"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование рекомбинационного процесса на границах кристаллитов в пленках CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) методом микроволновой фотопроводимости
Бочаров К.В.1, Новиков Г.Ф.1, Hsieh T.Y.2, Гапанович М.В.1, Jeng M.J.2
1Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Московская область, Россия
2Department of Electronic Engineering and Green Technology Research Center, Chang-Gung University, 295 WenHwa 1st Road, Kweishan-Taoyuan 333, Taiwan, Republic of China
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Методом микроволновой фотопроводимости (36 ГГц) изучена кинетика гибели фотогенерированных носителей заряда в поликристаллических тонкопленочных халькопиритах CuIn1-xGaxSe2 (CIGS), синтезированных ампульным методом и несколькими модификациями метода вакуумного напыления с последующей селенизацией: методом магнетронного распыления мишени, методом термического напыления, модифицированным методом термического напыления с использованиеми интерметаллических прекурсоров. Фотопроводимость возбуждали излучением азотного лазера с длительностью импульса 8 нс и максимальной интенсивностью 4· 1014 фотон/см за импульс. Измерения выполнены в температурном диапазоне 148--293 K. Обнаружено, что амплитуда фотоотклика линейно зависела от размеров областей когерентного рассеяния в зернах пленок, рассчитанных из данных рентгеновской дифракции. Спады фотоотклика были гиперболическими. Время полуспада фотоотклика возрастало с понижением как температуры, так и интенсивности света. Показано, что процесс рекомбинации свободных дырок с захваченными электронами очень эффективен вблизи границ кристаллитов.
  1. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987)
  2. K. Taretto, U. Rau. J. Appl. Phys., 103, 094523 (2008)
  3. M. Gloeckler, J.R. Sitesa, W.K. Metzger. J. Appl. Phys., 98, 113704 (2005)
  4. Г.Ф. Новиков, А.А. Маринин, Е.В. Рабенок. Приб. тех. эксп., N 2, 83 (2010)
  5. Г.Ф. Новиков, Б.И, Голованов. ЖНиПФ, 43 (1), 18 (1998)
  6. R.J. Deri, R.P. Spoonhower. J. Appl. Phys., 57 (8), 2806 (1985)
  7. N.G. Dhere. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 95, 277 (2011)
  8. P. Luo, C.Zhu, G. Jiang. Solid State Commun., 146, 57 (2008)
  9. C.Y. Su, W.H. Ho, H.C. Lin, C.Y. Nieh, S.C. Liang. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 95, 261 (2011)
  10. E.R. Baek, V. Astini, A. Tirta, B. Kim. Current Appl. Phys., 11 (1), S76 (2011)
  11. G.F. Novikov, E.V. Rabenok, M.J. Jeng, L.B. Chang. JRSE, 4 (1), 011604 (2012)
  12. K.W. Wagner. Arch. Elektrotech., 2 (9), 371 (1914); R.W. Sillars. J. Inst. Elect. Eng., 80, 378 (1937)
  13. Г.Ф. Новиков. ЖНиПФ, 42 (6), 3 (1997)
  14. Н.А. Радычев, Г.Ф. Новиков. Изв. АН, серия хим., N 5, 740 (2006)
  15. P. Chelvanathan, M.I. Hossain, N. Amin. Current Appl. Phys., 10, S387 (2010)
  16. S.B. Zhang, Su-Yuai Wei, Alex Zunger, H. Katayama-Yoshida. Phys. Rev. B, 57 (16), 9642 (1998)
  17. H.J. Moeller. Semiconductor for Cells (Boston, Artech, 1993)
  18. J.Y.W. Seto. J. Appl. Phys., 46, 5247 (1975)
  19. К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.