"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Релаксация темнового тока в монокристаллах MnGa2Se4
Тагиев O.В.1,2, Асадуллаева С.Г.1, Бахтиярлы И.Б.3, Тагиев К.О.3
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Баку, Азербайджан
3Институт химии Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 16 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

Представлены результаты исследования изотермических токов, накопления заряда в сэндвич-структурах In--MnGa2Se4-In. Полученные данные проанализированы на основе теории изотермических токов и эстафетного механизма переноса заряда. Показано, что релаксация темнового тока в монокристаллах MnGa2Se4 связана с накоплением заряда на глубоких уровнях за счет инжекции из катода. Определены следующие параметры: емкость контакта Ck=2· 10-13 Ф, толщина слоя сосредоточения заряда dk=4· 10-6 см, дрейфовая подвижность носителей тока mu3=3· 10-82/B·c в монокристаллах MnGa2Se4.
  1. А.Я. Вуль, А.Я. Шик. ФТП, 8 (10), 1952 (1974)
  2. В.И. Архипов, Ю.А. Попов, А.И. Руденко. ФТП, 17 (10), 1817 (1989)
  3. Б.Л. Тиман. ФТП, 7 (2), 225 (1973)
  4. Б.Л. Тиман, А.П. Карпова. ФТП, 7 (2), 230 (1973)
  5. Р.А. Сурис, Б.И. Фукс. ФТП, 14 (8), 1507 (1980)
  6. J.G. Simmons, G.W. Taylor. Phys. Rev. B, 5 (4), 1619 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.