"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне
Артамкин А.И.1, Добровольский А.А.1, Винокуров А.А.1, Зломанов В.П.1, Данилов С.Н.2, Бельков В.В.3, Рябова Л.И.1, Хохлов Д.Р.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Университет Регенсбурга, Регенсбург, Германия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Показано, что монокристаллы PbTe(V) обладают фоточувствительностью в терагерцовом спектральном диапазоне вплоть до длины волны 280 мкм. Измерения проводились в области температур 8-300 K. В указанном температурном интервале проводимость кристаллов в темновом состоянии активационным образом зависит от температуры и изменяется на 4 порядка величины, что обусловлено эффектом стабилизации уровня Ферми на 20 мэВ ниже дна зоны проводимости. С повышением температуры и соответственно с ростом проводимости образцов амплитуда фотоотклика существенно возрастает. Полученный результат интерпретируется в рамках модели, учитывающей значительное уширение примесного уровня ванадия и его смещение к дну зоны проводимости с ростом температуры.
  1. Lead Chalcogenides: Physics and Applications, ed. by D. Khokhlov (Taylor\&Francis, N.Y., 2003)
  2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, 875 (2002)
  3. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 80, 143 (2004)
  4. А.А. Винокуров, А.И. Артамкин, С.Г. Дорофеев, Т.А. Кузнецова, В.П. Зломанов. Неорг. матер., 44, 666 (2008)
  5. E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, A.E. Primenko, O.A. Savelieva, N.A. Pichugin, A.N. Golovanov, V.V. Gorbachev, V.P. Zlomanov, A.A. Vinokurov. Moldavian J. Phys. Sci., 8, 63 (2009)
  6. А.И. Артамкин, А.А. Добровольский, А.А. Винокуров, В.П. Зломанов, С.Ю. Гаврилкин, О.М. Иваненко, К.В. Мицен, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 44, 1591 (2010)
  7. А.И. Белогорохов, Б.А. Волков, И.И. Иванчик, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 72, 178 (2000)
  8. N. Romcevic, M. Romcevic, I. Ivanchik, D. Khokhlov. Infr. Phys. Technol., 40, 453 (1999)
  9. M. Romcevic, N. Romcevic, D.R. Khokhlov, I.I. Ivanchik. J. Phys.: Condens. Matter, 12, 8737 (2000)
  10. E.P. Skipetrov, A.N. Golovanov, E.A. Zvereva, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. Physica B, 404, 5262 (2009)
  11. D. Khokhlov, L. Ryabova, A. Nicorici, V. Shklover, S. Ganichev, S. Danilov, V. Bel'kov. Appl. Phys. Lett., 93, 264 103 (2008)
  12. А.В. Галеева, Л.И. Рябова, А.В. Никорич, С.Д. Ганичев, С.Н. Данилов, В.В. Бельков, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 91, 37 (2010)
  13. С.Д. Ганичев, С.А. Емельянов, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖЭТФ, 35 (7), 297 (1982) [S.D. Ganichev, S.A. Emel'yanov, I.D. Yaroshetskii. JETP Lett., 35 (7), 368 (1982)]
  14. S.D. Ganichev, S.N. Danilov, V.V. Bel'kov, S. Giglberger, S.A. Tarasenko, E.L. Ivchenko, D. Weiss, W. Jantsch, F. Scheffer, D. Gruber, W. Prettl. Phys. Rev. B, 75, 155 317 (2007)
  15. P. Schneider, J. Kainz, S.D. Ganichev, V.V. Bel'kov, S.N. Danilov, M.M. Glazov, L.E. Golub, U. Rossler, W. Wegscheider, D. Weiss, D. Schuh, W. Prettl. J. Appl. Phys., 96, 420 (2004)
  16. С.Д. Ганичев, Я.В. Терентьев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 11, 46 (1985) [S.D. Ganichev, Ya.V. Terent'ev, I.D. Yaroshetskii. Sov. Tech. Phys. Lett., 11, 20 (1985)]
  17. E.P. Skipetrov, A.N. Golovanov, B.B. Kovalev, A.V. Knotko, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. Semicond. Sci. Technol., 27, 015 019 (2012)
  18. Е.П. Скипетров, А.Н. Голованов, А.В. Кнотько, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько. ФТП, 46, 761 (2012)
  19. S.D. Ganichev, W. Prettl, P.G. Huggard. Phys. Rev. B, 71, 3882 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.