Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Квантование проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090250 
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
4Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
4Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Email: b.shvetsov15@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.
Представлены результаты исследования при комнатных температурах эффекта квантования проводимости мемристивных структур на основе органического материала поли-п-ксилилена при резистивном переключении. Показаны методы измерения и проведен сравнительный анализ проявления эффекта при переключении структур в высокоомное и низкоомное состояния. Продемонстрирована возможность задания стабильных квантовых состояний проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена. Показано, что некоторые из этих состояний обладают кратковременной, а некоторые долговременной стабильностью. Полученные результаты открывают новые возможности использования эффекта квантования проводимости в реализации нейроморфных систем. Ключевые слова: мемристор, органическая электроника, поли-п-ксилилен, квантование проводимости.
- D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams. Nature, 453, 80 (2008)
- M. Wojtyniak, K. Balin, J. Szade, K. Szot. Crystals, 10 (1), 33 (2020)
- J.J. Yang, D.B. Strukov, D.R. Stewart. Nature Nanotechnol., 8, 13 (2013)
- Б.С. Швецов, А.В. Емельянов, А.А. Миннеханов, К.Э. Никируй, А.А. Несмелов, М.Н. Мартышов, В.В. Рыльков, В.А. Демин. Росс. нанотехнологии, 14 (1-2), 83 (2019)
- D. Ielmini. Semicond. Sci. Technol., 31, 063002 (2016)
- D. Ielmini, R. Waser (eds). From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications (Weinheim, Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co, 2016)
- A. Mehonic, A.L. Shluger, D. Gao, I. Valov, E. Miranda, D. Ielmini, A. Bricalli, E. Ambrosi, C. Li, J.J. Yang, Q. Xia, A.J. Kenyon. Adv. Mater., 30, 1801187 (2018)
- M. Lin, Q. Chen, Z. Wang, Y. Fang, J. Liu, Y. Yang, W. Wang, Y. Cai, R. Huang. Polymers, 9 (8), 310 (2017)
- W. Wang, M. Wang, E. Ambrosi, A. Bricalli, M. Laudato, Z. Sun, X. Chen, D. Ielmini. Nature Commun., 10, 81 (2019)
- E.R.W. van Doremaele, P. Gkoupidenis, Y.J. van de Burgt. Mater. Chem. C, 7, 12754 (2019)
- E.R.W. van Doremaele, P. Gkoupidenis, Y.J. van de Burgt. Mater. Chem. C, 7, 127540 (2019)
- J. Del Valle, J.G. Rami rez, M.J. Rozenberg, I.K. Schuller. J. Appl. Phys., 124, 211101 (2018)
- Y. Li, Z. Wang, R. Midya, Q. Xia, J.J. Yang. J. Phys. D: Appl. Phys., 51, 503002 (2018)
- Y. Cai, J. Tan, L. YeFan, M. Lin, R. Huang. Nanotechnology, 27 (27), 275206 (2016)
- Y. Van de Burgt, A. Melianas, S.T. Keene, G. Malliaras, A. Salleo. Nature Electronics, 394, 386 (2018)
- N.R. Hosseini, J.-S. Lee. Adv. Funct. Mater., 25, 5586 (2015)
- A.A. Minnekhanov, A.V. Emelyanov, D.A. Lapkin, K.E. Nikiruy, B.S. Shvetsov, A.A. Nesmelov, V.V. Rylkov, V.A. Demin, V.V. Erokhin. Sci. Rep., 9, 10800 (2019)
- Б.С. Швецов, А.Н. Мацукатова, А.А. Миннеханов, А.А. Несмелов, Б.В. Гончаров, Д.А. Лапкин, М.Н. Мартышов, П.А. Форш, В.В. Рыльков, В.А. Демин, А.В. Емельянов. Письма ЖТФ, 45 (21), 40 (2019)
- X. Zhu, W. Su, Y. Liu, B. Hu, L. Pan, W. Lu, J. Zhang, R.W. Li. Adv. Mater, 24, 3941 (2012)
- A. Mehonic, A. Vrajitoarea, S. Cueff, S. Hudziak, H. Howe, C. Labbe, R. Rizk, M. Pepper, A.J. Kenyon. Sci. Rep., 3, 2708 (2013)
- W. Yi, S.E. Savel'ev, G. Medeiros-Ribeiro, F. Miao, M.X. Zhang, J.J. Yang, A.M. Bratkovsky, R.S. Williams. Nature Commun., 7, 11142 (2016)
- K. Krishnan, M. Muruganathan, T. Tsuruoka, H. Mizuta, M. Aono. Adv. Funct. Mater, 27, 1605104 (2017)
- R. Landauer. IBM J. Res. Dev., 1, 223 (1957)
- W. Xue, S. Gao, J. Shang, X. Yi, G. Liu, R. Li. Adv. Electron. Mater., 2019, 1800854 (2019)
- К.Э. Никируй, А.В. Емельянов, В.А. Демин, В.В. Рыльков, А.В. Ситников, П.К. Кашкаров. Письма ЖТФ, 44 (10), 20 (2018)
- A.A. Minnekhanov, B.S. Shvetsov, M.M. Martyshov, K.E. Nikiruy, E.V. Kukueva, M.Yu. Presnyakov, P.A. Forsh, V.V. Rylkov, V.V. Erokhin, V.A. Demin, A.V. Emelyanov. Organic Electron., 74, 89 (2019)
- Y. Sun, D. Wen. J. Phys. Chem., 122, 10582 (2018)
- O. Goulko, F. Bauer, J. Heyder, J. von Delft. Phys. Rev. Lett., 113, 266402 (2014)
- R. Cuan, L. Diago-Cisneros. J. Appl. Phys., 110, 113705 (2011).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
