Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
Переводная версия: 10.1134/S1063782620080230 
Russian Foundation for Basic Research, 19-42-540002-р_а
The Government of the Novosibirsk Region, p-76
Russian Foundation for Basic Research, 16-29-14031-ofi
Russian Foundation for Basic Research, 18-29-20016-mk
Government assignment , № 0035-2019-0020
Сenter “VTAN” (Novosibirsk State University) and resource center «Nanostructures» (ISP SB RAS)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
Email: smagina@isp.nsc.ru, anov@ipm.sci-nnov.ru, mst@ipm.sci-nnov.ru, zinoviev19@mail.ru, rodyakina@isp.nsc.ru, nenashev@isp.nsc.ru, sj@ipmras.ru, starosta177occ@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 18 марта 2020 г.
Принята к печати: 18 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.
Проведены исследования люминесцентных свойств массивов пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся наноостровков Ge(Si), в том числе встроенных в двумерные фотонные кристаллы. Показано, что встраивание массива упорядоченных одиночных и групп Ge(Si) островков в фотонные кристаллы приводит к увеличению интенсивности их сигнала фотолюминесценции при температуре жидкого азота. При этом наибольший рост интенсивности (до ~30 раз) наблюдается для упорядоченного массива одиночных Ge(Si) островков. Рост интенсивности связывается с взаимодействием излучения островков с радиационными модами фотонного кристалла, которое более эффективно осуществляется для массива одиночных островков. В результате сигнал люминесценции от одиночных упорядоченных островков Ge(Si), встроенных в фотонные кристаллы, наблюдается вплоть до комнатной температуры. Ключевые слова: SiGe-гетероструктуры, квантовые точки, пространственное упорядочение, люминесценция, фотонный кристалл.
- K.J. Vahala. Nature, 424, 839 (2003)
- K. Hirose, Y. Liang, Y. Kurosaka, A. Watanabe, T. Sugiyama, S. Noda. Nature Photonics, 8, 406 (2014)
- I. Staude, J. Schilling Nature Photonics, 11, 274 (2017)
- S. Bidault, M. Mivelle, N. Bonod. J. Appl. Phys., 126, 094104 (2019)
- A. Vaskin, R. Kolkowski, A.F. Koenderink, I. Staude. Nanophotonics, 8, 1151 (2019)
- D.G. Baranov, D.A. Zuev, S.I. Lepeshov, O.V. Kotov, A.E. Krasnok, A.B. Evlyukhin, B.N. Chichkov. Optica, 4, 814 (2017)
- M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, P. Rauter, M. Brehm, L. Spindlberger, A. Simbula, M. Galli, T. Fromherz, F. Schaffler. ACS Photonics, 4, 665 (2017)
- J.P. Leitao, N.M. Santos, N.A. Sobolev, M.R. Correia, N.P. Stepina, M.C. Carmo, S. Magalhaes, E. Alves, A.V. Novikov, M.V. Shaleev, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Mater. Sci. Engin. B, 147, 191 (2008)
- D.N. Lobanov, A.V. Novikov, K.E. Kudryavtsev, M.V. Shaleev, D.V. Shengurov, Z.F. Krasilnik, N.D. Zakharov, P. Werner. Semiconductors, 46, 1418 (2012)
- V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele, J.W. Tomm, T. Elsaesser. Nanoscale Res. Lett., 1, 137 (2006)
- Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.N. Lobanov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, S.V. Obolenskiy, N.D. Zakharov, P. Werner. Semicond. Sci. Technol., 26, 014029 (2011)
- M. Brehm, M. Grydlik. Nanotechnology, 28, 392001 (2017)
- A.N. Yablonskiy, N.A. Baidakova, A.V. Novikov, D.N. Lobanov. Semiconductors, 47, 1496 (2013)
- M. Grydlik, G. Langer, T. Fromherz, F. Schaffler M. Brehm. Nanotechnology, 24, 105601 (2013)
- Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, Г.К. Кривякин, Е.Е. Родякина, П.А. Кучинская, Б.И. Фомин, А.Н. Яблонский, М.В. Степихова, А.В. Новиков, А.В. Двуреченский. ФТП, 52, 1028 (2018)
- Y. Shiraki, X. Xu, J. Xia, T. Tsuboi, T. Maruizumi. ECS Transactions, 45, 235 (2012)
- M.V. Stepikhova, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, M.V. Shaleev, D.E. Utkin, V.V. Rutckaia, E.V. Skorokhodov, S.M. Sergeev, D.V. Yurasov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 34, 024003 (2019)
- Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, Е.Е. Родякина, Б.И. Фомин, М.В. Степихова, А.Н. Яблонский, С.А. Гусев, А.В. Новиков, А.В. Двуреченский. ФТП, 53, 1366 (2019)
- V. Rutckaia, F. Heyroth, A. Novikov, M. Shaleev, M. Petrov, J. Schilling. Nano Lett., 17, 6886 (2017)
- N. Hauke, S. Lichtmannecker, T. Zabel, F.P. Laussy, A. Laucht, M. Kaniber, D. Bougeard, G. Abstreiter, J.J. Finley, Y. Arakawa. Phys. Rev. B, 84, 085320 (2011)
- Y. Zhang, Ch. Zeng, D. Li, Z. Huang, K. Li, J. Yu, J. Li, X. Xu, T. Maruizumi, J. Xia. IEEE Photonics J., 5, 4500607 (2013)
- R. Jannesari, M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, K. Hingerl, T. Fromherz, F. Schaffler. Opt. Express, 22, 25426 (2014)
- Zh.V. Smagina, V.A. Zinovyev, S.A. Rudin, P.L. Novikov, E.E. Rodyakina, A.V.Dvurechenskii. J. Appl. Phys., 123, 165302 (2018)
- G. Vastola, M. Grydlik, M. Brehm, T. Fromherz, G. Bauer, F. Boioli, L. Miglio, F. Montalenti. Phys. Rev. B, 84, 155415 (2011)
- C. Dais, G. Mussler, H. Sigg, T. Fromherz, V. Auzelyte, H.H. Solak, D. Grutzmacher. Europhys. Lett., 84, 67017 (2008)
- С.А. Рудин, Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, П.Л. Новиков, А.В. Ненашев, Е.Е. Родякина, А.В. Двуреченский. ФТП, 52, 1346 (2018)
- D.E. Jesson, G. Chen, K.M. Chen, S.J. Pennycook. Phys. Rev. Lett., 80, 5156 (1998)
- A.V. Novikov, B.A. Andreev, N.V. Vostokov, Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasil'nik, D.N. Lobanov, L.D. Moldavskaya, A.N. Yablonskiy, M. Miura, N. Usami, Y. Shiraki, M.Ya. Valakh, N. Mesters, J. Pascual. Mater. Sci. Engin. B, 89, 62 (2002)
- Z. Zhong, O.G. Schmidt, G. Bauer. Appl. Phys. Lett., 87, 133111 (2005)
- J. Wan, Y.H. Luo, Z.M. Jiang, G. Jin, J.L.Liu, K.L. Wang, X.Z. Liao, J. Zou. J. Appl. Phys., 90, 4290 (2001)
- N.V. Vostokov, Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasil'nik, D.N. Lobanov, A.V. Novikov, A.N. Yablonskii. JETP Lett., 76, 365 (2002)
- O.G. Schmidt, U. Denker, S. Christiansen, F. Ernst. Appl. Phys. Lett., 81, 2614 (2002)
- M. Brehm, M. Grydlik, T. Tayagaki, G. Langer, F. Schaffler, O.G. Schmidt. Nanotechnology, 26, 225202 (2015)
- D. Leykam, S. Flach. APL Photonics, 3, 070901 (2018)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
