Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок beta-Ga2O3
Переводная версия: 10.1134/S1063782620060093 
Russian science foundation (RSF), 18-44-06001
HRSF, 0004
Калыгина В.М.
1, Алмаев А.В.
1, Новиков В.А.
1, Петрова Ю.С.
1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
Email: Kalygina@ngs.ru, almaev_alex@mail.ru, novikovvadim@mail.ru, Petrovays@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 11 февраля 2020 г.
Принята к печати: 11 февраля 2020 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.
Исследованы структуры резистивного типа на основе пленок оксида галлия. Пленки Ga2O3 получали ВЧ-магнетронным распылением мишени beta-Ga2O3 (99.9999%) на не нагретые сапфировые подложки с предварительно нанесенными платиновыми электродами. Получены данные о структуре и фазовом составе пленок сразу после напыления и после отжига в аргоне при 900oC в течение 30 мин. Измерены темновые и вольт-амперные характеристики при воздействии излучения с λ=254 нм. Показано, что после отжига фототок увеличивается на порядок. Экспериментально подтверждено отсутствие чувствительности исследованных структур к излучению в видимом интервале длин волн (λ=400 нм). Ключевые слова: пленки оксида галлия, термический отжиг, темновой ток, фототок.
- E. Monroy, F. Omnes, F. Calle. Semicond. Sci. Technol., 18, 33 (2003)
- Z.Y. Xu, B.M. Sadler. IEEE Commun. Mag., 46, 67 (2008)
- S. Aslam, F. Yan, D.E. Pugel, D. Franz, L. Miko, F. Herrero, M. Matsumara, S. Babu, C.M. Stahle. Proc. SPIE, 5901, 59011J-1 (2005)
- Z.G. Shao, D.J. Chen, H. Lu, R. Zhang, D.P. Cao, W.J. Luo, Y.D. Zheng, L. Li, Z.H. Li. IEEE Electron. Dev. Lett., 35, 372 (2014)
- A. Balducci, M. Marinelli, E. Milani, M.E. Morgada, A. Tucciarone, G. Verona-Rinati, M. Angelone, M. Pillon. Appl. Phys. Lett., 86, 193509 (2005)
- J. Yu, C.X. Shan, J.S. Liu, X.W. Zhang, B.H. Li, D.Z. Shen. Phys. Status Solidi RRL, 7, 425 (2013)
- K. Balakrishnan, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 46, L307 (2007)
- W. Yang, S.S. Hullavarad, B. Nagaraj, I. Takeuchi, R.P. Sharma, T. Venkatesan, R.D. Vispute, H. Shen. Appl. Phys. Lett., 82, 3424 (2003)
- Y. Tomm, P. Reiche, D. Klimm, T. Fukuda. J. Cryst. Growth, 220, 510 (2000)
- E. Ohba, T. Kobayashi, M. Kado, K. Hoshikawa. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 1202bf (2016)
- H. He, R. Orlando, M.A. Blanco, R. Pandey, E. Amzallag, I. Baraille, M. Rerat. Phys. Rev., 74, 195123 (2006)
- R. Suzuki1, S. Nakagomi1, Y. Kokubun, N. Arai, S. Ohira. Appl. Phys. Lett., 94, 222102 (2009)
- S. Nakagomi, T. Momo, S. Takahashi, Y. Kokubun. Appl. Phys. Lett., 103, 072105 (2013)
- S. Oh, Y. Jung, M.A. Mastro, J.K. Hite, C.R. Eddy, jr., J. Kim. Opt. Express, 23 (22), 28300 (2015)
- S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci., 44, 63 (2016)
- M.J. Tadjer, M.A. Mastro, N.A. Mahadik, M. Currie, V.D. Wheeler, J.A. Freitas, jr., J.D. Greenlee, J.K. Hite, K.D. Hobart, C.R. Eddy, jr., F.J. Kub. J. Electron. Mater., 45, 2031 (2016)
- S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro. Appl. Phys. Rev., 5, 011301 (2018)
- X. Chen, F. Ren, S. Gu, J. Ye. Photon. Research, 7 (4), 381 (2019)
- Y. Qin, S. Long, H. Dong, Q. He, G. Jian, Y. Zhang, X. Hou, P. Tan, Z. Zhang, H. Lv, Q. Liu, M. Liu. Chinese Phys. B, 28, 018501 (2019)
- A. Tsymbalov, J. Petrova. J. Phys.: Conf. Ser., 124, 071004 (2018)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
