Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
Переводная версия: 10.1134/S1063782620060081 
Калядин А.Е.1, Штельмах К.Ф.1, Аруев П.Н.1, Забродский В.В.1, Карабешкин К.В.1, Шек Е.И.1, Соболев Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 10 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 17 февраля 2020 г.
Принята к печати: 17 февраля 2020 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.
С применением имплантации ионов кислорода с энергией 350 кэВ и дозой 3.7·1014 см-2 и последующего отжига в хлорсодержащей атмосфере при 700oС в течение 1 ч изготовлены кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов. Электролюминесценция исследована в широких диапазонах температуры и мощности накачки. Во всех спектрах доминирует линия (113) дефектов. Температурная зависимость интенсивности линии зависит от мощности накачки в области низких температур: при низких плотностях тока наблюдается возгорание интенсивности с энергией 25 мэВ, а с ростом тока увеличения интенсивности не наблюдается. При более высоких температурах происходит гашение интенсивности с энергией 59 мэВ независимо от плотности тока. С ростом температуры положение максимума линии (113) дефекта смещается на такую же энергию, как ширина запрещенной зоны, а полуширина линии растет линейно. Ключевые слова: (113) дефекты, кремний, светодиоды, электролюминесценция.
- G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
- N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 1930 (1997)
- V. Kveder, V. Badylevich, W. Schroter, M. Seibt, E. Steinman, A. Izotov. Phys. Status Solidi A, 202, 901 (2005)
- Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, М.В. Коновалов, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 50, 241 (2016)
- S. Takeda. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L639 (1991)
- L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. In: Advances in Semiconductor Nanostructures, Growth, Characterization, Properties and Applications, ed by A. Latyshev, A. Dvurechenskii, A. Aseev (Elsevier, Amsterdam, 2016) p. 383
- L. Jeyanathan, E.C. Lightowlers, V. Higgs, G. Davies. Mater. Sci. Forum, 143-147, 1499 (1994)
- S. Coffa, S. Libertino, C. Spinella. Appl. Phys. Lett., 76, 321 (2000)
- D.C. Schmidt, B.G. Svensson, M. Seibt, C. Jagadish, G. Davies. J. Appl. Phys., 88, 2309 (2000)
- Y. Yang, J. Bao, C. Wang, M.J. Aziz. J. Appl. Phys., 107, 123109 (2010)
- Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, К.В. Карабешкин. ФТТ, 58, 2411 (2016)
- Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах. ФТП, 51, 1182 (2017)
- N.A. Sobolev, A.E. Kalyadin, E.I. Shek, K.F. Shtel'makh, V.I. Vdovin, A.K. Gutakovskii, L.I. Fedina. Phys. Status Solidi A, 214, 1700317 (2017)
- J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instrum. Meth. B, 268, 1818 (2010)
- V. Alex, S. Finkbeiner, J. Weber. J. Appl. Phys., 79, 6943 (1996)
- S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini. J. Appl. Phys., 92, 2437 (2002)
- Н.А. Соболев. ФТП, 44, 3 (2010)
- L. Xiang, D. Li, L. Jin, S. Wang, D. Yang. J. Appl. Phys., 113, 033518 (2013)
- G. Davies. Phys. Rep., 176, 83 (1989).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
