Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 5 » Статья стр. 478
<<<>>>
Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (λ=905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
DOI: 10.21883/FTP.2020.05.49265.9341
Переводная версия: 10.1134/S1063782620050140
Соболева О.С.1, Головин В.С.1, Юферев В.С.1, Гаврина П.С.1, Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Подоскин А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Podoskin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 30 декабря 2019 г.
Принята к печати: 30 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.
PDF версия
Представлена двухмерная модель транспорта для исследования пространственной токовой динамики включения лазера-тиристора, учитывающая оптическую обратную связь, ударную ионизацию, насыщение скорости дрейфа в сильных электрических полях. Показано наличие локализации тока при включении лазера-тиристора и взаимосвязи между неоднородностью распределения тока управления в зависимости от его амплитуды и положения начальной области включения. Время включения лазера-тиристора составляет 13 нс при напряжении питания 26 В, время распространения включенного состояния на всю ширину 200 мкм полоска ~65 нс, данные параметры остаются неизменными в независимости от пространственной динамики включения. Ключевые слова: лазер-тиристор, локализация тока, AlGaAs/GaAs, ударная ионизация, транспорт в гетероструктурах.
  1. X. Wang, P. Crump, H. Wenzel, A. Liero, T. Hoffmann, A. Pietrzak, C.M. Schultz, A. Klehr, A. Ginolas, S. Einfeldt, F. Bugge. IEEE J. Quant. Electron., 46 (5), 658 (2010)
  2. D.A. Veselov, V.A. Kapitonov, N.A. Pikhtin, A.V. Lyutetskiy, D.N. Nikolaev, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, V.V. Shamakhov, I.S. Shashkin, I.S. Tarasov. Quant. Electron., 44 (11), 993 (2014)
  3. Th. Hoffmann, A. Klehr, A. Liero, G. Erbert, W. Heinrich. Electron. Lett., 51 (1), 83 (2015)
  4. A. Liero, A. Klehr, A. Knigge, W. Heinrich. Engin. Res. Express, 2, 015023 (2020)
  5. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.V. Rozhkov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, T.A. Bagaev, M.V. Zverkov, V.P. Konyaev, Y.V. Kurniavko, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk. IEEE Phot. Techn. Lett., 25 (17), 1664 (2013)
  6. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.V. Rozhkov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, V.A. Simakov. IEEE Phot. Techn. Lett., 27 (3), 307 (2015).
  7. A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, V.V. Zolotarev, D.A. Veselov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, S.O. Slipchenko. IEEE 17th Intern. Conf. Laser Optics (LO), (June 27--July 1, 2016, St. Petersburg. Russia) R3-9 (2016)
  8. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, D.A. Veselov, V.V. Zolotarev, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. IEEE Trans. Electron Dev., 63 (8), 83154 (2016)
  9. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. Opt. Express, 24 (15), 16500 (2016)
  10. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, V.V. Vasil`eva, N.A. Pikhtin, A.V. Rozhkov, A.V. Gorbatyuk, V.V. Zolotarev, D.A. Veselov, A.V. Jabotinskii, A.A. Petukhov, I.S. Tarasov, T.A. Bagaev, M.V. Zverkov, V.P. Konyaev, Y.V. Kurniavko, M.A. Ladugin, A.V. Lobintsov, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, V.A. Simakov. Semiconductors, 48 (5), 697 (2014)
  11. S.O. Slipchenko; A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, A.V. Gorbatyuk. IEEE Trans. Electron Dev., 62 (1), 149 (2015)
  12. V.S. Yuferev, S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. IEEE Trans. Electron Dev., 62 (12), 4091 (2015)
  13. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 121 (5), 054502 (2017)
  14. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., 119 (12), 124513 (2016)
  15. G. Duan, S. Vainshtein, J. Kostamovaara. Appl. Phys. Lett., 100 (19), 193505 (2012)
  16. A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, M.S. Zakharov, D.A. Veselov, V.V. Zolotarev, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Semicond. Sci. Techn., 30 (12), 125011 (2015)
  17. S. Selberherr. Analysis and Simulation of Semiconductor Devices (Wien--NY., Springer Verlag, 1984).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme