"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа n+-GaAs/n0-GaAs/n+-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782620050139
Слипченко С.О.1, Подоскин А.А.1, Соболева О.С.1, Юферев В.С.1, Головин В.С.1, Гаврина П.С.1, Романович Д.Н.1, Мирошников И.В.1, Пихтин Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: SergHPL@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 января 2020 г.
В окончательной редакции: 17 января 2020 г.
Принята к печати: 17 января 2020 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.

Проведены экспериментальные исследования изотипных гетероструктур типа n^+-GaAs/n^0-GaAs/n^+-GaAs с широкозонным барьером N^0-AlGaAs толщиной 100 нм, расположенным в n^0-GaAs-области. Показано, что вольт-амперные характеристики исследуемых структур имеют область отрицательного дифференциального сопротивления, при этом переход в данную область происходит с задержкой по времени, которая может достигать десятков нс. Установлено, что работа в области отрицательного дифференциального сопротивления связана с включением процесса ударной ионизации. Численный анализ в рамках модели энергетического баланса показал, что переход в область отрицательного дифференциального сопротивления связан с формированием домена электрического поля, захватывающего часть слабо легированной области между тонким широкозонным барьером N^0-AlGaAs и сильно легированным слоем n^+-GaAs и включением ударной ионизации на границе с указанным сильно легированным слоем n^+-GaAs. Сравнительный анализ экспериментальных данных и результатов моделирования показал, что для корректного описания вольт-амперных характеристик исследуемых гетероструктур в модели необходимо учесть менее выраженную способность гетероперехода ограничивать транспорт носителей в барьерном слое. Ключевые слова: изотипная гетероструктура, модель энергетического баланса, AlGaAs/GaAs, ударная ионизация, транспорт в гетероструктурах.
  1. N. Balkan, B.K. Ridley, A.J. Vickers. Negative Differential Resistance and Instabilities in 2D Semiconductors, NATO ASI Series (Plenum Press, N.Y., 1993) v. 307
  2. S. Ohki, H. Funato, M. Suhara, T. Okumura, L.E. Wernersson, W. Seifert. Appl. Surf. Sci., 190 (1--4), 288 (2002)
  3. J. H.Tsai. Solid-State Electron., 44 (6), 1049 (2000)
  4. A. Reklaitis. J. Phys. D: Appl. Phys., 46 (14), 145107 (2013)
  5. V.Y. Aleshkin, L. Reggiani, A. Reklaitis. Phys. Rev. B, 63 (8), 085302 (2001)
  6. V.Y. Aleshkin, L. Reggiani, A. Reklaitis. J. Appl. Phys., 90 (8), 3979 (2001)
  7. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, O.S. Soboleva, V.S. Yuferev, V.S. Golovin, P.S. Gavrina, D.N. Romanovich, N.A. Pikhtin. Semiconductors, 53 (6), 806 (2019)
  8. O.S. Soboleva, V.S. Yuferev, A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, V.V. Zolotarev, V.S. Golovin, S.O. Slipchenko. To be published in IEEE Trans. Electron Dev. (2020)
  9. T. Grassier, T.W. Tang, H. Kosina, S. Selberherr. Proc. IEEE, 91 (2), 251 (2003)
  10. Y. Apanovich, E. Lyumkis, B. Polsky, A. Shur, P. Blakey. IEEE Trans. Comput. Aid. D, 13 (6), 702 (1994)
  11. R. Stratton. IEEE Trans. Electron Dev., 19 (12), 1288 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.