С помощью методики время-разрешенного керровского вращения исследована спин-деполяризованная электронная система на факторе заполнения ν=1 в квантовой яме GaAs. При температурах выше 5 K обнаружен переход из нового спин-коррелированного состояния в состояние с низкой спиновой жесткостью, характерной для одночастичной электронной системы. Выделен нелинейный вклад в затухание ларморовских осцилляций, возникающий при низких температурах, когда спин-спиновые корреляции определяют основное состояние двумерной электронной системы. Сделаны оценки параметров флуктуирующего магнитного поля, действующего на отдельные электронные спины. Ключевые слова: холловский ферромагнетик, спиновая жесткость, керровское вращение, ларморовские осцилляции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.