"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нарушение нейтральности и возникновение S-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках
Мнацаканов Т.Т.1, Тандоев А.Г.1, Левинштейн М.Е.2, Юрков С.Н.1, Palmour J.W.3
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
Поступила в редакцию: 24 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Показано, что в легированном n-слое p+-n-n+-структур в условиях двойной инжекции при высоком уровне инжекции и определенном сочетании электрофизических параметров может произойти нарушение квазинейтральности с последующим ее восстановлением при увеличении плотности тока. Нарушение квазинейтральности влечет за собой заметное увеличение напряжения на базе, а последующее восстановление нейтральности --- к резкому падению напряжения. В результате формируется S-образная вольт-амперная характеристика. Характерное значение пороговой плотности тока, при которой формируется участок S-образного сопротивления, пропорционально уровню легирования базы Nd.
  1. M.A. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (Academic Press, N.Y.--London, 1970)
  2. T.T. Mnatsakanov, D. Schroder, A. Schlogl. Sol. St. Electron., 42, 153 (1998)
  3. N.V. Dyakonova, P.A. Ivanov, V.A. Kozlov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev, R. Singh. IEEE Trans. Electron. Dev., 46, 2188 (1999)
  4. L.M. Hillkirk. Sol. St. ELectron., 48, 2181 (2004)
  5. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Semicond. Sci. Technol., 23, 085 011 (2008)
  6. Y. Sugawara, D. Takayama, K. Asano, R. Singh, J. Palmour, T. Hayashi. Proc. 2001 Int. Symp. on Power Semiconductor Devices \& Ics (Osaka, Japan, 2002) p. 27
  7. T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov, M.E. Levinshtein. J. Appl. Phys., 105, 044 506 (2009)
  8. T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov, M.E. Levinshtein. Semicond. Sci. Technol., 24, 075 006 (2009)
  9. T.T. Mnatsakanov, A.G. Tandoev, M.E. Levinshtein, S.N. Yurkov. Sol. St. Electron., 56, 60 (2011)
  10. Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, А.Г. Тандоев, С.Н. Юрков. ФТП, 45, 196 (2011)
  11. V.B. Shuman, T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, A.G. Tandoev, S.N. Yurkov, J.W. Palmour. Semicond. Sci. Technol., 26, 085 016 (2011)
  12. T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 143, 225 (1987)
  13. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
  14. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, T.T. Mnatsakanov, A.K. Agarwal, J.W. Palmour. In: SiC Materials and Devices, eds M.S. Shur, S.L. Rumyantsev and M.E. Levinsthein (World Sceintific, 2006) v. 1
  15. Handbook Series of Semiconductor Parameters: Elementary Semiconductors and A-=SUP=-III-=/SUP=-B-=SUP=-V-=/SUP=- Compounds Si, Ge, C, GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InSb, eds M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (Singapore, World Scientific, 1996) v. 1
  16. A. Herlet. Sol. St. ELectron., 11, 717 (1968)
  17. T.T. Mnatsakanov, L.I. Pomortseva, V.B. Shuman. Sol. St. Electron., 41, 1871 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.