"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
S-образные вольт-амперные характеристики мощных диодов Шоттки при больших плотностях тока
Переводная версия: 10.1134/S1063782620050152
Тандоев А.Г.1, Мнацаканов Т.Т.1, Юрков С.Н.1
1Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
Email: mnatt@yandex.ru
Поступила в редакцию: 24 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 28 декабря 2019 г.
Принята к печати: 30 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.

Проведен последовательный учет влияния совокупности квазинейтральных режимов переноса носителей заряда в полупроводниках, включающей в себя наряду с диффузией и дрейфом обнаруженный недавно режим диффузии, стимулированной квазинейтральным дрейфом (DSQD). Исследован порядок смены режимов переноса носителей заряда в структурах диода Шоттки, и показано, к каким особенностям вольт-амперных характеристик это может приводить. Результаты аналитического исследования особенностей проверены и подтверждены с помощью численного моделирования. Ключевые слова: перенос носителей заряда в полупроводниках, мощные диоды Шоттки, вольт-амперная характеристика, режимы переноса носителей.
  1. L.M. Hillkirk. Solid State Electron., 48, 2181 (2004)
  2. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Semicond. Sci. Technol., 23, 085011 (2008)
  3. J.W. Palmour, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, Q.J. Zhang. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 235103 (2015)
  4. D.L. Scharfetter. Solid State Electron., 8, 299 (1965)
  5. A. Yu, E. Snow. Solid State Electron., 12, 155 (1969)
  6. B. Elfsten, P.A. Tove. Solid State Electron., 28, 721 (1985)
  7. W.T. Ng, S. Liang, C.A.T. Salama. Solid State Electron., 33, 39 (1990)
  8. K. Sarpatwari, S.E. Mohney, S. Ashok, O.O. Awadelkarim. Phys. Status Solidi A, 207, 1509 (2010)
  9. R. Singh, D.C. Capell, A.R. Hefner, J. Lai, J.W. Palmour. IEEE Trans. Electron Dev., 49, 2054 (2002)
  10. J.H. Zhao, K. Sheng, R.C. Lebron-Velilla. In: SiC Materials and Devices, v. 1, ed. by M. Shur, S. Rumyantsev, M. Levinshtein (World Scientific, Singapore-New Jersey, 2006) p. 117
  11. C. Buttay, C. Raynaud, H. Morel, G. Civrac, M.-L. Locatelli, F. Morel. IEEE Trans. Electron Dev., 59, 761 (2012)
  12. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov. J. Appl. Phys., 105, 044506 (2009)
  13. T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov. Semicond. Sci. Technol., 24, 075006 (2009)
  14. T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. Solid State Electron., 121, 41 (2016)
  15. T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. Semiconductors, 51, 8 (2017)
  16. M. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (Academic Press, N.Y.-London, 1970)
  17. V.B. Shuman, T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 26, 085016 (2011)
  18. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Solid State Electron., 30, 579 (1987)
  19. T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143, 225 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.