Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 6 » Статья стр. 533
<<<>>>
Электронные свойства пленок силицена, подвергнутых нейтронному легированию
DOI: 10.21883/FTP.2020.06.49392.9252
Переводная версия: 10.1134/S1063782620060068
Галашев А.Е., Воробьев А.С.
Email: galashev@ihte.uran.ru
Поступила в редакцию: 2 сентября 2019 г.
В окончательной редакции: 28 января 2020 г.
Принята к печати: 29 января 2020 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.
PDF версия
Радиационное легирование фосфором монокристаллического кремния сохраняет структуру образца, снижает внутренние напряжения, повышает время жизни неосновных носителей заряда. Настоящая работа посвящена исследованию влияния добавок фосфора на электронные свойства силицена. Квантово-механическим методом рассчитаны спектры плотности электронных состояний легированного фосфором однослойного и двухслойного силицена 2x2 на графитовой подложке. Присутствие углеродной подложки придает силицену проводниковые свойства вследствие p-p-гибридизации. Легирование фосфором может сохранить или изменить приобретенные силиценом металлические свойства. Местоположение легирующих атомов фосфора в силицене влияет на прохождение перехода полупроводник-проводник. Теоретическая удельная емкость легированного фосфором силиценового электрода снижается, и он становится менее эффективным для применения в литий-ионных батареях. Однако увеличение проводимости этого материала способствует его использованию в качестве солнечных элементов. Ключевые слова: графит, силицен, фосфор, электронные состояния.
  1. A.G. Aberle. Thin Sol. Films, 517 (17), 4706 (2009)
  2. A.V. Isakov, A.P. Apisarov, A.O. Khudorozhkova, M.V. Laptev, Yu.P. Zaikov. IOP Conf. Series: J. Physics: Conf. Series, 1134, 012021 (2018)
  3. S.I. Zhuk, L.M. Minchenko, O.V. Chemezov, V.B. Malkov, O.V. Grishenkova, V.A. Isaev, Yu.P. Zaikov, Sh. Qi. Adv. Mater. Res., 1088, 429 (2015)
  4. M.N. Andreev, A.K. Rebrov, A.I. Safonov, N.I. Timoshenko, K.V. Kubrak, V.S. Sulyaeva. J. Engin. Phys. Thermophys., 88 (4), 1003 (2015)
  5. M. Moreno, P. Roca i Cabarrocas. EPJ Photovolt., 1, 10301 (2010)
  6. P. Vogt, P. De Padova, C. Quaresima, J. Avila, E. Frantzeskakis, M.C. Asensio, A. Resta, B. Ealet, G.L. Lay. Phys. Rev. Lett., 108, 155501 (2012)
  7. D. Chiappe, C. Grazianetti, G. Tallarida, M. Fanciulli, A. Molle. Adv. Mater., 24, 5088 (2012)
  8. A. Fleurence, R. Friedlein, T. Ozaki, H. Kawai, Y. Wang, Y. Takamura. Phys. Rev. Lett., 108, 245501 (2012)
  9. L. Meng, Y. Wang, L. Zhang, S. Du, R. Wu, L. Li, Y. Zhang, G. Li, H. Zhou, W.A. Hofer, M.J. Gao. Nano Lett., 13, 685 (2013)
  10. Y. Ding, Y. Wang. Nanoscale Res. Lett., 10, 13 (2015)
  11. A. Kara, H. Enriquez, A.P. Seitsonen, L.C.L.Y. Voon, S. Vizzini, B. Aufray, H. Oughaddou. Surf. Sci. Reports, 67 (1), 1 (2012)
  12. H. Nakano, Y. Sugiyama, T. Morishita, M.J.S. Spencer, I.K. Snook, Y. Kumai, H. Okamoto. J. Mater. Chem. A, 2, 7588 (2014)
  13. M. De Crescenzi, I. Berbezier, M. Scarselli, P. Castrucci, M. Abbarchi, A. Ronda, F. Jardali, J. Park, H. Vach. ACS Nano, 10 (12), 11163 (2016)
  14. J. Zhao, H. Liu, Z. Yu, R. Quhe, S. Zhou, Y. Wang, C.C. Liu, H. Zhong, N. Han, J. Lu, Y. Yao, K. Wu. Progr. Mater. Sci., 83, 24 (2016)
  15. A.E. Galashev, O.R. Rakhmanova, K.A. Ivanichkina, A.S. Vorob'ev. Phys. Solid State, 59 (6), 1242 (2017)
  16. A.E. Galashev, O.R. Rakhmanova, K.A. Ivanichkina. J. Struct. Chem., 59 (4), 877 (2018)
  17. H.Q. Ho, Y. Honda, M. Motoyama, S. Hamamoto, T. Ishii, E. Ishitsuka. Appl. Radiat Isot., 135, 12 (2018)
  18. M.L. Kozhukh. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 329, 453 (1993)
  19. I.S. Shlimak. Phys. Solid State, 41 (5), 716 (1999)
  20. J.M Soler, E. Artacho, J.D. Gale, A. Garci a, J. Junquera, P. Ordejon, D. Sanchez-Portal. J. Physics: Condens. Matter, 14 (11), 2745 (2002)
  21. W. Hu, Z. Li, J. Yang. J. Chem. Phys., 139, 154704 (2013)
  22. S.K. Gupta, H.R. Soni, P.K. Jha. AIP Advances, 3 (3), 032117 (2013)
  23. N. Pantha, A. Khaniya, N.P. Adhikari. Int. J. Mod. Phys. B, 29 (20), 1550143 (2015)
  24. S. Xu, X. Fan, J. Liu, D.J. Singh, Q. Jiang, W. Zheng. Phys. Chem. Chem. Phys., 20, 8887 (2018)
  25. T. Hussain, S. Chakraborty, R. Ahuja, Chem. Phys. Chem., 14 (15), 3463 (2013)
  26. M.A. Bin Hamid, C.K. Tim, Y. Bin Yaakob, M.A. Bin Hazan. Mater. Res. Express, 6 (5) (2019)
  27. R. Zhou, L.C.L.Y. Voon, Y. Zhuang. J. Appl. Phys., 114, 093711 (2013)
  28. J.E. Padilha, R.B. Pontes. J. Phys. Chem. C, 119 (7) 3818 (2015)
  29. J. Sivek, H. Sahin, B. Partoens, F.M. Peeters. Phys. Rev. B, 87, 085444 (2013)
  30. T.L. Brown, H.E. LeMay, B.E. Bursten. J. Chem. Education, 74 (4) (1997)
  31. M.S. Silberberg. Chemistry: The Molecular Nature of Matter and Change. 5th Edn (N.Y., The McGraw-Hill Companies, Inc., 2009)
  32. A.Y. Galashev, Yu.P. Zaikov. J. Appl. Electrochem., 49, 1027 (2019)
  33. W. Liu, H. Zhi, X. Yu. Energy Storage Mater., 16, 290 (2019)
  34. A.E. Galashev, Yu.P. Zaikov, R.G. Vladykin. Russian J. Electrochem., 52 (10), 966 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme