"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~100 нм
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090274
Тарасова Е.А.1, Оболенский С.В.1, Хазанова C.В.1, Григорьева Н.Н.1, Голиков О.Л.1, Иванов А.Б.1, Пузанов А.С.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: tarasova@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

Выполнен анализ нелинейности сток-затворных вольт-амперных характеристик в классических транзисторах Шоттки и транзисторах с двумерным электронным газом на основе соединений AlGaAs/InGaAs/GaAs и InGaAs/GaAs. Проведен анализ влияния эффекта всплеска скорости носителей заряда в канале транзистора для различных профилей легирования исследуемых структур. Ключевые слова: транзисторы Шоттки и HEMT, сток-затворная ВАХ, эффект всплеска скорости носителей заряда.
  1. В.Г. Тихомиров, В.Е. Земляков, В.В. Волков, Я.М. Парнес, В.Н. Вьюгинов, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов. ФТП, 50 (2), 245 (2016)
  2. Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, О.Е. Галкин, А.В. Хананова, А.Б. Макаров. ФТП, 51 (11), 1543 (2017)
  3. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  4. Е. А. Тарасова, Д.С. Демидова, С.В. Оболенский и др. ФТП, 46 (12), 1587 (2012)
  5. R.E. Williams, D.W. Shaw. IEEE Trans. Electron Dev., ED-25, 600 (1978)
  6. Ю. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов (Вильнюс, Мокслас, 1989)
  7. K. Yokoyama, K. Hess. Phys. Rev. B, 33 (8), 5595 (1986)
  8. Электронный ресурс https://www.comsol.com/
  9. Электронный ресурс https://www.silvaco.com/
  10. Электронный ресурс https://www.synopsys.com/
  11. D. Vasileska, S.M. Goodnick, G. Klimeck. Computational electronics. Semiclassical and quantum device modeling and simulation (N.Y., CPC Press Taylor \& Francis Group)
  12. Р. Хокни, Дж. Иствуд. Численное моделирование методом частиц (М., Мир, 1987)
  13. Ю.В. Королев, И.А. Ющенко. В сб.: Диэлектрики и проводники (Киев, Высш. шк., 1978) вып. 14, с. 102
  14. Д. Калахан. Методы машинного расчета электронных схем (М., Мир, 1970)
  15. Ю.Р. Носов, К.О. Петросянц, В.А. Шилин. Математические модели элементов интегральной электроники (М., Сов. радио, 1976)
  16. С.В. Хазанова, В.Е. Дегтярев, С.В. Тихов, Н.В. Байдусь. ФТП, 49 (1), 53 (2015)
  17. С.В. Хазанова, В.Е. Дегтярев, Н.Н. Григорьева, О.Л. Голиков. Физические и физико-химические основы ионной имплантации (РИУ ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018) с. 33
  18. И.Ю. Забавичев, Е.С. Оболенская, А.А. Потехин, А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. ФТП, 51 (11), 1489 (2017)
  19. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.