Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия

DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49504.9376

Переводная версия: 10.1134/S1063782620070040

Ministry of Education and Science of the Russian Federation, Basic Research Program of the ISP SB RAS, 0306-2019-0019

Ministry of Education and Science of the Russian Federation, asic Research Program of the PTI RAS, 0066-2019-0003

Кривякин Г.К.^1,2, Володин В.А.^1,2, Камаев Г.Н.¹, Попов А.А.³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Ярославский филиал Физико-технологического института Российской академии наук, Ярославль, Россия Institute of Physics and Technology, Yaroslavl Branch, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia

Institute of Physics and Technology, Yaroslavl Branch, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia

Email: volodin@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 20 февраля 2020 г.

В окончательной редакции: 28 февраля 2020 г.

Принята к печати: 28 февраля 2020 г.

Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы процессы кристаллизации пленок аморфного германия различной толщины и многослойных наноструктур германий/кремний, выращенных на стеклянных подложках методом плазмохимического осаждения, при изотермических отжигах 440^oC. Фазовый состав пленок определялся из анализа спектров комбинационного рассеяния света. Установлено, что пленка германия толщиной 200 нм практически полностью кристаллизуется уже после двухчасового отжига, при этом в пленке германия толщиной 6 нм только возникают кристаллические зародыши с объемной долей <1%. Четырехчасовой отжиг тонкой пленки приводит к заметному росту их размеров и доля кристалличности увеличивается до 40%. Отжиги наноразмерных слоев a-Ge (6 нм), внедренных в матрицу a-Si в тех же условиях продолжительностью 2 и 4 ч, не приводят даже к частичной кристаллизации, слои остаются аморфными. Обсуждается влияние гетерограниц на кристаллизацию слоев германия. Ключевые слова: германий, гетерограницы, кинетика кристаллизации.

О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
E.G. Barbagiovanni, D.J. Lockwood, P.J. Simpson, L.V. Goncharova. Appl. Phys. Rev., 1, 011302 (2014)
Z. Liu, T. Zhou, L. Li, Y. Zuo, C. He, C. Li, C. Xue, B. Cheng, Q. Wang. Appl. Phys. Lett., 103, 082101 (2013)
N.G. Galkin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, R. Fajgar, T.H. Stuchlikova, Z. Remes, J. Stuchlik. Phys. Status Solidi C, 10, 1712 (2013)
Г.К. Кривякин, В.А. Володин, С.А. Кочубей, Г.Н. Камаев, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchlikova, J. Stuchlik. ФТП, 50, 952 (2016)
Г.К. Кривякин, В.А. Володин, А.А. Шкляев, V. Mortet, J. More-Chevalier, P. Ashcheulov, Z. Remes, T.H. Stuchlikova, J. Stuchlik. ФТП, 51, 1420 (2017)
C. Li, J. Ni, X. Sun, X. Wang, Z. Li, H. Cai, J. Li, J. Zhang. J. Phys. D: Appl. Phys., 50, 045108 (2017)
В.А. Володин, Г.К. Кривякин, Г.Д. Ивлев, С.Л. Прокопьев, С.В. Гусакова, А.А. Попов. ФТП, 53, 423 (2019)
M. Wihl, M. Cardona, J. Tauc. J. Non-Cryst. Sol., 8-10, 172 (1972)
K.W. Jobson, J.-P.R. Wells, R.E.I. Schropp, D.A. Carder, P.J. Phillips, J.I. Dijkhuis. Phys. Rev. B, 73, 155202 (2006)
V.A. Volodin, D.I. Koshelev. J. Raman Spectroscopy, 44, 1760 (2013)
Y. Maeda. Phys. Rev. B, 59, 1658 (1995)
V.A. Volodin, D.V. Marin, V.A. Sachkov, E.B. Gorokhov, H. Rinnert, M. Vergnat. ЖЭТФ, 145, 77 (2014)
J.H. Parker, jr., D.W. Feldman, M. Ashkin. Phys. Rev., 155, 712 (1967)
D.M. Zhigunov, G.N. Kamaev, P.K. Kashkarov, V.A. Volodin. Appl. Phys. Lett., 113, 023101(1-4) (2018)
M. Zacharias, J. Blasing, P. Veit, L. Tsybeskov, K. Hirschman, P.M. Fauchet. Appl. Phys. Lett., 74, 2614 (1999)
M. Zacharias, J. Blasing, K. Hirschman, L. Tsybeskov, P.M. Fauchet. J. Non-Cryst. Sol., 266-269, 640 (2000)
M. Zacharias, P. Streitenberger. Phys. Rev. B, 62, 8391 (2000)
P. Germain, K. Zeliama, S. Squelard, J.C. Bourgoin, A. Gheorghiu. J. Appl. Phys., 50, 6986 (1979)
C. Spinella, S. Lombardo, F. Priolo. J. Appl. Phys., 84, 5383 (1998)
Zhang Fan, С.А. Кочубей, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, В.А. Володин. ФТП, 54, 251 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель