XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г. Влияние граничных условий на высокочастотную электропроводность тонкого проводящего слоя в продольном магнитном поле
Кузнецова И.А.
1, Савенко О.В.
1, Кузнецов П.А.
11Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
Email: kuz@uniyar.ac.ru, o.savenko@uniyar.ac.ru, pavel.a.kuznetsov@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.
В рамках кинетического подхода решена задача о высокочастотной электропроводности тонкого проводящего слоя в продольном магнитном поле с учетом диффузно-зеркальных граничных условий. Коэффициенты зеркальности поверхностей слоя предполагаются различными. Получено аналитическое выражение для безразмерной интегральной проводимости как функции безразмерных параметров: толщины слоя, частоты электрического поля, индукции магнитного поля, химического потенциала и коэффициентов зеркальности поверхностей. Рассмотрены предельные случаи вырожденного и невырожденного электронного газа. Проведен сравнительный анализ теоретических расчетов с экспериментальными данными. Проиллюстрирован метод определения коэффициентов зеркальности и длины свободного пробега носителей заряда по продольному магнетосопротивлению тонкой металлической пленки. Ключевые слова: кинетическое уравнение, функция распределения, коэффициент зеркальности, тонкий слой, электропроводность.
- А.Л. Чиж, К.Б. Микитчук, К.С. Журавлев, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Н.А. Валишева, М.С. Аксенов, A.M. Гилинский, И.Б. Чистохин. Письма ЖТФ, 45 (14), 52 (2019)
- В.С. Варавин, В.В. Васильев, А.А. Гузев, С.А. Дворецкий, А.П. Ковчавцев, Д.В. Марин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров, А.В. Царенко, М.В. Якушев. ФТП, 50 (12), 1652 (2016)
- L. Wang, M. Yin, A. Khan, S. Muhtadi, F. Asif, E.S. Choi, T. Datta. Phys. Rev. Appl., 9, 024006 (2018)
- M.A. Abeed, J.L. Drobitch, S. Bandyopadhyay. Phys. Rev. Appl., 11, 054069 (2019)
- A. Kowsar, S.F.U. Farhad, S.N. Sakib. IJRER, 8 (4), 2218 (2018)
- B. Godefroid, G. Kozyreff. Phys. Rev. Appl., 8 (3), 034024 (2017)
- S. Bhattacharya, I. Baydoun, M. Lin, S. John. Phys. Rev. Appl., 11 (1), 014005 (2019)
- В.С. Калиновский, Е.В. Контрош, А.В. Андреева, В.М. Андреев, В.В. Малютина-Бронская, В.Б. Залесский, А.М. Лемешевская, В.И. Кузоро, В.И. Халиманович, М.К. Зайцева. Письма ЖТФ, 45 (16), 52 (2019)
- А.Б. Никольская, М.Ф. Вильданова, С.С. Козлов, О.И. Шевалеевский. ФТП, 52 (1), 93 (2018)
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
- И.М. Лифшиц, М.Я. Азбель, М.И. Каганов. Электронная теория металлов (М., Наука, 1971)
- K. Fuchs. Proc. Camb. Phil. Soc., 34, 100 (1938)
- E.H. Sondheimer. Adv. Phys., 50 (6), 499 (2001)
- Y.S. Way, Y.H. Kao. Phys. Rev. B, 5 (6), 2039 (1972)
- L. Moraga, C. Arenas, R. Henriquez, S. Bravo, B. Solis. Physica B: Condens. Matter, 499, 17 (2016)
- R. Henriquez, S. Oyarzun, M. Flores, M.A. Suarez, L. Moraga, G. Kremer, C.A. Gonzalez-Fuentes, M. Robles, R.C. Munoz. J. Appl. Phys., 108, 123704 (2010)
- R.C. Munoz, M.A. Suarez, S. Oyarzun. Phys. Rev. B, 81, 165408 (2010)
- S. Oyarzun, R. Henri quez, M.A. Suarez, L. Moraga, G. Kremer, R.C. Munoz. Appl. Surf. Sci., 289, 167 (2014)
- А.И. Уткин, Э.В. Завитаев, А.А. Юшканов. Поверхность, 9, 85 (2016)
- А.И. Уткин, А.А. Юшканов. ЖТФ, 86 (10), 15 (2016)
- И.А. Кузнецова, О.В. Савенко, А.А. Юшканов. ЖТФ, 87 (12), 1769 (2017)
- И.А. Кузнецова, Д.Н. Романов, О.В. Савенко, А.А. Юшканов. Микроэлектроника, 46 (4), 275 (2017)
- И.А. Кузнецова, Д.Н. Романов, А.А. Юшканов. Микроэлектроника, 47 (3), 226 (2018)
- Э.В. Завитаев, К.Е. Харитонов, А.А. Юшканов. ЖТФ, 89 (5), 643 (2019)
- I.A. Kuznetsova, D.N. Romanov, A.A. Yushkanov. Physica Scripta, 94, 115805 (2019)
- Э.В. Завитаев, А.А. Юшканов. ЖЭТФ, 130 (5), 887 (2006)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика (М., Физматлит, 2005) т. 8
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
