"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
Переводная версия: 10.1134/S1063782620070088
Российский научный фонд, 19-79-10024
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-08-00108
Лунин Л.С. 1, Лунина М.Л. 1, Алфимова Д.Л. 1, Пащенко А.С. 1, Пащенко О.С. 1, Богатов Н.М. 2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 10 марта 2020 г.
Принята к печати: 10 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.

Обсуждается выращивание твердых растворов AlGaInSbAs на подложках InAs из жидкой фазы в поле температурного градиента. Проведен расчет параметров и исследованы люминесцентные свойства и спектральные характеристики твердых растворов AlGaInSbAs, изопериодных подложкам InAs. В рамках модели регулярных растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Al-Ga-In-Sb-As. Выявлены области термодинамической устойчивости к спинодальному распаду твердых растворов AlGaInSbAs и интервалы изопериодичности к подложке InAs. Ключевые слова: твердые растворы AlGaInSbAs, термодинамические и кристаллохимические параметры, фазовые равновесия, ширина запрещенной зоны, спектральная характеристика, спектр фотолюминесценции.
  1. P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 21 (2014)
  2. H.Z. Song, M. Hadi, Y. Zheng, B. Shen, L. Zhang, Z. Ren, R. Gao, Z.M. Wang. Nanoscale Res. Lett., 12 (1), 128 (2017)
  3. S.E. Gulebaglan, E.K. Dogan, M. Aycibin, M.N. Secuk, B. Erdinc, H. Akkus. Cent. Eur. J. Phys., 11, 1680 (2013)
  4. A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, D.V. Denisov, S.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, A.S. Kurochkin, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 50, 1186 (2016)
  5. D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina. Inorg. Mater., 50, 113 (2014)
  6. V.V. Kuznetsov, E.A. Kognovitskaya, M.L. Lunina, E.R. Rubtsov. Russ. J. Phys. Chem. A, 85, 2062 (2011)
  7. D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.E. Kazakova, A.S. Pаshchenko, S.N. Chebotarev. Inorg. Mater., 53, 1217 (2017)
  8. K. Shim. Phil. Mag., 94, 3088--3097 (2014)
  9. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов (М., Металлургия, 1987)
  10. В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений AIIIBV (СКНЦВШ Ростов н/Д., 2003)
  11. С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, A. Williamson, Л.С. Лунин, В.А. Ирха, В.А. Гамидов. Письма ЖТФ, 41, 13 (2015)
  12. М.Л. Лунина, Л.С. Лунин, В.В. Калинчук, А.Е. Казакова. ФТТ, 60, 888 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.