Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49830.22

Переводная версия: 10.1134/S1063782620090249

Румянцев В.В.^1,2, Маремьянин К.В.^1,2, Разова А.А.^1,2, Сергеев С.М.¹, Михайлов Н.Н.³, Дворецкий С.А.³, Гавриленко В.И.^1,2, Морозов С.В.^1,2

¹Институт физики микроструктур РАН --- филиал Института прикладной физики РАН, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Institute of Applied Physic (Branch), Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Institute of Applied Physic (Branch), Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: rumyantsev@ipm.sci-nnov.ru

Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.

В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.

Принята к печати: 21 апреля 2020 г.

Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования фотоотклика в диапазоне частот 0.15-15 ТГц в эпитаксиальных слоях HgCdTe с концентрацией кадмия от 15.2 до 19.2%, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что узкозонные и бесщелевые твердые растворы HgCdTe могут быть использованы в качестве приемников как терагерцового, так и субтерагерцового излучения с характерным временем отклика 2-4 нс и величиной чувствительности, приближающейся к широко используемому в этом диапазоне приемнику на основе n-InSb. Ключевые слова: терагерцовое излучение, HgCdTe, фотоэлектрические приемники, фотопроводимость.

S. Ruffenach, A. Kadykov, V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, F. Teppe. APL Materials, 5 (3), 035503 (2017)
B. Buttner, C.X. Liu, G. Tkachov, E.G. Novik, C. Brune, H. Buhmann, E.M. Hankiewicz, P. Recher, B. Trauzettel, S.C. Zhang, L.W. Molenkamp. Nature Physics, 7 (5), 418 (2011)
F. Teppe, M. Marcinkiewicz, S.S. Krishtopenko, S. Ruffenach, C. Consejo, A.M. Kadykov, W. Desrat, D. But, W. Knap, J. Ludwig, S. Moon, D. Smirnov, M. Orlita, Z. Jiang, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii. Nature Commun., 7, 12576 (2016)
M. Orlita, D.M. Basko, M.S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, P. Neugebauer, C. Faugeras, A.L. Barra, G. Martinez, M. Potemski. Nature Physics, 10 (3), 233 (2014)
D.B. But, M. Mittendorff, C. Consejo, F. Teppe, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, C. Faugeras, S. Winnerl, M. Helm, W. Knap, M. Potemski, M. Orlita. Nature Photonics, 13 (11), 783 (2019)
A. Rogalski. Rep. Prog. Phys., 68 (10), 2267 (2005)
A.V. Galeeva, A.I. Artamkin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. JETP Lett., 106 (3), 162 (2017)
M. Otteneder, D. Sacre, I. Yahniuk, G.V. Budkin, K. Diendorfer, D.A. Kozlov, I.A. Dmitriev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.V. Bel'kov, W. Knap, S.D. Ganichev. Phys. Status Solidi B, 257, 2000023 (2020)
C. Brune, C.X. Liu, E.G. Novik, E.M. Hankiewicz, H. Buhmann, Y.L. Chen, X.L. Qi, Z.X. Shen, S.C. Zhang, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. Lett., 106 (12), 126803 (2011)
S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Y. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39 (7), 918 (2010)
N.N. Mikhailov, R.N. Smirnov, S.A. Dvoretsky, Y.G. Sidorov, V.A. Shvets, E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnology, 3 (1), 120 (2006)
V.A. Shvets, N.N. Mikhailov, D.G. Ikusov, I.N. Uzhakov, S.A. Dvoretskii. Opt. Spectrosc., 127 (2), 340 (2019)
V.V. Rumyantsev, A.V. Ikonnikov, A.V. Antonov, S.V. Morozov, M.S. Zholudev, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. Semiconductors, 47 (11), 1438 (2013)
S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, L.V. Krasilnikova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 104 (7), 072102 (2014)
Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49 (4), 444 (2015)
Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря. ФТП, 49 (9), 1206 (2015)
S. Krishnamurthy, M.A. Berding, Z.G. Yu. J. Electron. Mater., 35 (6), 1369 (2006)
S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.A. Dubinov, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.E. Kudryavtsev, D.I. Kuritsin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 107 (4), 042105 (2015)
E.H. Putley. Semicond. Semimet., 12, 143 (1977)
A. Rogalski. Opto-Electron. Rev., 20 (3), 279 (2012)
E.O. Melezhik, J.V. Gumenjuk-Sichevska, F.F. Sizov. Nanoscale Res. Lett., 11 (1), 181 (2016)
F. Sizov, V. Petriakov, V. Zabudsky, D. Krasilnikov, M. Smoliy, S. Dvoretski. Appl. Phys. Lett., 101 (8), 082108 (2012)
B.A. Weber, S.M. Kulpa. Int. J. Infrared Milli., 3 (2), 235 (1982)
V.V. Rumyantsev, D.V. Kozlov, S.V. Morozov, M.A. Fadeev, A.M. Kadykov, F. Teppe, V.S. Varavin, M.V. Yakushev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Semicond. Sci. Technol., 32 (9), 095007 (2017)
D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys., 56 (6), 1601 (1984)
Ю.Б. Васильев, А.А. Усикова, Н.Д. Ильинская, П.В. Петров, Ю.Л. Иванов. ФТП, 42 (10), 1253 (2008)
В.В. Румянцев, С.В. Морозов, К.Е. Кудрявцев, В.И. Гавриленко, Д.В. Козлов. ФТП, 46 (11), 1414 (2012)
В.Я. Алешкин, С.В. Морозов, В.В. Румянцев, И.В. Тузов. ФТП, 49, 117 (2015)
P.A. Bushuykin, B.A. Andreev, V.Y. Davydov, D.N. Lobanov, D.I. Kuritsyn, A.N. Yablonskiy, N.S. Averkiev, G.M. Savchenko, Z.F. Krasilnik. J. Appl. Phys., 123 (19), 195701 (2018)
V.V. Rumyantsev, K.V. Maremyanin, A.P. Fokin, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, M.Y. Glyavin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko. Semiconductors, 53 (9), 1217 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель