Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Релаксация темнового тока в монокристаллах MnGa₂Se₄

Тагиев O.В.^1,2, Асадуллаева С.Г.¹, Бахтиярлы И.Б.³, Тагиев К.О.³

¹Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

²Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан Baku Branch, Lomonosov Moscow State University, Baku, Azerbaijan

Baku Branch, Lomonosov Moscow State University, Baku, Azerbaijan

³Институт химии Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан

Поступила в редакцию: 16 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования изотермических токов, накопления заряда в сэндвич-структурах In-MnGa₂Se₄-In. Полученные данные проанализированы на основе теории изотермических токов и эстафетного механизма переноса заряда. Показано, что релаксация темнового тока в монокристаллах MnGa₂Se₄ связана с накоплением заряда на глубоких уровнях за счет инжекции из катода. Определены следующие параметры: емкость контакта C_k=2· 10^-13 Ф, толщина слоя сосредоточения заряда d_k=4· 10^-6 см, дрейфовая подвижность носителей тока mu₃=3· 10^-8 cм²/B·c в монокристаллах MnGa₂Se₄.

А.Я. Вуль, А.Я. Шик. ФТП, 8 (10), 1952 (1974)
В.И. Архипов, Ю.А. Попов, А.И. Руденко. ФТП, 17 (10), 1817 (1989)
Б.Л. Тиман. ФТП, 7 (2), 225 (1973)
Б.Л. Тиман, А.П. Карпова. ФТП, 7 (2), 230 (1973)
Р.А. Сурис, Б.И. Фукс. ФТП, 14 (8), 1507 (1980)
J.G. Simmons, G.W. Taylor. Phys. Rev. B, 5 (4), 1619 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель