"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантование проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090250
Швецов Б.С.1,2, Миннеханов А.А.2, Несмелов А.А.2, Мартышов М.Н.1, Рыльков В.В.2,3, Демин В.А.2, Емельянов А.В.2,4
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
4Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Email: b.shvetsov15@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

Представлены результаты исследования при комнатных температурах эффекта квантования проводимости мемристивных структур на основе органического материала поли-п-ксилилена при резистивном переключении. Показаны методы измерения и проведен сравнительный анализ проявления эффекта при переключении структур в высокоомное и низкоомное состояния. Продемонстрирована возможность задания стабильных квантовых состояний проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена. Показано, что некоторые из этих состояний обладают кратковременной, а некоторые долговременной стабильностью. Полученные результаты открывают новые возможности использования эффекта квантования проводимости в реализации нейроморфных систем. Ключевые слова: мемристор, органическая электроника, поли-п-ксилилен, квантование проводимости.
  1. D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams. Nature, 453, 80 (2008)
  2. M. Wojtyniak, K. Balin, J. Szade, K. Szot. Crystals, 10 (1), 33 (2020)
  3. J.J. Yang, D.B. Strukov, D.R. Stewart. Nature Nanotechnol., 8, 13 (2013)
  4. Б.С. Швецов, А.В. Емельянов, А.А. Миннеханов, К.Э. Никируй, А.А. Несмелов, М.Н. Мартышов, В.В. Рыльков, В.А. Демин. Росс. нанотехнологии, 14 (1-2), 83 (2019)
  5. D. Ielmini. Semicond. Sci. Technol., 31, 063002 (2016)
  6. D. Ielmini, R. Waser (eds). From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications (Weinheim, Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co, 2016)
  7. A. Mehonic, A.L. Shluger, D. Gao, I. Valov, E. Miranda, D. Ielmini, A. Bricalli, E. Ambrosi, C. Li, J.J. Yang, Q. Xia, A.J. Kenyon. Adv. Mater., 30, 1801187 (2018)
  8. M. Lin, Q. Chen, Z. Wang, Y. Fang, J. Liu, Y. Yang, W. Wang, Y. Cai, R. Huang. Polymers, 9 (8), 310 (2017)
  9. W. Wang, M. Wang, E. Ambrosi, A. Bricalli, M. Laudato, Z. Sun, X. Chen, D. Ielmini. Nature Commun., 10, 81 (2019)
  10. E.R.W. van Doremaele, P. Gkoupidenis, Y.J. van de Burgt. Mater. Chem. C, 7, 12754 (2019)
  11. E.R.W. van Doremaele, P. Gkoupidenis, Y.J. van de Burgt. Mater. Chem. C, 7, 127540 (2019)
  12. J. Del Valle, J.G. Rami rez, M.J. Rozenberg, I.K. Schuller. J. Appl. Phys., 124, 211101 (2018)
  13. Y. Li, Z. Wang, R. Midya, Q. Xia, J.J. Yang. J. Phys. D: Appl. Phys., 51, 503002 (2018)
  14. Y. Cai, J. Tan, L. YeFan, M. Lin, R. Huang. Nanotechnology, 27 (27), 275206 (2016)
  15. Y. Van de Burgt, A. Melianas, S.T. Keene, G. Malliaras, A. Salleo. Nature Electronics, 394, 386 (2018)
  16. N.R. Hosseini, J.-S. Lee. Adv. Funct. Mater., 25, 5586 (2015)
  17. A.A. Minnekhanov, A.V. Emelyanov, D.A. Lapkin, K.E. Nikiruy, B.S. Shvetsov, A.A. Nesmelov, V.V. Rylkov, V.A. Demin, V.V. Erokhin. Sci. Rep., 9, 10800 (2019)
  18. Б.С. Швецов, А.Н. Мацукатова, А.А. Миннеханов, А.А. Несмелов, Б.В. Гончаров, Д.А. Лапкин, М.Н. Мартышов, П.А. Форш, В.В. Рыльков, В.А. Демин, А.В. Емельянов. Письма ЖТФ, 45 (21), 40 (2019)
  19. X. Zhu, W. Su, Y. Liu, B. Hu, L. Pan, W. Lu, J. Zhang, R.W. Li. Adv. Mater, 24, 3941 (2012)
  20. A. Mehonic, A. Vrajitoarea, S. Cueff, S. Hudziak, H. Howe, C. Labbe, R. Rizk, M. Pepper, A.J. Kenyon. Sci. Rep., 3, 2708 (2013)
  21. W. Yi, S.E. Savel'ev, G. Medeiros-Ribeiro, F. Miao, M.X. Zhang, J.J. Yang, A.M. Bratkovsky, R.S. Williams. Nature Commun., 7, 11142 (2016)
  22. K. Krishnan, M. Muruganathan, T. Tsuruoka, H. Mizuta, M. Aono. Adv. Funct. Mater, 27, 1605104 (2017)
  23. R. Landauer. IBM J. Res. Dev., 1, 223 (1957)
  24. W. Xue, S. Gao, J. Shang, X. Yi, G. Liu, R. Li. Adv. Electron. Mater., 2019, 1800854 (2019)
  25. К.Э. Никируй, А.В. Емельянов, В.А. Демин, В.В. Рыльков, А.В. Ситников, П.К. Кашкаров. Письма ЖТФ, 44 (10), 20 (2018)
  26. A.A. Minnekhanov, B.S. Shvetsov, M.M. Martyshov, K.E. Nikiruy, E.V. Kukueva, M.Yu. Presnyakov, P.A. Forsh, V.V. Rylkov, V.V. Erokhin, V.A. Demin, A.V. Emelyanov. Organic Electron., 74, 89 (2019)
  27. Y. Sun, D. Wen. J. Phys. Chem., 122, 10582 (2018)
  28. O. Goulko, F. Bauer, J. Heyder, J. von Delft. Phys. Rev. Lett., 113, 266402 (2014)
  29. R. Cuan, L. Diago-Cisneros. J. Appl. Phys., 110, 113705 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.