"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние имплантации ионов Al+ на состав, электронную и кристаллическую структуру поверхности GaP(111)
Переводная версия: 10.1134/S1063782620080072
Донаев С.Б. 1, Умирзаков Б.Е. 1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: sardor.donaev@gmail.com, be.umirzakov@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 31 марта 2020 г.
Принята к печати: 31 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.

Методом имплантации ионов Al+ c E0= кэВ разными дозами на поверхности монокристалла GaP(111) получены нанокристаллические фазы и пленки GaAlP, изучены их электронная и кристаллическая структура. Показано, что тип и параметры решетки трехкомпонентной наноструктуры хорошо совпадают с таковыми для подложки. Изучена взаимосвязь между шириной запрещенной зоны Eg и размерами нанокристаллических фаз. Установлено, что в случае поверхностных размеров фаз d меньше чем 35-40 нм (толщина 3.5-4 нм), в нанокристаллических фазах Ga0.6Al0.4P проявляются квантово-размерные эффекты. Ключевые слова: поверхность, монокристалл, ионная имплантация, нанокристаллическая фаза, ширина запрещенной зоны, квантово-размерный эффект.
  1. Т.Н. Заварицкая, А.В. Квит, Н.Н. Мельник, В.А. Караванский. ФТП, 32 (2), 235 (1998)
  2. В.Ф. Агекян, В.И. Иванов-Омский, В.Н. Князевский, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 32 (10), 1203 (1998)
  3. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, T. Prutskij. ФТП, 47 (1), 3 (2013)
  4. Su-Huai Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 49, 14337 (1994)
  5. О.И. Румянцев, П.Н. Брунков, Е.В. Пирогов, А.Ю. Егоров. ФТП, 44 (7), 923 (2010)
  6. P.R.C. Kent, A. Zunger. Phys. Rev. B, 64, 115208 (2001)
  7. М.А. Путято, Н.А. Валишева, М.О. Петрушков, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, А.В. Васев, А.Ф. Скочков, Г.И. Юрко, И.И. Нестеренко. ЖТФ, 89 (7), 1071 (2019)
  8. M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop, D.H. Levi, A.W.Y. Ho-Baillie. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 25 (1), 3 (2016)
  9. А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов. Журнал нано- и электронной физики, 7 (1), 01021(4сс) (2015)
  10. B.E. Umirzakov, T.S. Pugacheva, A.T. Tashatov, D.A. Tashmukhamedova. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms, 166- 167, 572 (2000). https://doi.org/10.1016/S0168-583X(99)01151-9
  11. З.А. Исаханов, З.Э. Мухтаров, Б.Е. Умирзаков, М.К. Рузибаева. ЖТФ, 81 (4), 117 (2011)
  12. S.B. Donaev, F. Djurabekova, D.A. Tashmukhamedova, B.E. Umirzakov. Phys. Status Solidi С, 12 (1-2), 89 (2015)
  13. Б.Е. Умирзаков, М.Т. Нормурадов, Д.А. Ташмухамедова, А.К. Ташатов. Наноматериалы и перспективы их применения (Ташкент, MERIYUS, 2008). 256 с
  14. Х.Х. Болтаев, Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 4, 24 (2014)
  15. С.Б. Донаев, Б.Е. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова. ЖТФ, 85 (10), 148 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.