. Мирсагатов, С.Ж. Каражанов. Неорг. матер., 41, 915 (2005)
- С.А. Музаффарова, Ш.А. Мирсагатов, Ж. Жанабергенов. ФТТ, 49 (6), 1111 (2007)
- Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман, Б.У. Айтбаев, М.А. Махмудов. ФТТ, 51 (10), 1917 (2009)
- Ш.А. Мирсагатов, А.А. Мавлонов, Б.У. Айтбаев. Матер. II Междунар. конф. (Фергана, 8-9 сентября 2011)
- В.И. Стафеев. Инжекционные диоды (М., ФГУП НПО "Орион", 2008) с. 103
- И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, В.И. Стафеев. ФТП, 42 (1), 113 (2008)
- Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман, Б.У. Айтбаев, М.А. Махмудов. ФТТ, 51 (10), 1917 (2009)
- Х.Х. Исмаилов, А.М. Абдугафуров, Ш.А. Мирсагатов, А.Ю. Лейдерман. ФТТ, 50, 11 (2008)
- А.Ю. Лейдерман, М. Минбаева. ФТП, 30, 1729 (1996)
- А. Амброзяк. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов (М., 1970)
- Ш.А. Мирсагатов, А.К. Утениязов, А.С. Ачилов. ФТТ, 54 (9), 1643 (2012)
- Э. Фриш. Оптические методы измерения (Л., Изд-во ЛГУ, 1976) ч. 1.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук