Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 5 » Статья стр. 446
<<<>>>
Низкоразмерные структуры карбида кремния: аналитические оценки характеристик электронного спектра
DOI: 10.21883/FTP.2020.05.49257.9274
Переводная версия: 10.1134/S1063782620050048
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.
PDF версия
Методом функций Грина в представлении сильной связи рассмотрена электронная структура бесконечного листа карбида кремния и вырезанных из него нанолент и одномерных цепочек. Получены аналитические выражения для ширин запрещенных зон, эффективных масс и характерных скоростей электронов. Обсуждается влияние металлических и диэлектрических подложек на зонные характеристики. Ключевые слова: зонная структура, эффективная масса, характерная скорость, наноленты, цепочки, подложка.
  1. А.К. Гейм. УФН, 181, 1284 (2011)
  2. К.С. Новосёлов. УФН, 181, 1299 (2011)
  3. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81, 109 (2009)
  4. M.I. Katsnelson. Graphene. Carbon in Two Dimensions (UK, Cambridge University Press, 2012)
  5. Graphene Nanoelectronics. Metrology, Synthesis, Properties and Applications, ed. by H. Raza. (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, 2012)
  6. П.Б. Сорокин, Л.А. Чернозатонский. УФН, 183, 113 (2013)
  7. A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature, 499, 419 (2013)
  8. M. Xu, T. Liang, M. Shi, H. Chen. Chem. Rev., 113, 3766 (2013)
  9. G. Mukhopadhyay, H. Behera. World J. Engin., 10, 39 (2013)
  10. C.-J. Tong, H. Zhang, Y.-N. Zhang, H. Liu, L.-M. Liu. J. Mater. Chem. A, 2, 17971 (2014)
  11. И.В. Антонова. ФТП, 50, 67 (2016)
  12. R. Roldan, L. Chirolli, E. Prada, J.A. Silva-Guillen, P. San Josea, F. Guinea. Chem. Soc. Rev., 46, 4387 (2017)
  13. H. Sahin, S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Bekaroglu, E. Akturk, R.T. Senger, S. Ciraci. Phys. Rev. B, 80, 155453 (2009)
  14. T. Suzuki, Y. Yokomizo. Physica E, 42, 2820 (2010)
  15. S. Wang. J. Phys. Soc. Jpn., 79, 064602 (2010)
  16. H.L. Zhuang, A.K. Singh, R.G. Hennig. Phys. Rev. B, 87, 165415 (2013)
  17. A.K. Singh, H.L. Zhuang, R.G. Hennig. Phys. Rev. B, 89, 245431 (2014)
  18. D. Kecik, A. Onen, M. Konuk, E. Gurbuz, F. Ersan, S. Cahangirov, E. Akturk, E. Durgun, S. Ciraci. Appl. Phys. Rev., 5, 011105 (2018)
  19. Silicon carbide: recent major advances, W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl (eds) (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg-N.Y., 2004)
  20. A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
  21. B. Baumeier, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. B, 76, 085407 (2007)
  22. L. Sun, Y. Li, Z. Li, Q. Li, Z. Zhou, Z. Chen, J. Yang, J.G. Hou. J. Chem. Phys., 129, 174114 (2008)
  23. E. Bekaroglu, M. Topsakal, S. Cahangirov, S. Ciraci. Phys. Rev. B, 81, 075433 (2010)
  24. T. Susi, V. Skakalova, A. Mittelberger, P. Kotrusz, M. Hulman, T.J. Pennycook, C. Mangler, J. Kotakoski, J.C. Meyer. Sci. Rep., 7, 4399 (2017)
  25. С.Ю. Давыдов. ФТТ, 58, 779 (2016)
  26. С.Ю. Давыдов. ФТТ, 58, 1182 (2016)
  27. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
  28. W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 31, 2121 (1985)
  29. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. (Киев, Наук. думка, 1987)
  30. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. Элементарное введение в теорию наносистем (СПб., Лань, 2014)
  31. С.Ю. Давыдов. Письма ЖТФ, 45 (13), 14 (2019)
  32. С.Ю. Давыдов. ФТТ, 61, 610 (2019)
  33. K. Wakabayashi, M. Fujita, H. Ajiki, M. Sigrist. Phys. Rev. B, 59, 8271 (1999)
  34. J. Cserti. Am. J. Phys., 68, 896 (2000)
  35. G. Jose, R. Malla, V. Srinivasan, A. Sharma, S. Gangadharaiah. arXiv: 1711.08204v.1
  36. G. Ganbold, G.V. Efimov. J. Phys.: Condens. Matter, 10, 4845 (1998)
  37. A.H. Romero, D.W. Brown, K. Lindenberg. Phys. Rev. B, 59, 13728 (1999)
  38. C.W. Petza, D. Yang, J. Levy, J.A. Floro. J. Mater. Res., 28, 261 (2013)
  39. S. Lin, S. Zhang, X. Li, W. Xu, X. Pi, X. Liu, F. Wang, H. Wu, H. Chen. J. Chem. Phys. C, 119, 19772 (2015)
  40. A. Mouchtachi, R. El Guerjouma, J.C. Baboux, D. Rouby, D. Bouami. J. Phys. D: Appl. Phys., 37, 3323 (2004)
  41. X. Liu, X. Shen, L. Gong, P.Li. Chin. J. Aeronautics, 31, 117 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme