"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO2
Качурин Г.А.1, Черкова С.Г.1,2, Марин Д.В.1,2, Володин В.А.1,2, Черков А.Г.1,2, Антоненко А.Х.1,2, Камаев Г.Н.1,2, Скуратов В.А.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Исследовано действие ионов Xe, 167 МэВ, в интервале доз 1012-3·1013 см-2 на гетероструктуры, состоявшие из 6 пар слоев Si/SiO2 с толщинами ~8 и ~10 нм соответственно. По данным электронной микроскопии, облучение нарушало целостность слоев. При этом рамановские измерения свидетельствовали об увеличении рассеяния от аморфного кремния, а в спектрах фотолюминесценции появлялась желто-оранжевая полоса, присущая мелким выделениям Si в SiO2. Отжиг при 800oC восстанавливал сетку SiO2, а отжиг при 1100oC приводил к появлению более интенсивного пика фотолюминесценции в области 780 нм, характерного для нанокристаллов Si, причем интенсивность пика люминесценции росла с дозой. Считается, что облучение создает зародыши, облегчающие формирование нанокристаллов Si при последующем отжиге. Процессы протекают внутри треков благодаря сильным нагревам за счет ионизационных потерь ионов.
  1. A.V. Zayats, Yu.A. Repeyev, D.N. Nikogosyan, E.A. Vinogradov. Phys. Lett. A, 155, 65 (1991)
  2. D.J. Lockwood, Z.H. Lu, J.-M. Baribeau. Phys. Rev. Lett., 76, 539 (1996)
  3. B.T. Sullivan, D.J. Lockwood, H.J. Labbe, Z.-H. Lu. Appl. Phys. Lett., 69 (21), 3149 (1996)
  4. Y. Kanemitsu, T. Kushida. Appl. Phys. Lett., 77 (22), 3550 (2000)
  5. L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, S.P. Duttagupta, M. Zacharias, P.M. Fauchet, J.P. McCaffrey, D.J. Lockwood. Appl. Phys. Lett., 72, 43 (1998)
  6. M. Zacharias, P. Streitenberger. Phys. Rev. B, 62, 8391 (2000)
  7. V. Vinciguerra, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona, C. Spinella. J. Appl. Phys., 87, 8165 (2000)
  8. Z.H. Lu, D.J. Lockwood, J.-M. Baribeau. Sol. St. Electron., 40, 197 (1996)
  9. L. Khriachtchev, O. Kilpela, S. Karirinne, J. Keranen, T. Lepisto. Appl. Phys. Lett., 78, 323 (2001)
  10. P. Photopoulos, A.G. Nassiopoulou. J. Phys.: Condens. Matter, 15, 3641 (2003)
  11. D. Hiller, S. Goetze, M. Zacharias. J. Appl. Phys., 109, 054 308 (2011)
  12. D. Cha, J.H. Shin, I.-H. Song, M.-K. Han. Appl. Phys. Lett., 84 (8), 1287 (2004)
  13. H. Zou, L. Wu, X. Huang, F. Qiao, P. Han, X. Zhou, Z. Ma, Y. Liu, W. Li, K. Chen. Thin Sol. Films, 491 (1--2), 212 (2005)
  14. B.V. Kamenev, H. Grebel, L. Tsybeskov. Appl. Phys. Lett., 88, 143 117 (2006)
  15. V.A. Volodin, T.T. Korchagina, A.K. Gutakovsky, L.I. Fedina, M.A. Neklyudova, A.V. Latyshev, J. Jedrzejewski, I. Balberg, J. Koch, B.N. Chichkov. Phys. Experess, 2 (5), 1 (2012)
  16. M. Toulemonde, C. Dufour, A. Meftah, E. Paumier. Nucl. Instrum. Meth. B, 166--167, 903 (2000)
  17. D. Rodichev, Ph. Lavallard, E. Dooryhee, A. Slaoui, J. Perriere, M. Gandais, Y. Wang. Nucl. Instrum. Meth. B, 107, 259 (1996)
  18. P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. J. Appl. Phys., 93 (6), 3486 (2003)
  19. P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, R. Pasricha, F. Singh, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. Nucl. Instrum. Meth. B, 239, 185 (2005)
  20. W.M. Arnoldbik, N. Tomozeiu, E.D. van Hattum, R.W. Lof, A.M. Vredenberg, F.H.P.M. Habraken. Phys. Rev. B, 71, 125 329 (2005)
  21. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Скуратов, Д.В. Марин, А.Г. Черков. ФТП, 44, 544 (2010)
  22. F. Gourbilleau, C. Ternon, X. Portier, P. Marie, M. Levalois, R. Rizk, C. Dufour. Phys. E, 16, 434 (2003)
  23. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин, В.Г. Кеслер, В.А. Скуратов, А.Г. Черков. ФТП, 45 (3), 419 (2011)
  24. А.Н. Карпов, Д.В. Марин, В.А. Володин, J. Jedrzejewski, Г.А. Качурин, E. Savir, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, Y. Goldstein, I. Balberg. ФТП, 42, 747 (2008)
  25. С.Н. Шамин, В.Р. Галахов, В.И. Аксенова, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, В.А. Володин, И.В. Антонова, Т.Б. Ежевская, J. Jedrzejewski, E. Savir, I. Balberg. ФТП, 44, 550 (2010)
  26. I.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, D.O. Mazunov, S. Kaschieva, J. Koprinarova, S.N. Dmitriev. J. Optoelectron.: Adv. Mater., 7 (1), 325 (2005)
  27. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
  28. G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K.G. Lynn, A. Gambhir, L.F. Di Mauro, C.E. Bottani. J. Appl. Phys., 79, 8660 (1996)
  29. S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, D.M. Hembree, jr., J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
  30. Y. Batra, T. Mohanty, D. Kanjilal. Nucl. Instrum. Meth. B, 266, 3107 (2008)
  31. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Скуратов, Д.В. Марин, А.Г. Черков. ФТП, 44 (4), 544 (2010)
  32. D. Rodichev, Ph. Lavallard, E. Dooryhee, A. Slaoui, J. Perriere, M. Gandais, Y. Wang. Nucl. Instrum. Meth. B, 107, 259 (1996)
  33. T.Y. Choi, D.J. Hwang, C.P. Grigoropoulos. Opt. Eng., 42 (11), 3383 (2003)
  34. K. Sokolowski-Tinten, J. Bialkowski, D. von der Linde. Phys. Rev. B, 51 (20), 14 186 (1995)
  35. H.W.K. Tom, G.D. Aumiller, C.H. Brito-Cruz. Phys. Rev. Lett., 60 (14), 1438 (1988)
  36. A. Rousse, C. Rischel, S. Fourmaux, I. Uschmann, S. Sebban, G. Grillon, Ph. Balcou, E. Forster, J.P. Geindre, P. Audebert, J.C. Gauthier, D. Hulinet. Nature Lett., 410, 65 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.