"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090080
Дроздов Ю.Н.1, Краев С.А.1, Охапкин А.И.1, Данильцев В.М.1, Скороходов Е.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: drozdyu@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

Исследованы особенности формы поверхности эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на канавках шириной в несколько микрометров с вертикальными стенками и аспектным соотношением, близким к единице. Канавки формировались на поверхности пластины GaAs в установке плазмохимического травления, заращивались методом металлоорганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении в реакторе. Ключевые слова: плазмохимическое травление GaAs, узкие канавки, эпитаксия GaAs в канавках.
  1. L. Comerford, P. Zory. Appl. Phys. Lett., 25, 208 (1974)
  2. W. HaiLing, G. Xia, S. GuangDi. Sci. Сhina Ser. E, 50 (6), 749 (2007)
  3. http://www.galaxywafer.com/galaxy/products/categories-of-off-orientation/

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.